格羅方德?lián)寙?加碼擴(kuò)產(chǎn)

晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）本月起在紐約的晶圓8廠（Fab8）啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，該廠資本預(yù)算從46億美元提升至69億美元（約新臺(tái)幣2,070億元），幅度高達(dá)五成，明年完工后月產(chǎn)能上看6萬(wàn)片，拉近與臺(tái)積電差距，企圖自

臺(tái)積電愛(ài)臺(tái)投資稱(chēng)冠科技業(yè)

臺(tái)積電12吋廠產(chǎn)能規(guī)劃一覽 晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）昨（14）日舉行季度例行性董事會(huì)，會(huì)中除了核準(zhǔn)上半年財(cái)報(bào)外，也合計(jì)核準(zhǔn)了新臺(tái)幣830.3844億元資本預(yù)算，用來(lái)擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能及興建新廠。 臺(tái)積電今年在臺(tái)投

臺(tái)積電董事會(huì)通過(guò)830億資本預(yù)算

臺(tái)積電14日召開(kāi)董事會(huì)。公司說(shuō)明，半年報(bào)將依證交所規(guī)定于8月底前上傳；另董事會(huì)核準(zhǔn)兩筆先進(jìn)制程產(chǎn)能升級(jí)、興建廠房資本預(yù)算，累計(jì)新臺(tái)幣830.38億元，此兩筆未來(lái)支出超越了該公司今年上半年累計(jì)稅后凈賺規(guī)模。臺(tái)積電

臺(tái)積砸830億 強(qiáng)攻20納米

晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨（14）日董事會(huì)核準(zhǔn)約830億元資本預(yù)算用以建置、擴(kuò)充先進(jìn)制程廠房。除了28納米產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充，這次的投資預(yù)算更是因應(yīng)20納米提早量產(chǎn)而卡位，顯示大廠先進(jìn)制程投資未受景氣回檔而停歇。 臺(tái)積電

臺(tái)積電愛(ài)臺(tái) 投資稱(chēng)冠科技業(yè)

晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）昨（14）日舉行季度例行性董事會(huì)，會(huì)中除了核準(zhǔn)上半年財(cái)報(bào)外，也合計(jì)核準(zhǔn)了新臺(tái)幣830.3844億元資本預(yù)算，用來(lái)擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能及興建新廠。 臺(tái)積電今年在臺(tái)投資金額將逾2,400億元，高

擴(kuò)先進(jìn)制程產(chǎn)能臺(tái)積電董事會(huì)通過(guò)830億元資本預(yù)算

臺(tái)積電(TSM-US)(2330-TW)今(14)日召開(kāi)董事會(huì)。公司說(shuō)明，半年報(bào)將依證交所規(guī)定于8月底前上傳；另董事會(huì)核準(zhǔn)兩筆先進(jìn)制程產(chǎn)能升級(jí)、興建廠房資本預(yù)算，累計(jì)新臺(tái)幣830.38億元，此兩筆未來(lái)支出超越了該公司今年上半年累

臺(tái)積電上下整合接單加分 外資將續(xù)買(mǎi)

針對(duì)臺(tái)積電可能揮軍3DIC高階封測(cè)領(lǐng)域，外資法人認(rèn)為這對(duì)臺(tái)積電長(zhǎng)線有上下整合之效，對(duì)于爭(zhēng)取蘋(píng)果訂單有加分效果，但對(duì)封測(cè)雙雄的沖擊恐難以避免，上下游關(guān)系恐怕趨于緊張。不過(guò)，美系分析師強(qiáng)調(diào)，封測(cè)領(lǐng)域也有其一定

7月?tīng)I(yíng)收臺(tái)積電創(chuàng)歷史新高

晶圓龍頭臺(tái)積電公布7月?tīng)I(yíng)收，單月合并營(yíng)收達(dá)485.3億元，月增率11.7%，年增率37%，創(chuàng)下單月歷史新高，累計(jì)今年前七月合并營(yíng)收達(dá)2821億元，年增率12.2%。由于28nm需求強(qiáng)勁，且工作天數(shù)較6月多，臺(tái)積電第三季即使在市場(chǎng)

inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺(tái)積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在

