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代號(hào)大角星！AMD將會(huì)推出7nm EUV工藝的Navi顯卡
明年AMD將會(huì)推出7nm工藝的Navi顯卡，官方也已經(jīng)表態(tài)了，而Navi下一代也規(guī)劃了，會(huì)使用第二代的7nm EUV工藝，架構(gòu)上也不再延續(xù)現(xiàn)在的GCN，現(xiàn)在AMD Linux社區(qū)員工爆料稱Navi的繼任者代號(hào)是Arcturus大角星，是牧夫座中最亮的一顆星。
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力不從心，英特爾放棄搶推EUV？
曾是電子工程師的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein分析師Mark Li表示，英特爾不會(huì)在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)入EUV，該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難，因此其7納米制程還得上好幾年，何時(shí)會(huì)用上EUV更是個(gè)大問題。
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Entegris新一代光罩盒通過ASML認(rèn)證 可用于EUV技術(shù)生產(chǎn)制程上
微電子產(chǎn)業(yè)特種化學(xué)品和材料解決方案廠商英特格 (Entegris) 宣布，新一代的光罩盒已獲得半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備商艾司摩爾 (ASML) 的認(rèn)證，可用于極紫外光 (EUV) 微影技術(shù)的芯片大量生產(chǎn)上，用以保護(hù)在制造過程中光罩的完整。
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臺(tái)積電慌了！三星攜手ARM優(yōu)化7納米及5納米制程芯片
雖然2018年包括臺(tái)積電、三星、格羅方德都要導(dǎo)入7納米制程技術(shù)。其中，三星為了追趕臺(tái)積電，還在首代的7納米(LPP)制程中導(dǎo)入EUV技術(shù)。不過，臺(tái)積電也非省油的燈，除了積極布局7納米制程技術(shù)之外，2018年初也已經(jīng)宣布在南科啟動(dòng)5納米建廠計(jì)劃，正式投入5納米制程的研發(fā)。因此，三星為了能縮減與臺(tái)積電的差距，5日正式宣布攜手知識(shí)產(chǎn)權(quán)大廠安謀(ARM)，雙方協(xié)議將進(jìn)一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片。
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三星已啟動(dòng)EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā) 最快2020年投產(chǎn)使用
EUV光刻目前被三星、臺(tái)積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點(diǎn)上，制造的普遍是AP(應(yīng)用處理器)。三星曾表示，7nm LPP工藝將在今年下半年量產(chǎn)，明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。
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美光：內(nèi)存工藝短時(shí)間不需要用EUV光刻工藝
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會(huì)上回答了有關(guān)的工藝問題，在EUV光刻工藝上，他認(rèn)為EUV光刻機(jī)在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會(huì)用到它。
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美光：下一代1Y nm工藝DRAM正在驗(yàn)證中，暫不需要EUV光刻
三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝，也就是第一個(gè)進(jìn)入1X nm節(jié)點(diǎn)的，遙遙領(lǐng)先其他公司，美光現(xiàn)在也開始向1X nm工藝轉(zhuǎn)進(jìn)，下一代的1Y nm工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段了，今年下半年問世，1Z nm工藝節(jié)點(diǎn)在處于工藝優(yōu)化階段，1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。
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EUV技術(shù)量產(chǎn)已進(jìn)入最后沖刺階段
隨著工藝節(jié)點(diǎn)來到單納米尺寸，研究人員開始將缺陷歸因于為小細(xì)節(jié);舉例來說，一次EUV曝光中的光子數(shù)量，會(huì)影響化學(xué)放大光阻劑(chemically amplified resists)，而其他種類的光阻劑性能也會(huì)因?yàn)樗度氲慕饘俜肿佣ㄏ?orientation)而有所變化。
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“超級(jí)設(shè)備”入華 芯片自主生產(chǎn)有希望？
據(jù)多家媒體證實(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)從荷蘭阿斯麥(ASML)公司訂購(gòu)的一臺(tái)光刻機(jī)已抵達(dá)武漢。這臺(tái)光刻機(jī)價(jià)值價(jià)值7200萬美元，約合人民幣4.6億元。另據(jù)媒體報(bào)道，中芯國(guó)際在中興事件之后也向該公司下單了一臺(tái)光刻機(jī)，這臺(tái)名為EUV(極紫外線)光刻機(jī)更是身價(jià)不菲，價(jià)值1.2億美元，交貨日期尚不確定。
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4.6億元!長(zhǎng)江存儲(chǔ)向ASML訂購(gòu)的光刻機(jī)已到貨
近日消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)從荷蘭阿斯麥(ASML)公司訂購(gòu)的一臺(tái)光刻機(jī)（非EUV光刻機(jī)）已抵達(dá)武漢。這臺(tái)光刻機(jī)價(jià)值高達(dá)7200萬美元，約合人民幣4.6億元。此外，中芯國(guó)際中芯國(guó)際也向阿斯麥下單了一臺(tái)價(jià)值高達(dá)1.2億美元的EUV(極
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中芯國(guó)際斥資1.2億購(gòu)進(jìn)芯片制造設(shè)備EUV
