(上海,2009 年 8 月 25 日)康耐視公司(納斯達(dá)克代碼:CGNX)為太陽能電池制造過程提供新的檢測解決方案,進(jìn)一步擴(kuò)展了檢測范圍。新型VisionPro?太陽能工具箱中包括預(yù)配置的軟件工具,用于光電 (PV) 太陽能生產(chǎn)中
在近日于美國舉行的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上,一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預(yù)測。在專題演說中,SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告,NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”,主要是因為市場產(chǎn)
1. 引言 MOSFET在模擬和射頻電路中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,MOSFET中的低頻噪聲,尤其是較高頻率的1/f噪聲,是模擬和射頻電路應(yīng)用中人們關(guān)注的重要因素。此外,隨著器件特征尺寸的縮小,1/f噪聲會大大增加[參考文獻(xiàn)
得可進(jìn)一步擴(kuò)展高速的植球能力,已獲認(rèn)可的DirEKt Ball Placement™ 工藝現(xiàn)能以300微米細(xì)距精準(zhǔn)地置放直徑僅為200微米的焊球。憑借以高于99.99% 的首次通過良率實現(xiàn)這一精確性和精密度的能力,DirEKt植球為現(xiàn)代
2009、2010年對美光而言,最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程,大量轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程,就技術(shù)角度而言相當(dāng)艱鉅,且同時也需要龐大的資金挹注,才能完成整個轉(zhuǎn)換過程。 美光分析,在50納米制程上,預(yù)計每
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)綜研)鉆石研究中心單結(jié)晶底板開發(fā)小組開發(fā)出了大型單結(jié)晶鉆石晶圓制造技術(shù)。該技術(shù)結(jié)合運(yùn)用了兩種技術(shù):由籽晶直接制造薄板狀鉆石單結(jié)晶的“直接晶圓化技術(shù)”,以及通過依次改變生長方向
基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并擁有先進(jìn)的速度和加速控制,確保強(qiáng)健地處理當(dāng)今
據(jù)透露,為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面,日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù),而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前,爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前,爾必達(dá)公司剛剛在65nm制
預(yù)見到未來對大批量晶圓粘合劑和涂層應(yīng)用的需求,得可已三倍增強(qiáng)其獲獎DirEKt Coat 技術(shù)的工藝能力。DirEKt Coat晶圓涂層工藝達(dá)到Cp>2@+/- 12.5µm和7微米的總厚度差 (TTV),有效地滿足了薄晶圓產(chǎn)品目前和未來的
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供
基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并擁有先進(jìn)的速度和加速控制,確保強(qiáng)健地處