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全球半導(dǎo)體2009 Q4的產(chǎn)能同比減少10.7%
按半導(dǎo)體國(guó)際產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)(SICAS)公布的2009 第四季有關(guān)產(chǎn)能及利用率的最新數(shù)據(jù),摘錄部分?jǐn)?shù)據(jù)并加以說(shuō)明。從SICAS摘下的2009 Q4最新數(shù)據(jù)與2008 Q4比較,有以下諸點(diǎn)加以說(shuō)明;1),總硅片產(chǎn)能09 Q4與08 Q4相比還是減少10,7%2)
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西安明科公司將攜新產(chǎn)品亮相PCIM 2010中國(guó)上海展
作為電力電子行業(yè)在中國(guó)的一大盛會(huì)，PCIM 2010中國(guó)上海展將為業(yè)界及學(xué)術(shù)專家奉上行業(yè)大餐，新產(chǎn)品也將在展會(huì)期間相繼亮相，那就讓我們先一堵為快吧。 作為新起之秀，西安明科微電子材料有限公司與西北工業(yè)大學(xué)合作開
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Sick-Stegmann：風(fēng)力渦輪機(jī)設(shè)計(jì)中的旋轉(zhuǎn)編碼器
編碼器技術(shù)是風(fēng)能獲取的關(guān)鍵旋轉(zhuǎn)編碼器在風(fēng)能產(chǎn)業(yè)中起著非常重要的作用，它提供了使用當(dāng)前渦輪機(jī)中非常動(dòng)態(tài)靈活的控制系統(tǒng)所必不可少的高分辨率反饋。選擇合適的編碼器將能夠極大地增強(qiáng)系統(tǒng)以最佳功率輸出運(yùn)行的能力
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昭和電工量產(chǎn)表面平滑性出色的功率半導(dǎo)體用SiC外延晶圓
昭和電工宣布，成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（EpitaxialWafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產(chǎn)品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)單晶Si
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昭和電工量產(chǎn)表面平滑性出色的功率半導(dǎo)體用SiC外延晶圓
昭和電工宣布，成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（Epitaxial Wafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產(chǎn)品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)
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Lasertec將上市SiC晶圓缺陷檢查裝置
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">Lasertec開始受理SiC晶圓缺陷檢查裝置“WASAVI系列CICA61”的訂單。SiC晶圓正在功率元件領(lǐng)域普及。此次的產(chǎn)品主要用
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環(huán)球電信公司聯(lián)手Sicap公司在菲律賓推出USSD服務(wù)菜單
菲律賓領(lǐng)先電信企業(yè)環(huán)球電信公司（Globe Telecom）和面向移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商提供解決方案的Sicap公司共同宣布，推出動(dòng)態(tài)下拉式菜單內(nèi)容服務(wù)，以便用戶發(fā)現(xiàn)和使用服務(wù)。選擇Sicap公司的USSD菜單瀏覽器（UMB）軟件，意味著環(huán)球
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優(yōu)化上料組合、提高生產(chǎn)率
隨著SIPLACE SiCluster Professional優(yōu)化軟件的面世，西門子電子裝配系統(tǒng)有限公司(SEAS)進(jìn)一步擴(kuò)大了其面向電子制造行業(yè)的智能設(shè)換線方案的產(chǎn)品組合范圍。除了能夠根據(jù)產(chǎn)品的特點(diǎn)進(jìn)行分組生產(chǎn)，SIPLACE SiCluster Pr
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SICAS認(rèn)為全球半導(dǎo)體業(yè)已停止出售工廠
芯片制造產(chǎn)能的下降及隨著需求市場(chǎng)的增長(zhǎng)芯片制造業(yè)開始停止出售工廠。按半導(dǎo)體國(guó)際產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)（SICAS）組織的數(shù)據(jù),在先進(jìn)制程方面的產(chǎn)能利用率已上升到超過(guò)90%。全球fab的產(chǎn)能利用率在2009年第三季度的平均值己從第二
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垂直分層空時(shí)碼系統(tǒng)信號(hào)檢測(cè)算法的研究
主要介紹了基于多輸入多輸出(MIMO)傳輸方式的垂直分層空時(shí)碼系統(tǒng)(V—BLAST)空時(shí)碼系統(tǒng)的檢測(cè)算法，并把它與傳統(tǒng)的MIMO信號(hào)檢測(cè)算法進(jìn)行了分析和比較，仿真得出相關(guān)結(jié)論。
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SiC元件普及還需突破三大障礙
SiC元件普及還需突破三大障礙 SiC元件價(jià)格下降的前景雖然看到，但要確保SiC元件普及，還需解決三大課題。即①進(jìn)一步提高SiC元件的性能；②改善SiC基板的品質(zhì)；③開發(fā)可充分發(fā)揮SiC元件優(yōu)點(diǎn)的周邊技術(shù)。 在①的元件
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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究
使用國(guó)產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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新日鐵開展SiC晶圓業(yè)務(wù)，“質(zhì)量不輸美國(guó)可瑞”
新日本制鐵(新日鐵)著手開展作為新一代功率半導(dǎo)體底板材料的SiC(碳化硅)晶圓業(yè)務(wù)。將從2009年4月1日起通過(guò)子公司新日鐵材料開始銷售直徑2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品，而此次
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天科合達(dá)將高質(zhì)量碳化硅晶圓價(jià)格推向歷史新低
目前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展再次激發(fā)了現(xiàn)代技術(shù)的革新。作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料，SiC 在熱學(xué)、電學(xué)、抗腐蝕等性能方面優(yōu)越于常用的襯底材料，可廣泛用于制造半導(dǎo)體照明、微電子、電力電子等半導(dǎo)體器件。 根據(jù)權(quán)
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第三代碳化硅肖特基二極管（英飛凌）
率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份有限公司近日在應(yīng)用電源電子大會(huì)暨展覽會(huì)（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界
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