手機(jī)與模擬芯片大廠德儀(TI)公布去年第四季財(cái)報(bào),單季獲利年增逾五倍,營(yíng)收年增21%,今年首季營(yíng)收也可望成長(zhǎng),由于德儀是國(guó)內(nèi)晶圓雙雄12吋先進(jìn)制程主力客戶,財(cái)報(bào)展望佳,使臺(tái)積(2330)、聯(lián)電(2303)本季營(yíng)運(yùn)也看
科技產(chǎn)業(yè)走出谷底,臺(tái)積電也大動(dòng)作頻頻,除了將在今年大舉招募新血之外,研發(fā)方面的投資也毫不手軟。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀便表示,今年臺(tái)積電的研發(fā)費(fèi)用將達(dá)270億元,比起2009年的216億元,增加25%。張忠謀認(rèn)為,維
外電引用分析師資訊指出,聯(lián)電大客戶賽靈思(Xilinx)3月可能宣布與臺(tái)積電展開(kāi)28納米制程合作;臺(tái)積電28納米已確定取得富士通微電子、高通訂單,若再與賽靈思合作,將對(duì)聯(lián)電等同業(yè)的先進(jìn)制程構(gòu)成極大壓力。 外電引用
外電引用分析師資訊指出,聯(lián)電大客戶賽靈思(Xilinx)3月可能宣布與臺(tái)積電展開(kāi)28納米制程合作;臺(tái)積電28納米已確定取得富士通微電子、高通訂單,若再與賽靈思合作,將對(duì)聯(lián)電等同業(yè)的先進(jìn)制程構(gòu)成極大壓力。外電引用B
外電引用分析師資訊指出,聯(lián)電大客戶賽靈思(Xilinx)3月可能宣布與臺(tái)積電展開(kāi)28納米制程合作;臺(tái)積電28納米已確定取得富士通微電子、高通訂單,若再與賽靈思合作,將對(duì)聯(lián)電等同業(yè)的先進(jìn)制程構(gòu)成極大壓力。外電引用B
外電引用分析師信息指出,聯(lián)電大客戶賽靈思(Xilinx)3月可能宣布與臺(tái)積電展開(kāi)28奈米制程合作;臺(tái)積28奈米已確定取得富士通微電子、高通(Qualcomm)訂單,若再與賽靈思合作,將對(duì)聯(lián)電等同業(yè)的先進(jìn)制程構(gòu)成極大壓力
隨著市場(chǎng)對(duì)65納米、40納米先進(jìn)制程技術(shù)的需求不斷看漲,全球前三大晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電、特許紛紛在2010年擴(kuò)大資本支出,并在第一季度同步擴(kuò)充產(chǎn)能。三大代工積極擴(kuò)充產(chǎn)能臺(tái)積電2009年向設(shè)備商訂購(gòu)的機(jī)器總額已超
DRAM業(yè)在走出低谷后,2010年前景看好,DRAM廠商積極擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)。其中臺(tái)塑集團(tuán)的南科、華亞科最為積極,華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長(zhǎng)?! ∧峡啤⑷A亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段,南科暫定2010年資本支出
在過(guò)去的幾年間,整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著巨幅的衰退,然而,這個(gè)衰退現(xiàn)象卻為可編程邏輯組件(PLD)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了實(shí)質(zhì)的絕佳成長(zhǎng)機(jī)會(huì)。雖然PLD公司之間的競(jìng)爭(zhēng)仍然相當(dāng)激烈,但ASIC仍然是主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,如今,這種競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)象
聯(lián)電(2303)持續(xù)朝先進(jìn)制程邁進(jìn),公司計(jì)劃在今年下半年試產(chǎn)28奈米低電耗、高功率等制程,與臺(tái)積電腳步落差半年多。
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨(10)日公布11月?tīng)I(yíng)收較上月小增0.3%,為303.22億元,是今年次高,已是連續(xù)兩個(gè)月站穩(wěn)300億元大關(guān)。 外資認(rèn)為,在12吋先進(jìn)制程需求帶動(dòng)下,臺(tái)積電本季營(yíng)收朝920億元高標(biāo)靠攏,以10、11
聯(lián)電(2303)昨(8)日公布11月?tīng)I(yíng)收91.56億元,月下滑1.5%,為本季第二個(gè)月?tīng)I(yíng)收下滑,但因持續(xù)維持90億元高檔,仍可達(dá)成第四季營(yíng)收與第三季持平的目標(biāo)。 相對(duì)于聯(lián)電11月?tīng)I(yíng)收繼續(xù)下降,龍頭大哥臺(tái)積電今(9)日也將公
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電副董事長(zhǎng)曾繁城2日出席“海西國(guó)際集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)高峰論壇”時(shí)表示,臺(tái)積董事長(zhǎng)張忠謀曾預(yù)期2010年運(yùn)營(yíng)會(huì)回到2008年的水平,但從目前接單看來(lái),有機(jī)會(huì)提前一至二季達(dá)成,透露臺(tái)積電明年上半年
芯片制造產(chǎn)能的下降及隨著需求市場(chǎng)的增長(zhǎng)芯片制造業(yè)開(kāi)始停止出售工廠。按半導(dǎo)體國(guó)際產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)(SICAS)組織的數(shù)據(jù),在先進(jìn)制程方面的產(chǎn)能利用率已上升到超過(guò)90%。全球fab的產(chǎn)能利用率在2009年第三季度的平均值己從第二
北京時(shí)間11月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)灣頂級(jí)芯片代工廠商臺(tái)積電和德國(guó)半導(dǎo)體廠商英飛凌今日宣布,將進(jìn)一步擴(kuò)大雙方合作范圍,共同為汽車(chē)和其他安全應(yīng)用開(kāi)發(fā)先進(jìn)的制程技術(shù)。 雙方就擴(kuò)大技術(shù)及生產(chǎn)合作達(dá)成了一致,這
雖然其合作伙伴飛索半導(dǎo)體申請(qǐng)破產(chǎn),武漢新芯與飛索65納米,43納米的技術(shù)研發(fā)及專(zhuān)利授權(quán)方面,仍在持續(xù)進(jìn)行當(dāng)中。 武漢新芯于2006年6月28日開(kāi)工建設(shè),為中國(guó)中部地區(qū)第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線,由湖北省、武漢市、
近期半導(dǎo)體業(yè)界再度傳出臺(tái)積電40納米制程良率大降至40%,導(dǎo)致繪圖芯片大客戶恩威迪亞(NVIDIA)、超微(AMD)出貨計(jì)畫(huà)順延,臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀29日對(duì)此證實(shí)指出,臺(tái)積電40納米制程確實(shí)遇到設(shè)備腔體接合(chamber matchin