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21ic新聞大爆炸：極紫外光刻2015年商用——目標(biāo)10nm

1、極紫外光刻2015年商用：目標(biāo)10nm全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天重申，極紫外(EUV)光刻技術(shù)將在2015年如期投入商用，各大半導(dǎo)體廠商都在摩拳擦掌。ASML計(jì)劃在今年底出貨首批三臺(tái)NXE:3300B光刻機(jī)，其中

21ic專訪
2013-11-05

紫外光光刻 IC EUV
EUV光科技樹將幫助芯片突破摩爾定律

據(jù)美國科技博客BusinessInsider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人Gordon Moore提出，內(nèi)容

消費(fèi)電子
2013-11-04

芯片英特爾摩爾定律 EUV
摩爾定律大限將至?英特爾一鄭千金開發(fā)EUV

今日消息，在英特爾目前面臨的威脅中，最大的威脅莫過于摩爾定律的失效。摩爾定律預(yù)測，芯片上集成的晶體管數(shù)量每2年翻一番。芯片上集成的晶體管越多，芯片處理能力就越強(qiáng)大，這是過去數(shù)十年來計(jì)算機(jī)處理能力越來越強(qiáng)

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2013-10-31

英特爾摩爾定律 BROADWELL EUV
英特爾芯片摩爾定律大限將至：一鄭千金開發(fā)EUV

訊：10月31日消息，在英特爾目前面臨的威脅中，最大的威脅莫過于摩爾定律的失效。摩爾定律預(yù)測，芯片上集成的晶體管數(shù)量每2年翻一番。芯片上集成的晶體管越多，芯片處理能力就越強(qiáng)大，這是過去數(shù)十年來計(jì)算機(jī)處

半導(dǎo)體
2013-10-31

摩爾定律英特爾芯片 BROADWELL EUV
延續(xù)半導(dǎo)體量產(chǎn)經(jīng)濟(jì)效益　EUV成10奈米制程發(fā)展關(guān)鍵

半導(dǎo)體的發(fā)展隨著摩爾定律(Moore’s Law)演進(jìn)，雖然是關(guān)關(guān)難過但還是關(guān)關(guān)過，其中在制程技術(shù)上，主要瓶頸在微影制程的要求不斷提高，目前主流曝光技術(shù)是采用波長193奈米(nm)的浸潤式曝光(Immersion)技術(shù)；然而，進(jìn)入

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2013-10-07

半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 ASML EUV
ASML提升新EUV機(jī)臺(tái)技術(shù)生產(chǎn)效率

微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺(tái)技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達(dá)55瓦，每

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-09-12

半導(dǎo)體晶圓 ASML EUV
ASML新EUV機(jī)臺(tái)

微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺(tái)技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達(dá)55瓦，每

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2013-09-11

半導(dǎo)體晶圓 ASML EUV
莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？

縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)?推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無異議，而且

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2013-08-27

半導(dǎo)體工藝光刻技術(shù) 5NM EUV
莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？

推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩

消費(fèi)電子
2013-08-27

半導(dǎo)體工藝光刻技術(shù) 5NM EUV
莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？

縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)? 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是工藝尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看，2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)，觀察近期的報(bào)道，似乎已無異

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2013-08-26

半導(dǎo)體工藝光刻技術(shù) 5NM EUV
ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)2015年就位

極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓

半導(dǎo)體
2013-08-24

晶圓廠 ASML FINFET EUV
ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)2015年就位

極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓

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2013-08-20

晶圓廠 ASML FINFET EUV
ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)2015年就位

極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-20

晶圓廠 ASML FINFET EUV
【EUV曝光技術(shù)】（一）最近1～2年內(nèi)決定勝負(fù)

EUV曝光技術(shù)的開發(fā)變得越來越慢。最大原因在于EUV光源的輸出功率提高不上去（圖1）。處理速度（吞吐量）要達(dá)到量產(chǎn)時(shí)所需要的125枚/小時(shí)，需要將曝光裝置入光口（中間聚光點(diǎn)）的EUV光輸出功率提高至250W。而目前的輸

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2013-08-12

脈沖激光輸出功率 EUV
明導(dǎo)CEO：如何解決制程工藝帶來的新挑戰(zhàn)?

