實現(xiàn)低IQ的諸多因素會相互牽制。首先要實現(xiàn)低IQ，那么電路會變得更為復(fù)雜；特別是對于DC/DC器件而言，快速響應(yīng)時間是很重要的指標(biāo)，相應(yīng)的速度與功耗的消耗成正比，這個時候 就需要更多的電路去彌補(bǔ)功耗反饋。電路復(fù)雜、器件變多，漏電流就會增多，而且復(fù)雜的電路又會與更小外形尺寸的設(shè)計目標(biāo)相背。要在待機(jī)模式下實現(xiàn)高電池效率，需要電源管理電路實現(xiàn)嚴(yán)格的功率輸出管理同時保持低功耗。
在近日完成對Dialog的收購之后，瑞薩電子增強(qiáng)了其無線連接和電源的能力。但變化并不局限于產(chǎn)品線，多次并購帶來的是整個公司理念和運(yùn)作的升級?！斑@幾次并購對于瑞薩這家老牌的日本公司來說，最大的變化是人，公司引入了更多元、更開放的文化，還有整個人員的理念，這是公司獲得生命力和不斷發(fā)展的最根本的源泉，也是整合的核心?！?/p>
摩爾定律的延續(xù)在橫向上的可以靠chiplet等先進(jìn)封裝方式來實現(xiàn)，所以3D芯片設(shè)計的效率將決定我們走的有多快。芯片越復(fù)雜，設(shè)計也就愈復(fù)雜；芯片設(shè)計全流程的集成和數(shù)據(jù)打通將會是EDA工具的必然發(fā)展方向。
ST最近拓寬了其超低功耗產(chǎn)品線，發(fā)布了全新的超低功耗旗艦——STM32U5。該MCU采用M33架構(gòu)、40nm工藝，搭載了ST在低功耗上的非常多的新設(shè)計。
芯片設(shè)計實現(xiàn)人工智能的切入點(diǎn)是在RTL到GDS環(huán)節(jié)中使用機(jī)器學(xué)習(xí)來進(jìn)行大量數(shù)據(jù)挖掘，實現(xiàn)最完美的PPA輸出。從復(fù)雜的人工傳統(tǒng)實現(xiàn)算法負(fù)擔(dān)中將設(shè)計者解放，把精力放在更加有思維價值實現(xiàn)的地方。
“歐司朗是一個百年老店，艾邁斯半導(dǎo)體也有近半個世紀(jì)的歷史，合并之后即艾邁斯歐司朗集團(tuán)，我們將進(jìn)入第二個百年加速區(qū)?！?/p>
2021年一個繞不開的話題是“雙碳”，各行各業(yè)都在向著節(jié)能減排的方向努力，其中半導(dǎo)體廠商扮演著重要的角色——如何設(shè)計出創(chuàng)新的器件來提高能源利用效率，同時提升自身的生產(chǎn)效率來減少排放，是半導(dǎo)體廠商努力的共同方向。
根據(jù)Semi保守預(yù)測，從2020到2024，芯片行業(yè)將增加至少38個新的 300毫米量產(chǎn)晶圓廠，在300毫米晶圓廠上的投入將在2030年達(dá)到700億美元?dú)v史新高。
上一個20年，基本全部由Keith Jackson執(zhí)掌，安森美獲得的成績斐然，他本人也非常高興能夠從安森美這里功成名退。下一個20年，由Hassane El-Khoury開啟，他將安森美聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，推動安森美實現(xiàn)到2040年前零排放的承諾...
關(guān)于HBM3的消息，海力士早前曾表示單芯片可以達(dá)到5.2Gbps的I/O速率，帶寬達(dá)到665GB/s，將遠(yuǎn)超HBM2E。但從Rambus最新發(fā)布的HBM3內(nèi)存子系統(tǒng)來看，數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到了8.4Gbps，寬帶達(dá)到1TB/s，說明HBM3還有著更大的潛力。而且作為集成了PHY和控制器的完整內(nèi)存接口子系統(tǒng)，Rambus HBM3方案的推出也意味著HBM3的真正面世也將不遠(yuǎn)了。
據(jù)一家名為Data Bridge Market Research的報告稱，汽車智能天線的市場需求增長勢頭強(qiáng)勁，2020 年至 2027 年以 14.8% 的復(fù)合年增長率增長，預(yù)計到2027年市場規(guī)模將達(dá)到大概58億多美元。
激光雷達(dá)（LiDAR）要實現(xiàn)更長的探測距離和更穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，是一個系統(tǒng)級的問題。但光源是一切的基礎(chǔ)，我們建議從光源的選擇上要優(yōu)先考慮。本文從光源角度來解析其具體參數(shù)如何影響LiDAR系統(tǒng)的表現(xiàn)。
Dynamic Duo 2.0已經(jīng)獲得了來自NVIDIA、AMD和Arm的高度贊賞，他們在實踐中均獲得了大幅的硅前效率提升。張永專表示當(dāng)前中國本土的很多芯片廠商也對Dynamic Duo 2.0非常感興趣，Cadence也會持續(xù)進(jìn)行中國業(yè)務(wù)的開拓，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
1995年英飛凌無錫工廠成立，歷經(jīng)20多年的發(fā)展后，現(xiàn)已經(jīng)成為了其大中華區(qū)最大的制造基地、其全球最為重要的IGBT制造中心之一。
從疫情發(fā)生至今已一年多的時間，整個人類社會都發(fā)生了巨大的變動。而半導(dǎo)體行業(yè)也經(jīng)歷了過山車般的低谷和高潮往復(fù)：從早期的艱難疫情對抗、到后期超預(yù)期需求端爆發(fā)、到現(xiàn)在蘿卜蹲式的各種芯片荒、材料荒...形勢的變化加速了社會科技化變革和整體市場的輪動，市場上既有挑戰(zhàn)也有機(jī)遇。近日意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官JEAN-MARC CHERY就ST的市場布局、投資策略、以及對當(dāng)前全球半導(dǎo)體行業(yè)格局的動向，在線上發(fā)布會進(jìn)行了精彩的分享。
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