據(jù)知情人士透露，中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備，在中美兩國(guó)貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。
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挖礦客戶轉(zhuǎn)向7nm，EUV 7nm強(qiáng)化版明年量產(chǎn)
今日臺(tái)積電發(fā)布了截止3月31日的2018財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。臺(tái)積電第一季度合并營(yíng)收為2480.79億元(新臺(tái)幣，下同)(約合84.58億美元)，較上年同期的2339.14億元增長(zhǎng)6.1%;凈利潤(rùn)為897.85億元(約合30.61億美元)，較上年同期的876.29億元增長(zhǎng)2.5%。折算為12英寸晶圓的晶圓出貨量為26800片，同比增長(zhǎng)8.4%。
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臺(tái)積電、三星EUV需求增強(qiáng) 2019年產(chǎn)量訂單有望全滿
《巴倫》報(bào)導(dǎo)，芯片設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾ASML的表現(xiàn)可能要比大多數(shù)人想像的要好，瑞士信貸分析師Farhan Ahmad即認(rèn)為，艾司摩爾的產(chǎn)品是芯片制造商臺(tái)積電與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子爭(zhēng)奪霸主地位的關(guān)鍵要素，估計(jì)可以在鷸蚌相爭(zhēng)中，漁翁得利。
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搶驍龍855!三星 7nm首次上EUV極紫外光刻
近日消息，據(jù)外媒報(bào)道，三星已經(jīng)完成了7nm新工藝的研發(fā)，而且比預(yù)期進(jìn)度提早了半年，這為三星與臺(tái)積電爭(zhēng)搶高通驍龍855代工訂單奠定了基礎(chǔ)。自從16/14nm節(jié)點(diǎn)開始，三星和臺(tái)積電的工藝之爭(zhēng)愈發(fā)激烈，都不斷砸下巨資加速
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臺(tái)積電 砸2200億投資5納米3納米芯片
全球芯片代工龍頭臺(tái)積電舉行年度供應(yīng)鏈管理論壇，共有超過600個(gè)來自全球的合作伙伴參加。臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音在論壇宣示大投資計(jì)劃，由于看好人工智能(AI)及5G的龐大市場(chǎng)，臺(tái)積電5納米新廠Fab 18將于明年動(dòng)土興建，2019年上半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，3納米新廠的投資金額更超過200億美元(約合人民幣1323.6億元)。
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光學(xué)光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)
半導(dǎo)體制造中微型化的進(jìn)展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準(zhǔn)確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運(yùn)用精確的電磁場(chǎng)(EMF)模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場(chǎng)(照明)條件下，用合適的數(shù)值方法解麥克斯韋方程組。
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可望不可即嗎？臺(tái)積電將投200億美元開發(fā)3nm工藝
PChome整機(jī)頻道資訊報(bào)道近日，臺(tái)積電通過公告稱他們現(xiàn)已將3nm工藝芯片的研發(fā)選址定在臺(tái)灣南科臺(tái)南園區(qū)，不過臺(tái)積電官方并沒有公布該投資計(jì)劃的詳情，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門預(yù)計(jì)，臺(tái)積電這次投資3nm工藝的規(guī)模至少為5千億新臺(tái)幣，同時(shí)業(yè)界還有分析認(rèn)為，3nm芯片的節(jié)點(diǎn)將大量采用EUV光刻技術(shù)，新技術(shù)+新研發(fā)場(chǎng)地，臺(tái)積電這次的總投資額或?qū)⒏哌_(dá)200億美元，這也將成為臺(tái)灣科技史上投資規(guī)模最大的計(jì)劃。
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EUV或?qū)Q定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方向
近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創(chuàng)新時(shí)重點(diǎn)提及極紫外光刻，也就是我們常說的EUV。他認(rèn)為，EUV令人著迷的原因是其極富挑戰(zhàn)性及對(duì)世界的重要影響。
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更新?lián)Q代？芯片制造商看好EUV設(shè)備
據(jù)今日公布的一項(xiàng)調(diào)查顯示，芯片行業(yè)的高管們?cè)絹碓綐酚^地認(rèn)為，該行業(yè)將采用極端的紫外線光刻技術(shù)和多波束掩模。新系統(tǒng)將有助于推動(dòng)先進(jìn)設(shè)備的發(fā)展，而這一時(shí)代正變得越來越復(fù)雜和昂貴。
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7nm工藝時(shí)代，國(guó)內(nèi)廠商該怎么辦
隨著三星 10 納米制程借高通驍龍 835 處理器的亮相，以及由臺(tái)積電 10 納米制程所生產(chǎn)的聯(lián)發(fā)科 Helio X30 處理器，在魅族 Pro 7 系列手機(jī)首發(fā)，之后還有海思的麒麟 970 及蘋果 A11 處理器的加持下，手機(jī)處理器的 10 納米制程時(shí)代可說是正式展開。而對(duì)于下一代的 7 納米制程，當(dāng)前來看，應(yīng)該仍是三星與臺(tái)積電兩大龍頭的天下。由于在 7 納米制程中，極其依賴的極紫外光( EUV) 設(shè)備，中國(guó)廠商在短期間內(nèi)仍無法購(gòu)買到。這對(duì)于正積極建構(gòu)自身半導(dǎo)體生產(chǎn)能量的中國(guó)來說，將可能在 7 納米這個(gè)
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