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先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4 全球DRAM市場趨向供過于求

DigitimesResearch分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉

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2010-07-28

DRAM 先進(jìn)制程 DDR3 DIGI
AMD年內(nèi)推出首款Fusion芯片用于上網(wǎng)本

AMD已經(jīng)證實(shí)它計(jì)劃在2010年年底之前推出其第一款Fusion處理器。但是，這種處理器現(xiàn)在將是用于超薄便攜式設(shè)備和臺式電腦的，而不是Llano高性能芯片，主要原因是生產(chǎn)這種芯片的32納米工藝存在一些問題。AMD在今年6月在

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2010-07-28

芯片 AMD GPU FUSION
DDS信號源在掃頻測試中的應(yīng)用

電子設(shè)計(jì)中經(jīng)常碰到的問題是對待測電路(DUT)傳輸特性的測試，這里所說的傳輸特性包括增益和衰減、幅頻特性、相位特性和時延特性等，而最常見的就是DUT的幅頻特性。最初，對于DUT的幅頻特性的測試是在固定頻率點(diǎn)上逐點(diǎn)

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2010-07-28

觸發(fā) 頻帶線性 DDS信號源
第3季雜音多封測廠營收成長力道弱

時序進(jìn)入第3季，市場雜音似乎愈來愈多，包括面板產(chǎn)業(yè)需求不如預(yù)期，奇美電下修出貨目標(biāo)，聯(lián)發(fā)科也因調(diào)整庫存，營收持續(xù)走軟，讓封測廠第3季看法趨于謹(jǐn)慎保守。其中與聯(lián)發(fā)科連動高的硅品、京元電和硅格等多少受到第1大

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2010-07-28

CPU 聯(lián)發(fā)科 AMD IC測試
臺積電力推OIP完整伙伴體系助客戶推進(jìn)2x奈米

晶圓代工制程推進(jìn)至2x奈米以下先進(jìn)技術(shù)，不論在設(shè)計(jì)或制程上皆面臨更嚴(yán)峻的考驗(yàn)，晶圓代工廠亦積極為客戶打造設(shè)計(jì)環(huán)境，IBM陣營近年來力推共通平臺(Common Platform)，臺積電則推出開放創(chuàng)新平臺(OIP)，臺積電設(shè)計(jì)暨技

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2010-07-28

IBM 電力臺積電 IP
京元電發(fā)可轉(zhuǎn)債上限4,000萬美元

京元電（2449）董事會昨（27）日決議發(fā)行第三次5年期海外可轉(zhuǎn)換公司債，發(fā)行總額以不超過4,000萬美元為限。京元電主管表示，這次發(fā)行4,000萬美元的可轉(zhuǎn)換公司債，主要是償還銀行借款，借新還舊。

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2010-07-28
Henkel公司推出Hysol FP5201非導(dǎo)電性絕緣膠開啟銅互聯(lián)新技術(shù)

對傳統(tǒng)的金 — 金倒裝芯片工藝而言， Henkel公司的非導(dǎo)電性絕緣膠 (NCP) 解決方案長期以來一直占據(jù)著市場主流。目前，該公司再次推出其最新研發(fā)的新一代高I/O微間距NCP技術(shù) — 其中也包括新銅柱(Cu Pillar)互聯(lián)在內(nèi)。

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2010-07-28

微米絕緣 I/O NCP
ATE市場復(fù)蘇 Verigy布局高端存儲器市場

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的整體復(fù)蘇，2010年ATE市場預(yù)計(jì)也將翻番。但存儲器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢達(dá)的破產(chǎn)，二手ATE測試設(shè)備還處于消化過程中。為布局即將增長的存儲器測試市場，Verigy推出了全新的適用于未來3代高速

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2010-07-28

存儲器 SoC IC TE
惠瑞捷子推出用于高級DRAM測試全晶圓探針

半導(dǎo)體測試公司惠瑞捷(Verigy)旗下全資子公司TouchdownTechnologies推出了其1Td300全晶圓探卡，這是該公司首款用于高級 DRAM存儲器件單次觸壓、高容量測試的探卡。該產(chǎn)品能夠?qū)?00mm或200mm晶圓進(jìn)行高并行測試(hi

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2010-07-27

晶圓 HD TECHNOLOGIES DRAM
KPCB與紅杉“合作秘史”：聯(lián)合投資超53家公司

投資界7月26日消息，KPCB和紅杉資本日前聯(lián)合向商業(yè)社交軟件廠商Jive軟件公司投資3000萬美元，兩家公司曾于1999年共同投資Google。對此，道瓊斯 VentureWire編輯Russell Garland撰文點(diǎn)評了KPCB與紅杉資本的“合作史”

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2010-07-27

PCB GOOGLE DIGITAL HOC
京元電發(fā)行海外可轉(zhuǎn)換公司債，上限4000萬美金

京元電(2449)董事會決議發(fā)行第三次5年期海外可轉(zhuǎn)換公司債，本次發(fā)行總額以不超過美金4000萬元為限，每張債券面額為美金1000元或其整數(shù)倍數(shù)，發(fā)行價格依面額之100％發(fā)行。(編輯整理：王可鑫)

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2010-07-27
日月光強(qiáng)勢展開填權(quán)息法人估Q2 EPS高于公司預(yù)期

IC封測龍頭廠日月光(2311-TW)今(27)日進(jìn)行除權(quán)息交易，每股配發(fā)0.36元現(xiàn)金股利與 1 元股票股利，雖然封測族群第 3 季旺季效應(yīng)恐不如以往，不過市場仍看好日月光發(fā)展新制程技術(shù)的進(jìn)度，早盤買盤隨即進(jìn)場推升，盤中最

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2010-07-27

芯片制程技術(shù) EPS DRAM
晶圓代工新一波市占競賽鳴槍起跑

半導(dǎo)體設(shè)備市場暌違兩年再現(xiàn)高峰，2010年市場規(guī)模將達(dá)325億美元，臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、聯(lián)電、全球晶圓(GlobalFoundries)全力擴(kuò)產(chǎn)拼搶市占率，同時皆大幅擴(kuò)充40納米以下先進(jìn)制程，以往臺積電獨(dú)大的

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2010-07-27

晶圓代工 40納米臺積電 GLOBALFOUNDRIES
三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

三星電子(SamsungElectronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NANDFlash)速度快10倍的次世代NANDFlash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)中所儲存的影片、照片

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2010-07-27

三星 Flash NAND NANDFLASH
臺積電、全球晶圓激戰(zhàn)ARM平臺20納米世代競賽提前啟動

全球晶圓(GlobalFoundries)挑戰(zhàn)臺積電晶圓代工市場地位來勢洶洶，2010年初甫與安謀(ARM)攜手開發(fā)28納米制程，挑戰(zhàn)臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)先優(yōu)勢，然臺積電亦不干示弱，正式宣布與ARM簽訂長期合約，將技術(shù)世代延續(xù)至28與2

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2010-07-27

ARM 晶圓臺積電列處理器

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先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換Q4 全球DRAM市場趨向供過于求

AMD年內(nèi)推出首款Fusion芯片用于上網(wǎng)本

DDS信號源在掃頻測試中的應(yīng)用

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