晶圓(基板)左右著SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到,很多SiC基板廠(chǎng)商都在手開(kāi)發(fā)口徑6英寸(150mm)的產(chǎn)品?,F(xiàn)在生產(chǎn)的功率元件SiC基板的最大口徑為4英寸(100mm)。將口徑增大到6英寸,有利于提高SiC制功率元
以極具藝術(shù)氣息的沙畫(huà)表演作為開(kāi)場(chǎng)白,達(dá)索析統(tǒng)SolidWorks公司2011年創(chuàng)新日活動(dòng)拉開(kāi)了序幕。在2011年9月20日到10月21日這一個(gè)月的時(shí)間里,中國(guó)的45家SolidWorks經(jīng)銷(xiāo)商,將在55個(gè)不同城市舉辦85場(chǎng)創(chuàng)新日發(fā)布會(huì),向現(xiàn)
作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國(guó)際會(huì)議“ICSCRM2011”于2011年9月11~16日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國(guó)俄亥俄州克利夫蘭舉行。會(huì)上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進(jìn)行了成果發(fā)表。雖
作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國(guó)際會(huì)議“ICSCRM2011”于2011年9月11~16日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國(guó)俄亥俄州克利夫蘭舉行。會(huì)上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進(jìn)行了成
圖1:使用SiC的Si面時(shí),BJT的電流放大率(點(diǎn)擊放大) 圖2:使用SiC的C面時(shí),BJT的電流放大率(點(diǎn)擊放大) 日本京都大學(xué)副教授須田淳等的研究小組在SiC國(guó)際會(huì)議“ICSCRM 2011”上公布了正在研發(fā)的SiC制BJT(bip
SiC晶圓(基板)左右著SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到,很多SiC基板廠(chǎng)商都在手開(kāi)發(fā)口徑6英寸(150mm)的產(chǎn)品?,F(xiàn)在生產(chǎn)的功率元件SiC基板的最大口徑為4英寸(100mm)。將口徑增大到6英寸,有利于提高S
今年,山東浪潮華光光電子有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“浪潮華光”)喜訊頻傳:該公司承擔(dān)的國(guó)家發(fā)改委信息產(chǎn)業(yè)振興項(xiàng)目半導(dǎo)體照明用外延片、管芯、器件及應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)項(xiàng)目通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收;承擔(dān)的國(guó)家863計(jì)劃項(xiàng)目“激光顯示”和山東
目前針對(duì)語(yǔ)音識(shí)別提出了很多算法,但是這些研究基本上都是基于較為純凈的語(yǔ)音環(huán)境,一旦待識(shí)別的環(huán)境中有噪聲和干擾,語(yǔ)音識(shí)別就會(huì)受到嚴(yán)重影響.如果能實(shí)現(xiàn)噪聲和語(yǔ)音的自動(dòng)分離,即在識(shí)別前就獲得較為純凈的語(yǔ)音,可以徹
基于TMS320C6416的語(yǔ)音凈化系統(tǒng)
試制的5英寸SiC基板(點(diǎn)擊放大) 普利司通試制出了SiC功率半導(dǎo)體元件制造(以下稱(chēng)功率元件)用5英寸口徑SiC基板。該公司此前已在投產(chǎn)功率元件用2~4英寸口徑SiC基板。據(jù)稱(chēng)此次試制的5英寸品具有與傳統(tǒng)產(chǎn)品“相同水
臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值成長(zhǎng)率近日再度下修成長(zhǎng)率,預(yù)估今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值跌幅將繼續(xù)擴(kuò)大至-11.3%,其中又以晶圓代工和存儲(chǔ)器的調(diào)降幅度較大。研院IEK系統(tǒng)IC與制程研究部經(jīng)理?xiàng)钊鹋R指出,8月10日發(fā)表的數(shù)字是IEK協(xié)助
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線(xiàn),此為該公司首次在自家工廠(chǎng)設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線(xiàn),未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
開(kāi)發(fā)的水冷式SiC功率模塊的構(gòu)造(點(diǎn)擊放大) 評(píng)測(cè)SiC等大電流功率模塊封裝材料的產(chǎn)學(xué)合作項(xiàng)目“KAMOME-PJ”的最新進(jìn)展,在2011年9月6日于橫濱信息文化中心舉行的YJC(橫濱高度封裝技術(shù)聯(lián)盟)成立5周年紀(jì)念研討會(huì)上
富士電機(jī)于2011年會(huì)計(jì)年度(2010年4月~2011年3月)對(duì)功率半導(dǎo)體的投資額高達(dá)185億日?qǐng)A(約2.4億美元),約占該公司總投資額的一半。士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線(xiàn),此為該公司首次在自家工廠(chǎng)設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線(xiàn),未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。 富
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線(xiàn),此為該公司首次在自家工廠(chǎng)設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線(xiàn),未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
為什么是你?為什么是我? 經(jīng)過(guò)這些年的思想灌輸,大部分求職者都有這樣一個(gè)意識(shí):HR閱讀每封簡(jiǎn)歷的時(shí)間相當(dāng)有限,花15秒進(jìn)行簡(jiǎn)歷的粗略瀏覽,而閱讀感興趣的簡(jiǎn)歷不超過(guò)120秒。那么,在如此短的時(shí)間內(nèi)HR評(píng)判簡(jiǎn)歷&
HR:簡(jiǎn)歷細(xì)節(jié)決定成敗
引言 隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)
BridgELux是一家涉及l(fā)ed的生產(chǎn)和固態(tài)照明科技的研發(fā)領(lǐng)域的公司。根據(jù)美國(guó)證交會(huì)呈報(bào),在第五輪募資中,Bridgelux籌集到6千萬(wàn)美元。迄今為止Bridgelux募資總數(shù)已達(dá)1.8億美元,并且在新的一輪募資中Bridgelux或許還將募