SiC元件普及還需突破三大障礙 SiC元件價格下降的前景雖然看到,但要確保SiC元件普及,還需解決三大課題。即①進一步提高SiC元件的性能;②改善SiC基板的品質(zhì);③開發(fā)可充分發(fā)揮SiC元件優(yōu)點的周邊技術(shù)。 在①的元件
使用國產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
新日本制鐵(新日鐵)著手開展作為新一代功率半導體底板材料的SiC(碳化硅)晶圓業(yè)務(wù)。將從2009年4月1日起通過子公司新日鐵材料開始銷售直徑2~4英寸(50~100mm)的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品,而此次
目前,半導體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展再次激發(fā)了現(xiàn)代技術(shù)的革新。作為第三代寬帶隙半導體材料,SiC 在熱學、電學、抗腐蝕等性能方面優(yōu)越于常用的襯底材料,可廣泛用于制造半導體照明、微電子、電力電子等半導體器件。 根據(jù)權(quán)
率先推出碳化硅(SiC)肖特基二極管的功率半導體供應(yīng)商英飛凌科技股份有限公司近日在應(yīng)用電源電子大會暨展覽會(APEC)上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界
率先推出碳化硅(SiC)肖特基二極管的功率半導體供應(yīng)商英飛凌科技股份有限公司近日在應(yīng)用電源電子大會暨展覽會(APEC)上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界
國際半導體產(chǎn)能統(tǒng)計組織(SICAS)發(fā)布的報告顯示,第三季度半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能利用率繼續(xù)走低。然而,不同類別產(chǎn)品之間的差異之大讓人吃驚。 第三季度產(chǎn)能利用率從第二季度的88.5%降低至86.9%。這是近兩年來的新低,2
C114 9月10日消息(張月紅編譯)據(jù)報道,埃及電信運營商Orascom與奧地利電信公司正在談判合并事宜,奧地利電信控股股東是國企OeIAG公司,但其最大的股東是其政府部門。OeIAG執(zhí)有奧地利電信27.37%的股權(quán),其余的在股票
山東《加快半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》近日出臺?!兑庖姟诽岢?,根據(jù)山東半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和產(chǎn)業(yè)分布,按照有利于發(fā)揮優(yōu)勢,突出特色,產(chǎn)業(yè)合理分工,市場資源合理配置,上、中、下游產(chǎn)業(yè)合理承接,促進產(chǎn)業(yè)聚
全球半導體產(chǎn)能統(tǒng)計協(xié)會(SICAS)日前宣布,2007年第三季度(7月~9月)全球半導體產(chǎn)能(MOS IC和雙極IC的總和)比上年同期增長16.3%,達到210萬2000枚/周(按200mm晶圓的投入量換算)。生產(chǎn)開工率為89.6%,高于上
豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中,談到了對應(yīng)用于車載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中,“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入Si
第二季度全球半導體工廠產(chǎn)能利用率連續(xù)第二個季度上升,因為人們追求更輕、更薄和更小的電子產(chǎn)品,從而刺激了對于采用最先進工藝的存儲芯片及微處理器的需求。 國際半導體產(chǎn)能統(tǒng)計協(xié)會(SICAS)日前表示,第二季度產(chǎn)能
上海集成電路行業(yè)協(xié)會(SICA)副秘書長薛自近日在上海召開的一次會議上透露,由于封裝測試行業(yè)企業(yè)在2006年表現(xiàn)優(yōu)秀,在抵消了晶圓代工行業(yè)的虧損之后,上海集成電路全行業(yè)在去年終于實現(xiàn)全行業(yè)盈利,全行業(yè)銷售總額39