Patent Result的分析結(jié)果。(點(diǎn)擊放大) 從事專(zhuān)利分析等業(yè)務(wù)的日本Patent Result,公布了用于制造SiC功率半導(dǎo)體元件的SiC基板相關(guān)專(zhuān)利的調(diào)查結(jié)果。結(jié)果顯示,日本電裝在“綜合實(shí)力排名”中位居首位,第二位是美國(guó)
飛兆半導(dǎo)體公司日前發(fā)布聲明,稱(chēng)已收購(gòu)了碳化硅功率二極管公司TranSiC,但交易金額并沒(méi)有透露。 飛兆半導(dǎo)體董事會(huì)主席、CEO兼總裁Mark Thompson在一份聲明中指出:“碳化硅技術(shù)可以與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的MOS
瑞薩電子計(jì)劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開(kāi)始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外,預(yù)計(jì)還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因
圖:科銳的SiC基板。左為功率元件用4英寸品,右側(cè)為L(zhǎng)ED用6英寸品(點(diǎn)擊放大) “基板開(kāi)發(fā)最前沿”的第二篇介紹SiC基板廠商的舉措。目前使用SiC的功率半導(dǎo)體元件(以下稱(chēng)功率元件)比IGBT等Si制功率元件更有望使逆
1.臺(tái)積電對(duì)1Q11合并營(yíng)收預(yù)估1,050~1,070億元,QoQ-2.8~-4.6%;毛利率47~49%;營(yíng)業(yè)利益率35~37%。IBTSIC預(yù)估臺(tái)積電1Q11營(yíng)收1,063億元,QoQ-3.45%,毛利率48.17%,稅后凈利374.96億元,稅后EPS 1.45元。 2.IBTSIC預(yù)
歐洲阿麗亞娜空間公司6日宣布,該公司將為意大利特萊斯帕齊奧電信公司發(fā)射一顆軍事通信衛(wèi)星。這顆名為Sicral-2的衛(wèi)星重達(dá)4.4噸,由泰雷茲阿萊尼亞宇航公司為意大利國(guó)防部和法國(guó)武器裝備總署設(shè)計(jì)制造。根據(jù)已簽署的協(xié)
在第12屆高交會(huì)電子展上,羅姆(ROHM)展出了通過(guò)自身研發(fā)、收購(gòu)整合等途徑不斷變寬的產(chǎn)品線,及適用于汽車(chē)電子、LED、白色家電、IPC、手機(jī)等領(lǐng)域的系統(tǒng)解決方案。其中ROHM和OKI 半導(dǎo)體共同開(kāi)發(fā)完成的面向Intel Atom
上個(gè)世紀(jì)五十年代創(chuàng)立初期,ROHM(羅姆)生產(chǎn)銷(xiāo)售的產(chǎn)品只有電阻,六十年代末七十年代初,ROHM開(kāi)始進(jìn)入晶體管、二極管和集成電路等半導(dǎo)體領(lǐng)域,并成為了第一家進(jìn)入美國(guó)硅谷的日本企業(yè),在硅谷開(kāi)設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心。而今
全球射頻產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商和晶圓代工服務(wù)的重要供應(yīng)商 TriQuint 半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克:TQNT)今日宣布,TriQuint半導(dǎo)體公司的高級(jí)射頻設(shè)計(jì)工程師 Wen Chen 女士將應(yīng)邀在2010年11月4日在上海舉行的第10屆IEEE國(guó)際固
富士電機(jī)開(kāi)發(fā)完成了用于SiC功率半導(dǎo)體元件(以下:功率元件)的新封裝。據(jù)富士電機(jī)介紹,體積約為原來(lái)Si功率元件封裝的1/4。另外,通過(guò)采用無(wú)需引線鍵合的布線技術(shù)、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹(shù)脂等,實(shí)
美國(guó)LED芯片龍頭Cree發(fā)?了口徑為6英?,約150mm的SiC底板,6英?產(chǎn)品的微管密度不超過(guò)10個(gè)/cm2,主要用于LED、高頻元件及功率半導(dǎo)體元件。 Cree目前SiC底板口徑以4英?為主,6英?底板不但可以提高生產(chǎn)效率,還可削減
Keil C51對(duì)標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展的學(xué)習(xí)
日前,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)(SICAS)2010年第二季度(4~6月)的半導(dǎo)體產(chǎn)能公布。雖然部分半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開(kāi)始了增產(chǎn)投資,但因老生產(chǎn)線廢棄,晶圓處理能力未能大幅提高。在這種情況下,由于晶圓投入量增加,半導(dǎo)體的整體
SICAS(一家國(guó)際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu))統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)中,表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì),另一類(lèi)工藝為雙極工藝,通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外,雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì),而分立器件以6英寸等值硅片
SICAS是一家國(guó)際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)。它統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)中,表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì),另一類(lèi)工藝為雙極工藝,通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外,雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì),而分立器件以6英寸等值
日本的SiC功率半導(dǎo)體元件(以下簡(jiǎn)稱(chēng)功率元件)業(yè)務(wù)開(kāi)始全面啟動(dòng)。集結(jié)產(chǎn)官學(xué)力量,使日本獲得該領(lǐng)域主導(dǎo)權(quán)的舉動(dòng)越來(lái)越活躍。SiC是繼現(xiàn)有硅之后的新一代功率半導(dǎo)體的一種。特點(diǎn)是與硅功率元件相比,可以大幅削減逆變
目前,功率半導(dǎo)體受到越來(lái)越多的關(guān)注。這是因?yàn)樵趯?shí)現(xiàn)CO2減排及環(huán)保對(duì)策時(shí),功率半導(dǎo)體起到的作用極大。比如在日本國(guó)內(nèi),“變頻器家電(空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱)”已變得相當(dāng)普遍。采用變頻器可使電力效率獲得飛躍性提高
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無(wú)需使用隔離
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無(wú)需使用隔離
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降壓電源穩(wěn)壓器,開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)1MHz,全部采用陶瓷電容.連續(xù)輸出電流達(dá)6A,效率大于95%,內(nèi)部軟起動(dòng)和軟關(guān)斷,主要用在筆記本電腦,臺(tái)式電腦和服務(wù)器,數(shù)字HDTV和消費(fèi)類(lèi)電子,網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備,打印