【導(dǎo)讀】隨著20nm SoC已進(jìn)入開發(fā)階段，14nm、10nm甚至7nm工藝均在逐步推進(jìn)中。明導(dǎo)公司(Mentor Graphics)董事長兼首席執(zhí)行官Walden C. Rhines為大家解析14nm級(jí)以后工藝所面臨的挑戰(zhàn)，明導(dǎo)公司在該方面有何作為? 摘

半導(dǎo)體
2013-07-22

模型 CE CALIBRE EUV
半導(dǎo)體下半年設(shè)備商按贊

微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾第2季財(cái)報(bào)符合市場預(yù)期，執(zhí)行長PeterWennink表示，行動(dòng)裝置需求強(qiáng)勁，帶動(dòng)晶圓代工廠及存儲(chǔ)器廠擴(kuò)大投資，其中晶圓代工廠已著手準(zhǔn)備20納米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能，DRAM廠則擴(kuò)大MobileDRAM的擴(kuò)產(chǎn)，

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2013-07-18

半導(dǎo)體 DRAM 晶圓代工 EUV
EUV微影尚未功成　設(shè)備業(yè)者仍在努力

在日前于美國舊金山舉行的 Semicon West 半導(dǎo)體設(shè)備展上，仍在開發(fā)中的超紫外光(EUV)微影技術(shù)又一次成為討論焦點(diǎn)；歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC總裁暨執(zhí)行長Luc Van den Hove在一場座談會(huì)中表示：「EUV仍然是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界

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2013-07-17

晶圓節(jié)點(diǎn) ASML EUV
臺(tái)積電2017追上英特爾不只是放狠話

臺(tái)積電共同營運(yùn)長蔣尚義昨（22）日表示，臺(tái)積電由20納米跨入16納米制程微縮時(shí)間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構(gòu)的16納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程。為了滿足客戶需求，臺(tái)積電已決定加快研發(fā)腳步，&

消費(fèi)電子
2013-04-26

英特爾臺(tái)積電 FINFET EUV
臺(tái)積電放話 2017追上英特爾

臺(tái)積電共同營運(yùn)長蔣尚義昨（22）日表示，臺(tái)積電由20納米跨入16納米制程微縮時(shí)間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構(gòu)的16納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程。為了滿足客戶需求，臺(tái)積電已決定加快研發(fā)腳步，「

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2013-04-23

英特爾臺(tái)積電 FINFET EUV
ASML一季度凈利潤9600萬歐元

國際頂級(jí)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商ASML2013年第一季度凈利潤9600萬歐元，同時(shí)宣布Peter Wennink從七月一日起擔(dān)任CEO一季度凈利潤9600萬歐元ASML第一季度的銷售額約為8億9千2百萬歐元，凈利潤為9600萬歐元。預(yù)期2013年全年銷

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-18

NI ASML PETER EUV

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EUV

21ic新聞大爆炸：極紫外光刻2015年商用——目標(biāo)10nm

EUV光科技樹將幫助芯片突破摩爾定律

摩爾定律大限將至?英特爾一鄭千金開發(fā)EUV

英特爾芯片摩爾定律大限將至：一鄭千金開發(fā)EUV

延續(xù)半導(dǎo)體量產(chǎn)經(jīng)濟(jì)效益　EUV成10奈米制程發(fā)展關(guān)鍵

ASML提升新EUV機(jī)臺(tái)技術(shù)生產(chǎn)效率

ASML新EUV機(jī)臺(tái)

莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？

莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？

莫大康：縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)？

ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)2015年就位

ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)2015年就位

ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)2015年就位

【EUV曝光技術(shù)】（一）最近1～2年內(nèi)決定勝負(fù)

明導(dǎo)CEO：如何解決制程工藝帶來的新挑戰(zhàn)?

半導(dǎo)體下半年設(shè)備商按贊

EUV微影尚未功成　設(shè)備業(yè)者仍在努力

臺(tái)積電2017追上英特爾不只是放狠話

臺(tái)積電放話 2017追上英特爾

ASML一季度凈利潤9600萬歐元

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