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什么是“雙芯疊加”技術(shù)？
在芯片設(shè)計(jì)方面，華為公司也新曝出了一個(gè)“雙芯疊加”專利，這種方式甚至可以讓14nm芯片經(jīng)過優(yōu)化后比肩7nm性能。根據(jù)華為曝出的專利來看，華為這種“雙芯疊加”專利確實(shí)能夠大大提升14nm芯片的性能。當(dāng)然，如果說要比肩真正的7nm芯片，那可能還存在一定差距，就好比英特爾的14nm工藝...
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英特爾加速制程工藝和封裝技術(shù)創(chuàng)新
7月27日，英特爾公布了公司有史以來最詳細(xì)的制程工藝和封裝技術(shù)路線圖，展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新。
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ASML新財(cái)報(bào)：首臺(tái)全新EUV極紫外光刻機(jī)交付！
作為全球第一光刻機(jī)供應(yīng)商,荷蘭ASML(阿斯麥)今天公布了2021年第二季度財(cái)報(bào)。
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ASML第一臺(tái)全新EUV TWINSCAN NXE:3600D EUV極紫外光刻機(jī)交付
作為全球第一光刻機(jī)供應(yīng)商，荷蘭ASML(阿斯麥)今天公布了2021年第二季度財(cái)報(bào)。
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臺(tái)積電6nm EUV火爆，高通、紫光展銳等搶單5G芯片
做為全球第一大晶圓代工廠廠，臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上遙遙領(lǐng)先其他對(duì)手，現(xiàn)在高通、聯(lián)發(fā)科及紫光展銳都在搶著下單，三家公司旗下的5G芯片都要上6nm EUV工藝。
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ASML第二代EUV光刻機(jī)跳票三年：售價(jià)貴出天際！
第二代EUV光刻機(jī)原本預(yù)計(jì)最快2023年問世，但最新傳聞稱NXE:5000系列跳票，而且一下子就跳票三年，要到2025-2026年才有可能問世了。
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三星意在美國(guó)建5nm EUV芯片廠，預(yù)計(jì)2024量產(chǎn)
在新一代半導(dǎo)體工藝中，美國(guó)本土的廠商已經(jīng)落后于三星、臺(tái)積電，Intel最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在還是10nm。日前有消息稱三星準(zhǔn)備在美國(guó)建設(shè)5nm EUV芯片廠。
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全球首顆2nm EUV芯片面世
日前，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。
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中國(guó)芯片沒有EUV光刻機(jī)，這該何去何從呢
提到芯片，就不得不說光刻機(jī)，因?yàn)楣饪虣C(jī)是制造芯片的必要設(shè)備，沒有光刻機(jī)，芯片制造就從無談起。都知道，臺(tái)積電是全球芯片制造技術(shù)最先進(jìn)的廠商，拿下了全球超過50%的芯片訂單，而臺(tái)積電之所領(lǐng)先，很大一部分原因就是因?yàn)槠浒惭b了大量先進(jìn)的EUV光刻機(jī)。據(jù)悉，EUV光刻機(jī)是全球頂尖技術(shù)的集合體，其零部件超過10萬多個(gè)，像美國(guó)的光源技術(shù)、德國(guó)徠卡的鏡片等等，雖然是ASML研發(fā)生產(chǎn)的，但90%的零部件都依賴進(jìn)口。
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ASML極紫外光技術(shù)培訓(xùn)中心在臺(tái)灣開張 就近服務(wù)臺(tái)積電
8月21日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，半導(dǎo)體行業(yè)光刻系統(tǒng)供應(yīng)商ASML（阿斯麥）的EUV(極紫外光刻)技術(shù)培訓(xùn)中心昨日在臺(tái)灣臺(tái)南科學(xué)園區(qū)開張，就近服務(wù)第一大客戶臺(tái)積電。 ASML ASML的EUV技術(shù)培訓(xùn)
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三星官宣:首款采用EUV技術(shù)，16Gb LPDDR5 DRAM已開始量產(chǎn)
三星8月30日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光(EUV)技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
