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物聯(lián)網(wǎng)空前火熱 RFID及傳感器技術將決定市場成敗
物聯(lián)網(wǎng)概念是泡沫還是機遇一夜之間，“物聯(lián)網(wǎng)”概念成為了股市最為熱門的話題，而“物聯(lián)網(wǎng)”概念個股本周以來搶眼的表現(xiàn)也吸引了市場人士的高度關注，以遠望谷為代表的板塊龍頭本周的漲幅更是高
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李毅中稱中國電子信息產(chǎn)業(yè)全球規(guī)模第二
在近日出席一次會議時，工信部部長李毅中表示，我國電子信息產(chǎn)業(yè)總規(guī)模僅次于美國，居世界第二位，下一步將把信息通信領域作為六大要培育的新興支柱產(chǎn)業(yè)?！ ±钜阒惺窃诔鱿袊こ淘骸拔磥?0年的工程科技與經(jīng)濟社
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新技術導入 封測角色更吃重
趁著DRAM價格直線飆漲之際，全球DRAM廠已展開50奈米微縮大作戰(zhàn)，新制程與過去相較最大的不同，就是DRAM將首度導入浸潤式微影（immersion lithography）及銅制程導線（copper interconnect）等兩大新技術。 由于技
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聯(lián)電新加坡廠擴產(chǎn)，積極布建45/40納米制程
相關文章最高可達20層的PCB為更小巧便攜設計錦上添花再生能源與節(jié)能技術潛力可期，聯(lián)電成立投資子公司簡化客制IC設計，思源科技與聯(lián)電推出65納米套件臺積電與聯(lián)電欲削減成本 強制員工休無薪假臺灣晶圓代工雙雄2月財報
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晶圓代工砸銀彈 聯(lián)電2010年資本支出倍增
因應景氣翻揚，晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電紛紛備妥銀彈展開資本支出競賽，其中45/40納米產(chǎn)能擴充將是2009~2010年重點，而臺積電則于40納米制程世代起一并提供客戶全套式的前、后段制程代工服務，加上太陽能產(chǎn)廠將動工，
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計量模擬前端器件（Microchip）
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出面向計量應用的新一代模擬前端器件（AFE）。MCP3901 AFE具有高達91dB信噪比和失真（SINAD）的雙16位/24位高精度Δ-Σ模數(shù)轉換器（ADC），內部集成了可編程增益
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地下水動態(tài)水位信號采集系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)
針對地下水位監(jiān)測系統(tǒng)的下位機架設成本和低功耗要求，設計了一種低功耗地下水位采集終端，采用了GSM/GPRS網(wǎng)絡的SMS短消息服務作為與上位機系統(tǒng)的接口，解決了遠程監(jiān)測的數(shù)據(jù)通信的問題。實驗結果表明，測量的結果的絕對誤差小于0.16%，4節(jié)堿性電池可以維持一年以上的正常工作。
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全球第四家量產(chǎn)LED照明芯片落戶廣東
旨在打破國外技術壟斷的我國首家、全球第四家量產(chǎn)型ＬＥＤ照明芯片核心設備制造項目，1月19日落戶廣東佛山市南海區(qū)。這意味著制約我國ＬＥＤ照明產(chǎn)業(yè)瓶頸的核心裝備可望實現(xiàn)國產(chǎn)化。 ＬＥＤ產(chǎn)品由于節(jié)能環(huán)保而應用越
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智能型漏電繼電器的設計
設計了基于PIC18F6585單片機的智能型漏電繼電器；闡述了智能型漏電繼電器的硬件結構和工作原理，同時對軟件設計流程進行了詳細的分析和描述。該繼電器可靠性高，具有自診斷、數(shù)據(jù)通信、故障報警等多種功能。
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Nvidia官司纏身 暫停為英特爾開發(fā)芯片組
Nvidia日前宣布，暫時停止為英特爾新處理器開發(fā)芯片組，直至雙方之間的授權糾紛得以解決。 Nvidia在一份聲明中稱：“英特爾面向消費者和市場錯誤地聲稱我們并未獲得新的DMI總線授權，使我們無法繼續(xù)為英特爾未來的處
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NAND Flash缺翻天 三星推品牌記憶卡與民爭食？
2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來搶食客戶飯碗，到底葫蘆里是賣什么藥？業(yè)界相
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R TOS動態(tài)分區(qū)內存管理機制的優(yōu)化設計
分區(qū)存儲管理是滿足多道程序設計的最簡單的存儲管理方法。本文首先分析了嵌入式RTOS中動態(tài)分區(qū)內存管理機制的實現(xiàn)方法，并在此基礎上結合動態(tài)分區(qū)機制提出了一種小塊內存動態(tài)緩存分配機制，有效地彌補了動態(tài)分區(qū)內存管理的不足之處，減少了內存中外部碎片的數(shù)量并提高了內存的利用率及分配的實時性，對嵌入式RTOS內核的設計有一定指導意義。
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采用射頻功率MOSFET設計功率放大器
1. 引言 本文設計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內部結構和封裝形式上都進行了優(yōu)化設計，使之更適用于射頻功率放大器
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新型視頻“幀捕獲器”參考設計（科勝訊）
科勝訊系統(tǒng)公司推出新型視頻“幀捕獲器”參考設計，幫助用戶通過一個集成的通用串行總線接口（USB）捕捉和傳送來自攝像機和 VCR的采用舊技術的模擬視頻文件到個人電腦。這將有助于用戶在因特網(wǎng)上更輕松地數(shù)字化、編輯
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業(yè)內最小的快速采樣/保持IC（Maxim）
Maxim推出采用2mm x 2mm µDFN封裝的快速采樣/保持電路DS1843。該器件可以通過其差分輸入在低于300ns時間內采集信號，并在輸出端保持長達100µs。低輸入失調電壓(約5mV)保證了精確的測量。DS1843包含差分、
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