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羅姆“全SiC”功率模塊開(kāi)始量產(chǎn)
21ic訊 羅姆株式會(huì)社推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構(gòu)成。 此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能電池等中負(fù)責(zé)電力
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SiC/GaN功率半導(dǎo)體面臨測(cè)試新挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體材料最近引來(lái)不少關(guān)注。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，硅對(duì)于設(shè)備生產(chǎn)商的運(yùn)行性能已經(jīng)逼近極限。功率半導(dǎo)體用戶(hù)需要更高效的、切換時(shí)損失電力不那么多的設(shè)備。 因此功率半導(dǎo)體廠商開(kāi)始轉(zhuǎn)向替代材料，更具體地說(shuō)是碳化硅
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國(guó)際局勢(shì)撲朔迷離，國(guó)內(nèi)廠商應(yīng)抓住新能源機(jī)遇
歐債危機(jī)讓歐洲各國(guó)自顧不暇，對(duì)外需求大降；美國(guó)失業(yè)率居高不下，又面臨大選，政策搖擺不定；中東局勢(shì)緊張，隨時(shí)可能開(kāi)火。整體感覺(jué)，2012年經(jīng)濟(jì)形勢(shì)不太淡定，從去年下半年開(kāi)始，傳統(tǒng)行業(yè)需求開(kāi)始降低，新能源產(chǎn)業(yè)
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瑞薩推出在單一封裝中集成電源轉(zhuǎn)換電路的SiC功率器件系列
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”）宣布開(kāi)發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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瑞薩推出在單一封裝中集成電源轉(zhuǎn)換電路的SiC功率器件系列
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”）宣布開(kāi)發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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國(guó)內(nèi)首款數(shù)字高清解碼系統(tǒng)芯片在北部誕生
日前，北部新區(qū)高新科技企業(yè)重慶四聯(lián)微電子有限公司，成功研發(fā)出國(guó)內(nèi)第一款高清數(shù)字電視機(jī)頂盒系統(tǒng)主芯片SIC 8008，標(biāo)志著我國(guó)第一款高清數(shù)字電視機(jī)頂盒系統(tǒng)主芯片在重慶北部新區(qū)誕生。由北部新區(qū)國(guó)資創(chuàng)業(yè)投資公司--
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摩根大通：Leap和MetroPCS或成AT&T收購(gòu)目標(biāo)
北京時(shí)間12月30日下午消息（艾斯）根據(jù)彭博社報(bào)道，摩根大通公司表示，隨著AT&T 390億美元收購(gòu)T-Mobile美國(guó)宣告失敗，美國(guó)移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商Leap Wireless和MetroPCS Communications或許將成為AT&T或T-Mobile的收購(gòu)目標(biāo)。摩
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在日企中是首次—新日鐵開(kāi)發(fā)出用于功率元件的6英寸SiC基板
6英寸SiC基板（點(diǎn)擊放大） 發(fā)布會(huì)上（點(diǎn)擊放大） 新日本制鐵（新日鐵）開(kāi)發(fā)出了用于SiC功率元件的6英寸（150mm）直徑SiC基板。6英寸產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)成果僅次于在SiC基板業(yè)務(wù)中份額居首的美國(guó)科銳（Cree）公司，在日
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羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC
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羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出高速、大電流的SiC溝槽MOS模塊
21ic訊 羅姆株式會(huì)社日前面向EV、HEV車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē)）及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊&l
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羅姆開(kāi)發(fā)出可在高溫條件下工作的壓鑄模類(lèi)型SiC功率模塊
21ic訊 羅姆株式會(huì)社日前面向EV/HEV車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)）和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類(lèi)型、225℃
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全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告出爐
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告 (wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示，2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過(guò)該報(bào)告也強(qiáng)調(diào)，與過(guò)去的國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(SI
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晶圓代工大廠退出 SICAS產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)代表性不再
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafer manufacturing capacity statistics)顯示， 2011年第二季全球芯片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過(guò)該報(bào)告也強(qiáng)調(diào)，與過(guò)去的國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)
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晶圓代工大廠退出 SICAS產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)代表性不再？
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示，2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過(guò)該報(bào)告也強(qiáng)調(diào)，與過(guò)去的國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(SIC
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晶圓代工大廠退出 SICAS產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)代表性不再？
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示，2011年第二季全球芯片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過(guò)該報(bào)告也強(qiáng)調(diào)，與過(guò)去的國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(SIC
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晶圓代工大廠退出 SICAS產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)代表性不再？
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafer manufacturing capacity statistics)顯示， 2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過(guò)該報(bào)告也強(qiáng)調(diào)，與過(guò)去的國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)
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京瓷展示用于SiC功率元件的封裝和基板
容許電流分別為15A（左）和50A（右）的封裝（點(diǎn)擊放大） 封裝的解說(shuō)板（點(diǎn)擊放大） 可雙芯片封裝SiC功率元件的功率模塊基板（點(diǎn)擊放大） 降低了寄生電感成分的功率模塊基板（點(diǎn)擊放大） 解說(shuō)板（點(diǎn)擊放
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SiC基板廠商紛紛開(kāi)發(fā)6英寸產(chǎn)品
晶圓(基板)左右著SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到，很多SiC基板廠商都在手開(kāi)發(fā)口徑6英寸(150mm)的產(chǎn)品?，F(xiàn)在生產(chǎn)的功率元件SiC基板的最大口徑為4英寸(100mm)。將口徑增大到6英寸，有利于提高SiC制功率元
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jls1976
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小黑屋525
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