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臺(tái)積電占據(jù)業(yè)界 EUV光刻機(jī)安裝量的 50%，晶圓累計(jì)產(chǎn)量達(dá)60%
臺(tái)積電最近舉行了年度技術(shù)研討會(huì)，在會(huì)上透露了大量關(guān)于未來芯片制造業(yè)務(wù)的信息。其中包括關(guān)于臺(tái)積電先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的新細(xì)節(jié)，比如 N5、N4、N3 和 N12e。
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臺(tái)積電單位產(chǎn)品用電量去年上升17.9% 此前擬定目標(biāo)為降低11.5%
7月29日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電單位產(chǎn)品用電量去年上升17.9%，而該公司擬定的目標(biāo)為降低11.5%。 臺(tái)積電 臺(tái)積電未能達(dá)到計(jì)劃的提升能源使用效率的目標(biāo)。 臺(tái)媒稱，以執(zhí)行力著稱的臺(tái)積電管理團(tuán)
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內(nèi)存又要跌價(jià)了？SK海力士計(jì)劃在M16工廠引入EUV光刻機(jī)
在進(jìn)入20nm節(jié)點(diǎn)之后，內(nèi)存工業(yè)也面臨著CPU工藝一樣的制造難題，微縮越來越困難，制造工藝復(fù)雜，導(dǎo)致內(nèi)存成本居高不下。如今7nm以下的處理器用上了EUV光刻機(jī)，內(nèi)存很快也要跟進(jìn)了，SK海力士計(jì)劃在韓國(guó)
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中國(guó)還需要EUV光刻機(jī)嗎？中芯國(guó)際：量產(chǎn)和研發(fā)工藝暫不需要
EUV光刻機(jī)是制造7nm以下節(jié)點(diǎn)先進(jìn)工藝的必備工具，目前國(guó)內(nèi)還沒有EUV設(shè)備。作為國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的晶圓代工廠，中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)日前表態(tài)，該公司已經(jīng)量產(chǎn)和研發(fā)的工藝還不需要EUV光刻機(jī)。 光刻是半導(dǎo)體芯
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中科院研發(fā)新型激光光刻技術(shù)：不用EUV 直擊5nm
荷蘭ASML公司是全球唯一能生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的公司，他們之前表態(tài)7nm以下工藝都需要EUV光刻機(jī)才行?，F(xiàn)在中科院蘇州納米所的團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種新的激光光刻技術(shù)，不需要使用EUV技術(shù)就可以制備出5nm特征線
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技術(shù)奇跡！EUV光刻機(jī)被美國(guó)限制出口的真相
EUV光刻機(jī)是一項(xiàng)技術(shù)奇跡。 一臺(tái)發(fā)生器每秒噴射出5萬個(gè)微小的熔錫液滴，高功率激光對(duì)每個(gè)液滴進(jìn)行兩次爆破，第一次可以使錫成形，第二次是使錫蒸發(fā)成等離子體。 等離子體發(fā)出極紫外光輻射，這種輻射聚集成光束
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ASML放言：沒有我們的EUV光刻機(jī) 芯片廠商造不出7nm以下工藝
作為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程中最重要的裝備，光刻機(jī)一直牽動(dòng)人心，制程工藝越先進(jìn)就要離不開先進(jìn)光刻機(jī)。ASML副總裁Anthony Yen日前表態(tài)，如果沒有EUV光刻機(jī)，那么芯片廠商是造不出7nm以下工藝芯片
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華為、蘋果7/5nm需求大 臺(tái)積電狂加EUV訂單
2020年因?yàn)槿蚪?jīng)濟(jì)的問題，本來電子行業(yè)會(huì)下滑，但是晶圓代工場(chǎng)合不降反升，臺(tái)積電Q1季度營(yíng)收大漲了30%，牢牢坐穩(wěn)了全球晶圓代工一哥的位置。由于華為、蘋果等公司的7nm及5nm工藝需求大，臺(tái)積電目前
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14nm工藝已量產(chǎn)華為麒麟芯片 中芯國(guó)際7nm研發(fā)多時(shí)
作為國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的晶圓代工廠，中芯國(guó)際SMIC去年底已經(jīng)量產(chǎn)了14nm工藝，Q1季度14nm工藝貢獻(xiàn)了1.3%的營(yíng)收，預(yù)計(jì)到明年將貢獻(xiàn)10%的營(yíng)收。 中芯國(guó)際14nm工藝一大重要進(jìn)展就是成功為華為代工麒
