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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布連手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3DIC時(shí)代來臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會(huì)對(duì)外宣布共同開發(fā)硅穿孔(TSV)3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏

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2010-06-21

聯(lián)電爾必達(dá) IC 內(nèi)存
力晶首季銷售激增逾8成躍居全球第5大DRAM供應(yīng)商

研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，力晶2010年首季銷售季成長81%，已躍居全球第5大DRAM供應(yīng)廠。全球DRAM產(chǎn)業(yè)首季營收比前1季成長8.8%，根據(jù)iSuppli的資料，前5大DRAM廠約占全球整體DRAM產(chǎn)業(yè)營收的91%，前2大廠三星電子(SamsungEl

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2010-06-21

DRAM 三星電子海力士 ISUPPLI
海力士：無錫封測廠可月產(chǎn)1億顆1GB DRAM

全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布，該公司已與大陸廠商無錫太極實(shí)業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無錫市建成第二座內(nèi)存廠房，名稱為「高科技半導(dǎo)體封裝測試公司(HitechSemiconductorPackage

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2010-06-21

DRAM 海力士 NI GB
Cadence擴(kuò)大與臺(tái)積電合作　推進(jìn)28奈米

益華(Cadence)拓展與臺(tái)積電合作范圍，宣布支持臺(tái)積電模擬／混合訊號(hào)(Analog/Mixed-Signal)設(shè)計(jì)參考流程1.0版，以實(shí)現(xiàn)28奈米制程技術(shù)。另一方面，TLM(Transaction-Level Modeling)導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、3D IC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以及整

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2010-06-21

模擬臺(tái)積電 SIP CADENCE
茂德63奈米試產(chǎn)成功　將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴

茂德宣布成功在中科12吋晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63奈米1Gb容量DDR3產(chǎn)品，預(yù)計(jì)8月開始會(huì)大量導(dǎo)入63奈米制程，年底前拉至3.5萬片水平，同時(shí)預(yù)計(jì)在2011年下半導(dǎo)入45奈米制程，屆時(shí)考慮將12吋晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬片

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2010-06-21

晶圓廠 PC MOBILE 爾必達(dá)
臺(tái)積電采用TLM導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、3D IC設(shè)計(jì)與完善整合DFM功能

益華計(jì)算機(jī)(Cadence)宣布，TLM (transaction-level modeling)導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、3D IC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以及整合DFM等先進(jìn)CadenceR設(shè)計(jì)技術(shù)與流程，已經(jīng)融入臺(tái)積電設(shè)計(jì)參考流程11.0版中。 Cadence的技術(shù)有助于28奈米TLM到GD

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2010-06-21

臺(tái)積電 IC設(shè)計(jì) DFM LM
熱點(diǎn)遭冷遇？本土IC企業(yè)如何挑戰(zhàn)高門檻市場

“健康”、“環(huán)保”是近年全球媒體報(bào)道中最熱門的關(guān)鍵詞之一，而這些熱點(diǎn)概念背后是巨大的產(chǎn)業(yè)商機(jī)，具體到電子行業(yè)而言包括家用及便攜醫(yī)療電子設(shè)備、低功耗節(jié)能技術(shù)，如智能電表等等。在首屆深

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2010-06-21

高精度 SoC ADC IC
智能電網(wǎng)發(fā)展需要支撐八成業(yè)務(wù)涉物聯(lián)網(wǎng)

國家電網(wǎng)信息通信有限公司副總工程師李祥珍日前透露，國家電網(wǎng)在2020前將投資4萬億元用于智能電網(wǎng)的建設(shè)。在國家電網(wǎng)看來，要建設(shè)以特高壓電網(wǎng)為骨干網(wǎng)架、各級(jí)電網(wǎng)協(xié)調(diào)發(fā)展的中國特色堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)，其中物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用

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2010-06-21

物聯(lián)網(wǎng) 智能電網(wǎng) 傳感器網(wǎng)絡(luò) 國家電網(wǎng)
美華裔科學(xué)家因電子芯片榮膺杰出創(chuàng)新家

麻省理工學(xué)院(MIT)權(quán)威雜志“科技評(píng)論”(Technology Review)選出華裔科學(xué)家傅佳偉(Kevin Fu)，為2009年度杰出創(chuàng)新家(2009 Innovator of the Year)。因?yàn)樗l(fā)展出的科技可望對(duì)人類的未來造成重大影響。傅佳

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2010-06-21

電子芯片無線電頻率 EV CD
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對(duì)銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對(duì)3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作

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2010-06-21

DRAM 3D芯片聯(lián)電爾必達(dá)
硅品吃超威CPU封測大單

封測大廠硅品精密（2325）拿下超威（AMD）中央處理器（CPU）封測大單！超威5月中旬已對(duì)ODM/OEM廠及合作伙伴發(fā)出產(chǎn)品變更通知（PCN），將釋出8款處理器委由硅品代工覆晶封測，主要集中在Athlon II X2及Sempron等兩款處

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2010-06-21

CPU AMD PC SE
新聞分析－IDM廠釋單不再是口號(hào)

封測廠等了多年的IDM廠委外釋單，終于見到明顯增加，而會(huì)讓IDM廠如此「阿沙力」把訂單大量丟出來的主要原因，卻是2008年底至2009年初的全球金融海嘯。如今，英特爾大量釋出南橋及網(wǎng)絡(luò)芯片委外，英飛凌、德儀等大廠也

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2010-06-21

CPU 晶圓封裝 DM
臺(tái)積電杜東佑：專利是可營運(yùn)資產(chǎn)

臺(tái)積電法務(wù)長杜東佑（Richard Thuseton）今年再度獲得臺(tái)灣區(qū)最佳年度企業(yè)法務(wù)大獎(jiǎng)（IP Counsel of the Year Award），而臺(tái)積電與中芯國際間的專利侵權(quán)官司以和解收?qǐng)觯C實(shí)了杜東佑帶領(lǐng)的臺(tái)積電法務(wù)團(tuán)隊(duì)，的確是實(shí)

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2010-06-21

晶圓代工臺(tái)積電 IP SE
22nm以后的有力候選：FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通道中添加雜質(zhì)，易于控制特性的不均現(xiàn)象

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2010-06-21

元件 RF SRAM FINFET
IBM采用直徑3nm FET25級(jí)環(huán)形振蕩器動(dòng)作，瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

美國IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會(huì)議“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確認(rèn)

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2010-06-21

IBM 環(huán)形振蕩器柵極 FET

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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布連手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

力晶首季銷售激增逾8成躍居全球第5大DRAM供應(yīng)商

海力士：無錫封測廠可月產(chǎn)1億顆1GB DRAM

Cadence擴(kuò)大與臺(tái)積電合作　推進(jìn)28奈米

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熱點(diǎn)遭冷遇？本土IC企業(yè)如何挑戰(zhàn)高門檻市場

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