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力旺Neobit技術(shù)入駐車(chē)規(guī)IC制程平臺(tái)

力旺電子宣布，其N(xiāo)eobit技術(shù)已率先導(dǎo)入于0.25微米車(chē)規(guī)IC制程平臺(tái)，并已于2010年Q2完成可靠度驗(yàn)證，成功自工規(guī)領(lǐng)域邁進(jìn)車(chē)規(guī)市場(chǎng)，未來(lái)更將強(qiáng)化與晶圓代工伙伴間之策略聯(lián)盟，持續(xù)開(kāi)發(fā)先進(jìn)高階制程之OTP技術(shù)，期能針對(duì)規(guī)

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2010-08-02

NEO IC 內(nèi)存嵌入式
力成產(chǎn)能吃緊法人買(mǎi)盤(pán)回籠

內(nèi)存封測(cè)廠力成科技（6239）第2季合并營(yíng)收達(dá)92.87億元，稅后凈利達(dá)19.86億元，每股凈利達(dá)2.82元，成為封測(cè)廠中最賺錢(qián)的業(yè)者，累計(jì)上半年?duì)I收達(dá)179.36億元，稅后凈利達(dá)37.59億元，每股凈利達(dá)5.34元，已賺進(jìn)一半股本。

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2010-08-01

聯(lián)電芯片封裝封裝技術(shù) 內(nèi)存
電壓開(kāi)關(guān)中的常見(jiàn)挑戰(zhàn)

設(shè)計(jì)自動(dòng)化的測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)關(guān)需要搞清楚要開(kāi)關(guān)信號(hào)和要執(zhí)行測(cè)試的特點(diǎn)。例如，在測(cè)試應(yīng)用中承受開(kāi)關(guān)電壓信號(hào)的最合適的開(kāi)關(guān)卡和技術(shù)取決于其涉及電壓的幅值和阻抗。中等大小電壓的開(kāi)關(guān)中等大小電壓應(yīng)用（1V到200V）通常

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2010-08-01

開(kāi)關(guān) 電壓串聯(lián) 電壓源
銅制程領(lǐng)先日月光Q2財(cái)報(bào)超預(yù)期

封測(cè)龍頭廠日月光（2311）昨日舉行法說(shuō)會(huì)公布第二季財(cái)報(bào)，受惠于合并環(huán)電效應(yīng)顯現(xiàn)以及銅線制程等新封裝技術(shù)的發(fā)揮，營(yíng)收與獲利表現(xiàn)均超乎預(yù)期，合并后單季稅后凈利達(dá)46.13億元，季增36％，EPS為0.76元。日月光財(cái)務(wù)長(zhǎng)

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2010-07-31

通訊封裝技術(shù) EPS
董宏思：日月光Q3營(yíng)收可望季增7%，毛利持平

日月光(2311)今天舉行法說(shuō)會(huì)，上半年?duì)I收839.71億元，每股盈余1.34元，財(cái)務(wù)長(zhǎng)董宏思表示，第三季IC封測(cè)出貨季增不低于5%，環(huán)電第三季出貨則季增15-20%，整體第三季營(yíng)收季增7%。董宏思指出，今年資本支出上調(diào)到7億

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2010-07-30

封裝 IC
臺(tái)積電H2樂(lè)觀，惟巨額資本支出令部分法人縮手

臺(tái)積電(2330)董事長(zhǎng)張忠謀持續(xù)樂(lè)觀看待今年下半年景氣，但今日股價(jià)開(kāi)低走低，推估是部分外資法人擔(dān)憂臺(tái)積公司今年資本支出金額大幅調(diào)升逾二成，恐使得明年產(chǎn)能有過(guò)剩的疑慮，且折舊金額增加令營(yíng)利率不易再?zèng)_高。

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2010-07-30

芯片太陽(yáng)能臺(tái)積電 EPS
日月光上半年獲利贏過(guò)硅品

全球第一大半導(dǎo)體封測(cè)廠日月光今天公布上半年財(cái)報(bào)，每股盈余新臺(tái)幣1.34元，高于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手硅品的0.97元；兩大封測(cè)廠互相在銅制程上較勁，日月光資本支出也加碼到200億元以上。日月光今天召開(kāi)法人說(shuō)明會(huì)，公布第 2季

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2010-07-30

半導(dǎo)體封裝制程技術(shù)
力成蔡篤恭：未來(lái)幾年封裝將有革命性改變

內(nèi)存封測(cè)大廠力成(6239)昨日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，將今年資本支出從新臺(tái)幣90億元提高至120億元，除了擴(kuò)廠增加產(chǎn)能外，未來(lái)幾年封裝將會(huì)有革命性改變，力成正準(zhǔn)備因應(yīng)，明年蓋廠，后年投產(chǎn)。蔡篤恭表示，

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2010-07-30

DRAM 封裝 LAB 內(nèi)存
轉(zhuǎn)銅制程難度高硅品H2毛利遇壓引爆賣(mài)壓股價(jià)創(chuàng)16個(gè)月新低

封測(cè)大廠硅品(2325-TW)法說(shuō)會(huì)召開(kāi)后，雖然董事長(zhǎng)林文伯認(rèn)為下半年半導(dǎo)體景氣溫和成長(zhǎng)，不過(guò)外資與市場(chǎng)顯然不看好其銅制程轉(zhuǎn)換的進(jìn)度與轉(zhuǎn)換良率，預(yù)期下半年與日月光(2311-TW)的毛利率差距恐持續(xù)加劇，引爆賣(mài)壓全數(shù)

