(全球TMT2023年8月10日訊)8月10日,三星半導(dǎo)體在第五屆OCP China Day 2023(開(kāi)放計(jì)算中國(guó)技術(shù)峰會(huì))上分享了兩大應(yīng)對(duì)內(nèi)存墻限制的創(chuàng)新技術(shù)解決方案和開(kāi)放協(xié)作的業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。三星電子副總裁,半導(dǎo)體事業(yè)軟件開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人張實(shí)完(Silwan Chang)表示:“...
拓爾微自主研發(fā)設(shè)計(jì)了一款可以應(yīng)用在各種需待機(jī)關(guān)斷功能模塊的PowerSwitch芯片——TMI6240I/6250I,具備高集成度、高穩(wěn)定性、高可靠性的優(yōu)勢(shì)。
本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用類(lèi)型和測(cè)試方法。半導(dǎo)體二極管是一種重要的電子器件,在電子和電力領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用類(lèi)型包括整流器、開(kāi)關(guān)、信號(hào)檢測(cè)等。同時(shí),為確保二極管的質(zhì)量和性能,測(cè)試過(guò)程是至關(guān)重要的。文章將分為兩個(gè)部分,首先介紹半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用類(lèi)型和特點(diǎn),然后詳細(xì)描述半導(dǎo)體二極管的測(cè)試方法和常見(jiàn)測(cè)試指標(biāo)。
本文將詳細(xì)介紹什么是半導(dǎo)體芯片以及半導(dǎo)體芯片的封裝過(guò)程。半導(dǎo)體芯片是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的核心組成部分,在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。半導(dǎo)體芯片的封裝是將芯片連接到導(dǎo)線或其他器件,并進(jìn)行封裝保護(hù)的過(guò)程。本文將分為兩個(gè)部分,首先介紹半導(dǎo)體芯片的概念、結(jié)構(gòu)和工藝,然后詳細(xì)描述半導(dǎo)體芯片封裝的過(guò)程和不同封裝類(lèi)型的特點(diǎn)。
成立新公司以推動(dòng) RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)和硬件開(kāi)發(fā)
8月11日消息,國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際日前發(fā)布了2季度財(cái)報(bào),營(yíng)收15.6億美元,同比下降18%;公司擁有人應(yīng)占利潤(rùn)4.03億美元,同比下降21.7%,環(huán)比大增74.3%。
半導(dǎo)體作為現(xiàn)代科技和電子行業(yè)的基石,對(duì)我們?nèi)粘I詈腿蚪?jīng)濟(jì)具有巨大影響。本文將探討半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)況,包括當(dāng)前的技術(shù)趨勢(shì)和市場(chǎng)情況,同時(shí)預(yù)測(cè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)和潛在的創(chuàng)新領(lǐng)域,為讀者呈現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛進(jìn)步和未來(lái)的潛力。
半導(dǎo)體封裝技術(shù)在電子行業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色。封裝是將微電子元件或芯片封裝在保護(hù)性外殼中的過(guò)程,它不僅提供物理支持和保護(hù),還為半導(dǎo)體芯片的連接、散熱和其他功能提供支持。本文將介紹半導(dǎo)體封裝技術(shù)的特點(diǎn),并探討其在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
在現(xiàn)代科技領(lǐng)域,半導(dǎo)體封裝是關(guān)鍵技術(shù)之一,它將微小而脆弱的半導(dǎo)體芯片封裝在保護(hù)外殼中,以保護(hù)芯片并方便其連接到電路板上。本文將介紹半導(dǎo)體封裝的定義、原理和各種應(yīng)用類(lèi)型。