7月?tīng)I(yíng)收臺(tái)積電創(chuàng)歷史新高

晶圓龍頭臺(tái)積電公布7月?tīng)I(yíng)收，單月合并營(yíng)收達(dá)485.3億元，月增率11.7%，年增率37%，創(chuàng)下單月歷史新高，累計(jì)今年前七月合并營(yíng)收達(dá)2821億元，年增率12.2%。由于28nm需求強(qiáng)勁，且工作天數(shù)較6月多，臺(tái)積電第三季即使在市場(chǎng)

inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺(tái)積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在

聯(lián)電欲藉由FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在

全球純MEMS代工廠商榜單解析

去年臺(tái)積電是全球最大的純MEMS器件代工廠商，營(yíng)業(yè)收入劇增201%，不但奪取了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的市場(chǎng)份額，而且創(chuàng)造了新的收入來(lái)源。據(jù)IHSiSuppli公司的MEMS競(jìng)爭(zhēng)分析報(bào)告，2011年臺(tái)積電相關(guān)營(yíng)業(yè)收入達(dá)到5300萬(wàn)美元，遠(yuǎn)高于2010

志圣半導(dǎo)體設(shè)備 發(fā)展?jié)摿Υ?/a>

臺(tái)積電挖角同行 成立400人團(tuán)隊(duì)進(jìn)軍3D 測(cè)市場(chǎng)

8月13日消息，為了迎接蘋(píng)果訂單，全球半導(dǎo)體代工龍頭企業(yè)臺(tái)積電大規(guī)模啟動(dòng)人員擴(kuò)編，近期從日月光、硅品及力成等 測(cè)企業(yè)挖人，成立了逾400人的 測(cè)團(tuán)隊(duì)，全力進(jìn)軍3D IC高端 測(cè)市場(chǎng)、力圖拓大版圖。 據(jù)悉，臺(tái)積電曾

臺(tái)積電7月?tīng)I(yíng)收再創(chuàng)高，外資看其8月將小幅回落

晶圓代工龍頭臺(tái)積電 (2330) 7月合并營(yíng)收出爐，繼6月小滑后，再回復(fù)成長(zhǎng)格局，彈升11.7%、 ??年增37%來(lái)到485.25億元，再創(chuàng)單月?tīng)I(yíng)收新高，加上業(yè)界傳出臺(tái)積電大舉擴(kuò)編、進(jìn)軍3D IC高階封測(cè)市場(chǎng)，也激勵(lì)今日臺(tái)積電股價(jià)增

漏失！臺(tái)積電營(yíng)收延遲上傳挨罰3萬(wàn)元

臺(tái)灣證券交易所針對(duì)臺(tái)積電(2330-TW)(TSMC-US)7月?tīng)I(yíng)收延后上傳，違反資訊申報(bào)作業(yè)規(guī)定，處以新臺(tái)幣3萬(wàn)元罰款。 臺(tái)積電表示，上周五(10日)收盤(pán)后就將7月?tīng)I(yíng)收對(duì)外發(fā)布，除公告在該公司網(wǎng)站上且寄送給媒體，當(dāng)天并透過(guò)股

臺(tái)積強(qiáng)攻封測(cè) 全力揮軍3D IC

晶圓代工龍頭臺(tái)積電大動(dòng)作啟動(dòng)人員擴(kuò)編，為因應(yīng)蘋(píng)果訂單落袋、主力客戶賽靈思、超微等積極朝向先進(jìn)IC制程邁進(jìn)，臺(tái)積電近期從日月光、矽品及力成等封測(cè)業(yè)挖角，成立逾400人的封測(cè)部隊(duì)，全力揮軍3D IC高階封測(cè)市場(chǎng)、力

上月?tīng)I(yíng)收 臺(tái)積電創(chuàng)歷史新高

晶圓龍頭臺(tái)積電公布7月?tīng)I(yíng)收，單月合并營(yíng)收達(dá)485.3億元，月增率11.7%，年增率37%，創(chuàng)下單月歷史新高，累計(jì)今年前七月合并營(yíng)收達(dá)2821億元，年增率12.2%。由于28nm需求強(qiáng)勁，且工作天數(shù)較6月多，臺(tái)積電第三季即使在市場(chǎng)

拚FinFET聯(lián)電可能搶先臺(tái)積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起FinFET構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在2014年