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張忠謀：中國將促全球半導(dǎo)體市場增收300億美元
北京時間6月14日上午消息，據(jù)國外媒體今日報道，臺積電CEO兼董事長張忠謀表示，未來5年內(nèi)，中國對電子產(chǎn)品的需求增長將拉動全球半導(dǎo)體市場增收近300億美元。張忠謀表示，中國的需求未來5年內(nèi)將推動全球半導(dǎo)體行業(yè)保持
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瑞銀：成長動能趨緩半導(dǎo)體業(yè)Q4風(fēng)險加劇
臺積電5月合并營收再創(chuàng)歷史新高，董事長張忠謀指出，下半年半導(dǎo)體業(yè)還是會很好。不過，瑞銀證券于最新出具旗下客戶的報告中指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長動能已趨緩，且?guī)齑骘L(fēng)險仍持續(xù)升高，第四季恐將出現(xiàn)風(fēng)險，現(xiàn)在還不是
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ST與清華大學(xué)建立長期研發(fā)戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
意法半導(dǎo)體與清華大學(xué)深圳研究生院達成建立長期研發(fā)戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。從2002年建立ASIC專用集成電路合作研究中心開始，本戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂代表雙方的合作關(guān)系已進入第二階段。意法半導(dǎo)體將在數(shù)字多媒體芯片和應(yīng)用
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新款高速模擬光耦（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。新的VOM452T和VOM453T的波特率為1MBd，采用厚度為2.0mm的低外形封裝，其封裝較DIP-8 SMD封裝可節(jié)約75%的P
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歐洲最大RFID技術(shù)產(chǎn)品制造商落戶無錫
西班牙普萊默集團日前就傳感技術(shù)研發(fā)中心及傳感技術(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)基地的設(shè)立，和無錫新區(qū)簽約。據(jù)介紹，項目建成后瞄準(zhǔn)無錫地區(qū)規(guī)模最大的傳感技術(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)基地這一目標(biāo)。普萊默集團是一家擁有50多年歷史的跨國企業(yè)，總部
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無錫新區(qū)傳感器產(chǎn)業(yè)基地初露崢嶸
新區(qū)正全力打造一個讓物聯(lián)網(wǎng)更“耳聰目明”的新產(chǎn)業(yè)——傳感器產(chǎn)業(yè)。截至6月14日，已有50余家國際知名傳感器企業(yè)在新區(qū)落戶，并形成了2億只的年生產(chǎn)規(guī)模，新區(qū)也由此成為國內(nèi)重要的傳感器生產(chǎn)基
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日本研發(fā)出人機交互技術(shù) 肢體動作可控制家電
瑞薩電子株式會社與Morpho公司日前共同開發(fā)出可通過揮手、轉(zhuǎn)動等直觀的手勢動作控制電視等家電設(shè)備的人機交互技術(shù)。據(jù)介紹，為實現(xiàn)肢體動作 控制電器的功能需要拍攝操作者的影像，并實時進行復(fù)雜的圖像處理，例如：識
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京元電產(chǎn)能利用率處高檔 第3季有機會逐月往上
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)一片旺季的榮景，IC測試廠京元電子目前LCD驅(qū)動IC和邏輯IC測試產(chǎn)能利用率維持高檔水平，預(yù)期第3 季營運有機會逐月攀高，單月營收可望具有挑戰(zhàn)歷史新高的實力。惟因新產(chǎn)能的機臺交期遞延，加上基期墊高，
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GCL硅晶圓JIT策略啟動 尚德、天和、旺能吳江廠為首選
保利協(xié)鑫(GCL)旗 下太陽能多晶硅廠徐州中能投入太陽能硅晶圓領(lǐng)域后，開始在合作的太陽能電池廠旁建立切晶廠，為電池廠爭取運送時間及減少庫存成本，成 為大陸太陽能市場首創(chuàng)的實時生產(chǎn)(Just In Time；JIT)以提升競爭
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硅格調(diào)幅80%，第5家調(diào)高資本支出IC封測廠
IC封測廠硅格（6257）日前股東會順利通過配發(fā)1.2元現(xiàn)金股利，該公司董事長黃興陽并在股東會上宣布調(diào)高今年度資本支出，他表示，由于公司現(xiàn)有廠房及設(shè)備均已不敷需求，因此今年度的資本支出也將從原先的規(guī)畫16.4億元提
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并全智科﹖日月光：子虛烏有
法人圈昨（17）日盛傳封測大廠日月光（2311）將以換股方式，合并功率放大器（PA）測試廠全智科（3559），收購價格約落在28元至30元，全智科昨日股價開盤不久就放量攻上漲停。 不過，日月光財務(wù)長董宏思已否認有此
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IDT關(guān)廠 下單臺積
混合信號芯片大廠美商艾迪特科技（IDT）去年與晶圓代工龍頭臺積電（2330）簽訂代工合約后，IDT已于2月完成對臺積電制程認證，5月起正式下單，制程大于0.35微米產(chǎn)品下單臺積電Fab3，小于0.35微米產(chǎn)品則下單臺積電Fab8
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思源Laker系統(tǒng)獲TSMC 28nm參考流程認證
思源科技(SpringSoft)宣布，Laker系統(tǒng)獲得臺積電(TSMC)開發(fā)的28nm模擬與混合訊號(AMS)參考流程1.0認證通過。將 Laker 系統(tǒng)整合在 TSMC 參考流程，產(chǎn)生具 LDE (layout dependent effect)認知功能的設(shè)計實現(xiàn)方法，可
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臺積電新推標(biāo)準(zhǔn)組件數(shù)據(jù)庫 邏輯區(qū)塊面積減15%
臺積電(TSMC)新推出縮減尺寸的標(biāo)準(zhǔn)組件數(shù)據(jù)庫，與目前的標(biāo)準(zhǔn)組件數(shù)據(jù)庫相較，能有效減少系統(tǒng)單芯片邏輯區(qū)塊15%的面積。該組件數(shù)據(jù)庫適用臺積電 65奈米低耗電制程與現(xiàn)有的設(shè)計流程，芯片設(shè)計者可采用此新推出的縮減
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如何計算接地環(huán)路電感和算出阻尼雙極點的上升時間
在圖3.4中，接地環(huán)路的尺寸是1IN*3IN。這類探頭的接地導(dǎo)線典型的尺寸是美國線規(guī)（AWG）24，線徑為0.02IN。采用附錄C的電感計算公式，對于矩形回路，得到的電感應(yīng)該是：該電路的LC時間常數(shù)為：對于這類臨界阻尼雙極點
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