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2010-07-30

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
法人：聯(lián)電Q3營(yíng)收季增逾5％，將宣布調(diào)升今年資本支出

聯(lián)電(2303)將于下周三接棒召開(kāi)法說(shuō)，法人預(yù)期第二季聯(lián)電獲利季增逾四成，第三季營(yíng)收季增逾5%，第四季并不會(huì)明顯轉(zhuǎn)淡，并預(yù)期聯(lián)電也會(huì)跟進(jìn)臺(tái)積電宣布上調(diào)今年資本支出金額。聯(lián)電第二季營(yíng)收小幅優(yōu)于預(yù)期，法人估

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2010-07-30

聯(lián)電臺(tái)積電
半導(dǎo)體封裝技術(shù)廠Tessera上季財(cái)報(bào)優(yōu) 本季則遜色

半導(dǎo)體封裝技術(shù)廠商Tessera Technologies Inc. 29日在美國(guó)股市收盤(pán)后發(fā)布2010年Q2財(cái)報(bào)新聞稿：營(yíng)收7,460萬(wàn)美元，創(chuàng)下歷史新高；本業(yè)稀釋每股盈余(EPS)達(dá)0.45美元，高于去年同期的0.37美元。根據(jù)Thomson Reuters統(tǒng)計(jì)

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2010-07-30

封裝技術(shù) 半導(dǎo)體封裝 TE SE
日月光Q2 EPS 0.76元銅打線營(yíng)收比重Q3續(xù)揚(yáng)至15%

日月光(2311-TW)今(30)日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)并公布第 2 季財(cái)報(bào)，凈利達(dá)46.1億元，每股稅后盈余達(dá)0.76元，創(chuàng)歷史次高，表現(xiàn)優(yōu)于原來(lái)預(yù)期，而外界最關(guān)注的銅制程營(yíng)收發(fā)展?fàn)顩r，財(cái)務(wù)長(zhǎng)董宏思指出，第 2 季已攀升至7200萬(wàn)美元，

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2010-07-30

EPS
日月光半導(dǎo)體第二季度凈利潤(rùn)增長(zhǎng)近兩倍，至新臺(tái)幣46.1億元

日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司(Advanced Semiconductor Engineering Inc., 2311.TW)周五表示，第二季度凈利潤(rùn)較上年同期增長(zhǎng)近兩倍。該公司稱(chēng)，截至6月30日的三個(gè)月實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)新臺(tái)幣46.1億元，合每股收益新臺(tái)幣0

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2010-07-30

半導(dǎo)體 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING
華為研發(fā)終端芯片破壟斷搶占主流市場(chǎng)考驗(yàn)創(chuàng)新

最新消息稱(chēng)，近日，華為旗下的海思半導(dǎo)體公司W(wǎng)CDMA手機(jī)芯片研發(fā)取得突破，預(yù)計(jì)年內(nèi)可以出貨。一位海思半導(dǎo)體內(nèi)部人士表示，“海思的WCDMA手機(jī)芯片出來(lái)后，將首先供應(yīng)華為的部分WCDMA機(jī)型?！边@意味著，華為將不再完全

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2010-07-30

華為 WCDMA 芯片終端
東芝扭虧為盈,日本芯片制造商業(yè)績(jī)紛紛改善

*東芝4-6月?tīng)I(yíng)業(yè)利潤(rùn)295億日?qǐng)A,好于預(yù)估*東芝維持全球獲利目標(biāo)2,500億日?qǐng)A不變,低于分析師預(yù)期的2,560億日?qǐng)A*爾必達(dá)未公布財(cái)測(cè),富士通維持2010/11年獲利預(yù)估路透東京7月29日電---日本芯片制造商?hào)|芝(6502.T:行情)、瑞

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2010-07-30

東芝爾必達(dá) 芯片制造商扭虧為盈

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力旺Neobit技術(shù)入駐車(chē)規(guī)IC制程平臺(tái)

力成產(chǎn)能吃緊法人買(mǎi)盤(pán)回籠

電壓開(kāi)關(guān)中的常見(jiàn)挑戰(zhàn)

銅制程領(lǐng)先日月光Q2財(cái)報(bào)超預(yù)期

董宏思：日月光Q3營(yíng)收可望季增7%，毛利持平

臺(tái)積電H2樂(lè)觀，惟巨額資本支出令部分法人縮手

日月光上半年獲利贏過(guò)硅品

力成蔡篤恭：未來(lái)幾年封裝將有革命性改變

轉(zhuǎn)銅制程難度高硅品H2毛利遇壓引爆賣(mài)壓股價(jià)創(chuàng)16個(gè)月新低

法人：聯(lián)電Q3營(yíng)收季增逾5％，將宣布調(diào)升今年資本支出

半導(dǎo)體封裝技術(shù)廠Tessera上季財(cái)報(bào)優(yōu) 本季則遜色

日月光Q2 EPS 0.76元銅打線營(yíng)收比重Q3續(xù)揚(yáng)至15%

日月光半導(dǎo)體第二季度凈利潤(rùn)增長(zhǎng)近兩倍，至新臺(tái)幣46.1億元

華為研發(fā)終端芯片破壟斷搶占主流市場(chǎng)考驗(yàn)創(chuàng)新

東芝扭虧為盈,日本芯片制造商業(yè)績(jī)紛紛改善

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