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晶圓代工競逐高階制程設(shè)備大廠受惠

晶圓代工搶攻高階制程市占率，積極擴(kuò)充產(chǎn)能，臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(GlobalFoundries)與三星電子(SamsungElectronics)皆大手筆添購設(shè)備，帶動半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)再現(xiàn)產(chǎn)業(yè)循環(huán)高峰，包括應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、艾斯摩

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2010-07-21

晶圓代工半導(dǎo)體設(shè)備 GLOBALFOUNDRIES 臺積電
國產(chǎn)RFID力促東莞搶先發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)裝備制造

在剛結(jié)束的2010深圳國際物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與應(yīng)用博覽會(簡稱物博會)上，莞產(chǎn)國內(nèi)首套RFID(射頻識別技術(shù))電子標(biāo)簽封裝機(jī)成為焦點(diǎn)，標(biāo)志著東莞搶先發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)裝備制造。據(jù)介紹，這套由東莞華中科技大學(xué)工程制造研究院(簡稱工研

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2010-07-21

RFID 電子標(biāo)簽物聯(lián)網(wǎng) 封裝
“深圳芯”有望今年四季度誕生

本報(bào)記者盧舒倩實(shí)習(xí)生姜淦報(bào)道華南地區(qū)第一條8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線有望于今年四季度在坪山投片生產(chǎn)。與此同時，華南地區(qū)第一個12英寸集成電路芯片廠房結(jié)構(gòu)建設(shè)也將全部完成。兩條生產(chǎn)線建成投產(chǎn)后，世界各地的人

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2010-07-21

中芯國際芯片廠集成電路芯片芯片生產(chǎn)線
晶圓代工競逐高階制程　設(shè)備大廠受惠

晶圓代工搶攻高階制程市占率，積極擴(kuò)充產(chǎn)能，臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購設(shè)備，帶動半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)再現(xiàn)產(chǎn)業(yè)循環(huán)高峰，包括應(yīng)用材料(Applied Materials)、艾

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2010-07-21

GLOBAL 晶圓代工半導(dǎo)體設(shè)備臺積電
ARM與TSMC簽訂長期策略合作協(xié)定

英商安謀國際科技(ARM)公司以及TSMC 20日共同宣布簽訂長期合約，在TSMC工藝平臺上擴(kuò)展ARM系列處理器以及實(shí)體知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計(jì)(physical IP)的開發(fā)。從目前的技術(shù)世代延伸到未來的20納米工藝，以ARM處理器為設(shè)計(jì)核心并且采

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2010-07-21

芯片 ARM 列處理器 TSMC
臺積電心中有個夢

臺積電中科12英寸超大型晶園廠(GIGAFAB)晶園15廠 (Fab15) 16日舉行動土典禮，董事長張忠謀親自主持動土儀式。他表示，未來將陸續(xù)投入該廠新臺幣3，000億元資金，折合90億美元，并預(yù)計(jì)在2011年6月開始裝機(jī)，于2012年首

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2010-07-21

FAB GLOBALFOUNDRIES 臺積電
TSMC大手筆擴(kuò)產(chǎn)，12寸超大型晶圓廠動工

臺積電(TSMC)日前在臺中科學(xué)園區(qū)舉行第三座12寸超大型晶圓廠(GIGAFAB)──晶圓15廠動土典禮。晶圓15廠是臺積電第二座具備28納米制程能力的超大型十二寸晶圓廠，基地面積18.4公頃，總建筑面積430,000 平方公尺，預(yù)計(jì)規(guī)

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2010-07-21

晶圓廠 TSMC GENERAL 臺積電
臺積電與ARM簽訂長約拓展28奈米與20奈米制程

晶圓代工廠臺積電(2330-TW)與英商安謀國際科技(ARM)公司簽訂長期合約，在臺積制程平臺上擴(kuò)展ARM系列處理器及實(shí)體智財(cái)設(shè)計(jì)開發(fā)，并規(guī)劃共同拓展28奈米與20奈米制程。雙方合作內(nèi)容包括，臺積將Cortex?系列處理器

