隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn),3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù),在3DIC時(shí)代來臨下,半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日,一起召開記者會(huì)對(duì)外宣布共同開發(fā)硅穿孔(TSV)3D IC制程。據(jù)了解,由聯(lián)電以邏
研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示,力晶2010年首季銷售季成長81%,已躍居全球第5大DRAM供應(yīng)廠。全球DRAM產(chǎn)業(yè)首季營收比前1季成長8.8%,根據(jù)iSuppli的資料,前5大DRAM廠約占全球整體DRAM產(chǎn)業(yè)營收的91%,前2大廠三星電子(SamsungEl
全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布,該公司已與大陸廠商無錫太極實(shí)業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無錫市建成第二座內(nèi)存廠房,名稱為「高科技半導(dǎo)體封裝測試公司(HitechSemiconductorPackage
益華(Cadence)拓展與臺(tái)積電合作范圍,宣布支持臺(tái)積電模擬/混合訊號(hào)(Analog/Mixed-Signal)設(shè)計(jì)參考流程1.0版,以實(shí)現(xiàn)28奈米制程技術(shù)。另一方面,TLM(Transaction-Level Modeling)導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、3D IC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以及整
茂德宣布成功在中科12吋晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63奈米1Gb容量DDR3產(chǎn)品,預(yù)計(jì)8月開始會(huì)大量導(dǎo)入63奈米制程,年底前拉至3.5萬片水平,同時(shí)預(yù)計(jì)在2011年下半導(dǎo)入45奈米制程,屆時(shí)考慮將12吋晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬片
益華計(jì)算機(jī)(Cadence)宣布,TLM (transaction-level modeling)導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、3D IC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以及整合DFM等先進(jìn)CadenceR設(shè)計(jì)技術(shù)與流程,已經(jīng)融入臺(tái)積電設(shè)計(jì)參考流程11.0版中。 Cadence的技術(shù)有助于28奈米TLM到GD
“健康”、“環(huán)保”是近年全球媒體報(bào)道中最熱門的關(guān)鍵詞之一,而這些熱點(diǎn)概念背后是巨大的產(chǎn)業(yè)商機(jī),具體到電子行業(yè)而言包括家用及便攜醫(yī)療電子設(shè)備、低功耗節(jié)能技術(shù),如智能電表等等。在首屆深
國家電網(wǎng)信息通信有限公司副總工程師李祥珍日前透露,國家電網(wǎng)在2020前將投資4萬億元用于智能電網(wǎng)的建設(shè)。在國家電網(wǎng)看來,要建設(shè)以特高壓電網(wǎng)為骨干網(wǎng)架、各級(jí)電網(wǎng)協(xié)調(diào)發(fā)展的中國特色堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng),其中物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用
麻省理工學(xué)院(MIT)權(quán)威雜志“科技評(píng)論”(Technology Review)選出華裔科學(xué)家傅佳偉(Kevin Fu),為2009年度杰出創(chuàng)新家(2009 Innovator of the Year)。因?yàn)樗l(fā)展出的科技可望對(duì)人類的未來造成重大影響。傅佳
聯(lián)電(2303)、爾必達(dá)(Elpida)、力成(6239)等3家半導(dǎo)體大廠今(21)日將宣布策略合作,據(jù)了解,3家業(yè)者將針對(duì)銅制程直通硅晶穿孔(Cu-TSV)3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā),除了針對(duì)3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作
封測大廠硅品精密(2325)拿下超威(AMD)中央處理器(CPU)封測大單!超威5月中旬已對(duì)ODM/OEM廠及合作伙伴發(fā)出產(chǎn)品變更通知(PCN),將釋出8款處理器委由硅品代工覆晶封測,主要集中在Athlon II X2及Sempron等兩款處
封測廠等了多年的IDM廠委外釋單,終于見到明顯增加,而會(huì)讓IDM廠如此「阿沙力」把訂單大量丟出來的主要原因,卻是2008年底至2009年初的全球金融海嘯。如今,英特爾大量釋出南橋及網(wǎng)絡(luò)芯片委外,英飛凌、德儀等大廠也
臺(tái)積電法務(wù)長杜東佑(Richard Thuseton)今年再度獲得臺(tái)灣區(qū)最佳年度企業(yè)法務(wù)大獎(jiǎng)(IP Counsel of the Year Award),而臺(tái)積電與中芯國際間的專利侵權(quán)官司以和解收?qǐng)觯C實(shí)了杜東佑帶領(lǐng)的臺(tái)積電法務(wù)團(tuán)隊(duì),的確是實(shí)
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通道中添加雜質(zhì),易于控制特性的不均現(xiàn)象
美國IBM T.J.華生研究中心(IBM T.J. Watson Research Center)在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會(huì)議“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布,試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器,并實(shí)際確認(rèn)