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)的結(jié)合體,具備了兩者的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)還有自身獨(dú)特的特性。本文將詳細(xì)介紹絕緣柵雙極晶體管的工作原理以及它的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它不僅綜合了雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)的優(yōu)點(diǎn),還具備自身獨(dú)特的特性。本文將對(duì)絕緣柵雙極晶體管進(jìn)行基本概述,并介紹其在應(yīng)用上的特點(diǎn)。
路透社等媒體報(bào)道,昨天美國(guó)總統(tǒng)拜登簽署了對(duì)華投資限制行政令,該命令將嚴(yán)格限制美國(guó)對(duì)中國(guó)敏感技術(shù)領(lǐng)域的投資,并要求美企就其他科技領(lǐng)域的在華投資情況向美政府進(jìn)行通報(bào),對(duì)此中方也已明確表達(dá)反對(duì)立場(chǎng)。
援引本周路透社消息,美國(guó)應(yīng)用材料公司印度區(qū)負(fù)責(zé)人表示,該公司目前計(jì)劃將其來(lái)自歐洲、日本以及其他地方的供應(yīng)商引入印度并設(shè)立業(yè)務(wù),來(lái)擴(kuò)大當(dāng)?shù)毓?yīng)鏈。
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,由多家廠家推出了各種系列產(chǎn)品。本文將介紹幾個(gè)知名廠家推出的主要IGBT系列產(chǎn)品,包括其特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域,為讀者了解IGBT的市場(chǎng)情況和選擇適合的產(chǎn)品提供指導(dǎo)。
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,在現(xiàn)代電力電子和驅(qū)動(dòng)技術(shù)中廣泛應(yīng)用。本文將介紹IGBT的基本原理、結(jié)構(gòu)組成和工作原理,并探討其在電力變換和控制中的重要作用。
(全球TMT2023年8月1日訊)視覺(jué)處理方案提供商逐點(diǎn)半導(dǎo)體宣布,公司全新的IRX游戲體驗(yàn)品牌正式上線。該品牌以逐點(diǎn)半導(dǎo)體在移動(dòng)端沉淀多年的圖像渲染與顯示技術(shù)方案為基礎(chǔ),輔以深入游戲底層的內(nèi)容調(diào)優(yōu)服務(wù),從逐點(diǎn)半導(dǎo)體的專(zhuān)業(yè)視角為不同類(lèi)型的游戲在移動(dòng)端實(shí)現(xiàn)流暢體驗(yàn)與高畫(huà)質(zhì)顯示效果...
近日,臺(tái)積電、博世、英飛凌和恩智浦半導(dǎo)體宣布,有計(jì)劃將共同投資位于德國(guó)德累斯頓的歐洲半導(dǎo)體制造公司,以提供先進(jìn)的半導(dǎo)體制造服務(wù)。
生成式AI最近在科技行業(yè)掀起了一股熱潮,ChatGPT、Bard和Einstein GPT等標(biāo)志性產(chǎn)品吸引了開(kāi)發(fā)者、企業(yè)和消費(fèi)者的目光。這些AI應(yīng)用能夠生成類(lèi)似人類(lèi)的文本、理解上下文,并以驚人的準(zhǔn)確性執(zhí)行翻譯、總結(jié)等任務(wù)。雖然這些例子已經(jīng)足以讓人信服生成式AI的力量,但我們目前仍然處于一個(gè)初始階段,還需要繼續(xù)不斷發(fā)展實(shí)現(xiàn)這一切的硬件技術(shù)。
2023年8月9日,中國(guó),蘇州——全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布,TrustME? W77Q安全閃存系列已獲得權(quán)威認(rèn)證——ISO/SAE 21434。華邦電子現(xiàn)為全球首家獲得此認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存供應(yīng)商。
業(yè)內(nèi)消息,本周中國(guó)第二大半導(dǎo)體公司華虹半導(dǎo)體登陸上交所科創(chuàng)板上市,發(fā)行價(jià)為 52.00 元/股,開(kāi)盤(pán) 58.88元,股價(jià)上漲 13%,共募集資金為 212.03 億元,成為今年最大規(guī)模 IPO,同時(shí)也成為了目前科創(chuàng)板募資規(guī)模排名第三的 IPO(僅次于中芯國(guó)際的 532.3 億元和百濟(jì)神州的 221.6 億元)。