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2010-07-20

ARM 列處理器 ARM嵌入式臺積電
英特爾下調(diào)處理器芯片價格最高降幅達(dá)48%

7月20日消息，英特爾或盡可能地從6核處理器中賺錢。不過，英特爾剛下調(diào)了某些價格便宜的處理器價格，有些酷睿i7和至強(qiáng)處理器的芯片價格甚至削減了一半。英特爾2.93GHz酷睿i7870處理器的降價幅度最大，每千個購買量的

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2010-07-20

英特爾處理器酷睿處理器芯片
亞洲芯片廠商第二季獲利增速強(qiáng)勁

*事件:海力士半導(dǎo)體、三星電子、東芝、爾必達(dá)記憶體二季度財(cái)報(bào)*時間:從7月22日(周四)起陸續(xù)公布*芯片價格上漲速度趨緩,從第四季起可能出現(xiàn)供過于求*智能手機(jī)、平板電腦將推動下半年增長記者M(jìn)iyoungKim編譯王洋/龔芳/

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2010-07-20

半導(dǎo)體晶片芯片廠商海力士
爾必達(dá)赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NANDFlash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。據(jù)悉，爾必達(dá)與臺灣創(chuàng)新存儲器公司（TIMC）

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2010-07-20

研發(fā)中心爾必達(dá) Flash NAND
臺積電雙管齊下8、12寸廠擴(kuò)產(chǎn)

臺積電2010年因應(yīng)市場需求積極擴(kuò)充產(chǎn)能，除落腳于中科第3座超大型12寸晶圓廠日前正式動土，未來將直接投產(chǎn)28奈米制程，并加速22奈米以下先進(jìn)制程研發(fā)外，位于大陸上海松江8寸廠亦同步擴(kuò)充產(chǎn)能，近期已擴(kuò)充產(chǎn)能達(dá)單月

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2010-07-20

晶圓廠 FAB SMC 臺積電
第三季度DRAM價格或下滑

據(jù)韓國ETNEWS報(bào)導(dǎo)，過去1年2個月期間呈現(xiàn)上升趨勢的DRAM價格，可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌，但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對臺灣企業(yè)打擊可能更大。據(jù)相關(guān)業(yè)者

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2010-07-20

DRAM 三星電子海力士 ELECTRONICS
車聯(lián)網(wǎng)引發(fā)網(wǎng)絡(luò)承載變革

從“互聯(lián)網(wǎng)”到“物聯(lián)網(wǎng)”，世界正以不同的方式相互連接;而從“車載信息”到“車聯(lián)網(wǎng)”，車與車之間也將相互連接，并成為人們相互交流的新途徑。在不久前舉行的“車聯(lián)

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2010-07-20

互聯(lián)網(wǎng) 移動寬帶車聯(lián)網(wǎng)
激光蝕刻技術(shù)于傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻技術(shù)的比較

激光蝕刻技術(shù)比傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻技術(shù)工藝簡單、可大幅度降低生產(chǎn)成本，可加工0.15～1微米寬的線，非常適合于超大規(guī)模集成電路的制造。激光微調(diào)技術(shù)可對電阻進(jìn)行自動精密微調(diào)，精度可達(dá)0.01%～0.002%，比傳統(tǒng)加工方法的

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2010-07-20

器件精度激光微米

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晶圓代工競逐高階制程設(shè)備大廠受惠

國產(chǎn)RFID力促東莞搶先發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)裝備制造

“深圳芯”有望今年四季度誕生

晶圓代工競逐高階制程　設(shè)備大廠受惠

ARM與TSMC簽訂長期策略合作協(xié)定

臺積電心中有個夢

TSMC大手筆擴(kuò)產(chǎn)，12寸超大型晶圓廠動工

臺積電與ARM簽訂長約拓展28奈米與20奈米制程

英特爾下調(diào)處理器芯片價格最高降幅達(dá)48%

亞洲芯片廠商第二季獲利增速強(qiáng)勁

爾必達(dá)赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

臺積電雙管齊下8、12寸廠擴(kuò)產(chǎn)

第三季度DRAM價格或下滑

車聯(lián)網(wǎng)引發(fā)網(wǎng)絡(luò)承載變革

激光蝕刻技術(shù)于傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻技術(shù)的比較

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