日前,北部新區(qū)高新科技企業(yè)重慶四聯(lián)微電子有限公司,成功研發(fā)出國內(nèi)第一款高清數(shù)字電視機(jī)頂盒系統(tǒng)主芯片SIC 8008,標(biāo)志著我國第一款高清數(shù)字電視機(jī)頂盒系統(tǒng)主芯片在重慶北部新區(qū)誕生。由北部新區(qū)國資創(chuàng)業(yè)投資公司--
北京時(shí)間12月30日下午消息(艾斯)根據(jù)彭博社報(bào)道,摩根大通公司表示,隨著AT&T 390億美元收購T-Mobile美國宣告失敗,美國移動(dòng)運(yùn)營商Leap Wireless和MetroPCS Communications或許將成為AT&T或T-Mobile的收購目標(biāo)。摩
6英寸SiC基板(點(diǎn)擊放大) 發(fā)布會(huì)上(點(diǎn)擊放大) 新日本制鐵(新日鐵)開發(fā)出了用于SiC功率元件的6英寸(150mm)直徑SiC基板。6英寸產(chǎn)品的開發(fā)成果僅次于在SiC基板業(yè)務(wù)中份額居首的美國科銳(Cree)公司,在日
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC
21ic訊 羅姆株式會(huì)社日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊&l
21ic訊 羅姆株式會(huì)社日前面向EV/HEV車(電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng),開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂,世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告 (wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示,2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%;不過該報(bào)告也強(qiáng)調(diào),與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(SI
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafer manufacturing capacity statistics)顯示, 2011年第二季全球芯片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%;不過該報(bào)告也強(qiáng)調(diào),與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示,2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%;不過該報(bào)告也強(qiáng)調(diào),與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(SIC
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示,2011年第二季全球芯片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%;不過該報(bào)告也強(qiáng)調(diào),與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(SIC
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafer manufacturing capacity statistics)顯示, 2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%;不過該報(bào)告也強(qiáng)調(diào),與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)
容許電流分別為15A(左)和50A(右)的封裝(點(diǎn)擊放大) 封裝的解說板(點(diǎn)擊放大) 可雙芯片封裝SiC功率元件的功率模塊基板(點(diǎn)擊放大) 降低了寄生電感成分的功率模塊基板(點(diǎn)擊放大) 解說板(點(diǎn)擊放
晶圓(基板)左右著SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到,很多SiC基板廠商都在手開發(fā)口徑6英寸(150mm)的產(chǎn)品?,F(xiàn)在生產(chǎn)的功率元件SiC基板的最大口徑為4英寸(100mm)。將口徑增大到6英寸,有利于提高SiC制功率元
晶圓(基板)左右著SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到,很多SiC基板廠商都在手開發(fā)口徑6英寸(150mm)的產(chǎn)品?,F(xiàn)在生產(chǎn)的功率元件SiC基板的最大口徑為4英寸(100mm)。將口徑增大到6英寸,有利于提高SiC制功率元
以極具藝術(shù)氣息的沙畫表演作為開場白,達(dá)索析統(tǒng)SolidWorks公司2011年創(chuàng)新日活動(dòng)拉開了序幕。在2011年9月20日到10月21日這一個(gè)月的時(shí)間里,中國的45家SolidWorks經(jīng)銷商,將在55個(gè)不同城市舉辦85場創(chuàng)新日發(fā)布會(huì),向現(xiàn)
作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國際會(huì)議“ICSCRM2011”于2011年9月11~16日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國俄亥俄州克利夫蘭舉行。會(huì)上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進(jìn)行了成果發(fā)表。雖
作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國際會(huì)議“ICSCRM2011”于2011年9月11~16日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國俄亥俄州克利夫蘭舉行。會(huì)上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進(jìn)行了成
圖1:使用SiC的Si面時(shí),BJT的電流放大率(點(diǎn)擊放大) 圖2:使用SiC的C面時(shí),BJT的電流放大率(點(diǎn)擊放大) 日本京都大學(xué)副教授須田淳等的研究小組在SiC國際會(huì)議“ICSCRM 2011”上公布了正在研發(fā)的SiC制BJT(bip
SiC晶圓(基板)左右著SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到,很多SiC基板廠商都在手開發(fā)口徑6英寸(150mm)的產(chǎn)品?,F(xiàn)在生產(chǎn)的功率元件SiC基板的最大口徑為4英寸(100mm)。將口徑增大到6英寸,有利于提高S
今年,山東浪潮華光光電子有限公司(簡稱“浪潮華光”)喜訊頻傳:該公司承擔(dān)的國家發(fā)改委信息產(chǎn)業(yè)振興項(xiàng)目半導(dǎo)體照明用外延片、管芯、器件及應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)項(xiàng)目通過國家驗(yàn)收;承擔(dān)的國家863計(jì)劃項(xiàng)目“激光顯示”和山東