明年AMD將會推出7nm工藝的Navi顯卡,官方也已經(jīng)表態(tài)了,而Navi下一代也規(guī)劃了,會使用第二代的7nm EUV工藝,架構(gòu)上也不再延續(xù)現(xiàn)在的GCN,現(xiàn)在AMD Linux社區(qū)員工爆料稱Navi的繼任者代號是Arcturus大角星,是牧夫座中最亮的一顆星。
曾是電子工程師的市場研究機構(gòu)Bernstein分析師Mark Li表示,英特爾不會在短時間內(nèi)導(dǎo)入EUV,該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難,因此其7納米制程還得上好幾年,何時會用上EUV更是個大問題。
微電子產(chǎn)業(yè)特種化學(xué)品和材料解決方案廠商英特格 (Entegris) 宣布,新一代的光罩盒已獲得半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備商艾司摩爾 (ASML) 的認證,可用于極紫外光 (EUV) 微影技術(shù)的芯片大量生產(chǎn)上,用以保護在制造過程中光罩的完整。
雖然2018年包括臺積電、三星、格羅方德都要導(dǎo)入7納米制程技術(shù)。其中,三星為了追趕臺積電,還在首代的7納米(LPP)制程中導(dǎo)入EUV技術(shù)。不過,臺積電也非省油的燈,除了積極布局7納米制程技術(shù)之外,2018年初也已經(jīng)宣布在南科啟動5納米建廠計劃,正式投入5納米制程的研發(fā)。因此,三星為了能縮減與臺積電的差距,5日正式宣布攜手知識產(chǎn)權(quán)大廠安謀(ARM),雙方協(xié)議將進一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片。
EUV光刻目前被三星、臺積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點上,制造的普遍是AP(應(yīng)用處理器)。三星曾表示,7nm LPP工藝將在今年下半年量產(chǎn),明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會上回答了有關(guān)的工藝問題,在EUV光刻工藝上,他認為EUV光刻機在DRAM芯片制造上不是必須的,直到1α及1β工藝上都也不會用到它。
三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝,也就是第一個進入1X nm節(jié)點的,遙遙領(lǐng)先其他公司,美光現(xiàn)在也開始向1X nm工藝轉(zhuǎn)進,下一代的1Y nm工藝已經(jīng)進入客戶驗證階段了,今年下半年問世,1Z nm工藝節(jié)點在處于工藝優(yōu)化階段,1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。
隨著工藝節(jié)點來到單納米尺寸,研究人員開始將缺陷歸因于為小細節(jié);舉例來說,一次EUV曝光中的光子數(shù)量,會影響化學(xué)放大光阻劑(chemically amplified resists),而其他種類的光阻劑性能也會因為所嵌入的金屬分子定向(orientation)而有所變化。
據(jù)多家媒體證實,長江存儲從荷蘭阿斯麥(ASML)公司訂購的一臺光刻機已抵達武漢。這臺光刻機價值價值7200萬美元,約合人民幣4.6億元。另據(jù)媒體報道,中芯國際在中興事件之后也向該公司下單了一臺光刻機,這臺名為EUV(極紫外線)光刻機更是身價不菲,價值1.2億美元,交貨日期尚不確定。
近日消息,長江存儲從荷蘭阿斯麥(ASML)公司訂購的一臺光刻機(非EUV光刻機)已抵達武漢。這臺光刻機價值高達7200萬美元,約合人民幣4.6億元。此外,中芯國際中芯國際也向阿斯麥下單了一臺價值高達1.2億美元的EUV(極
據(jù)知情人士透露,中國最大的晶圓代工廠中芯國際已經(jīng)訂購了一臺EUV設(shè)備,在中美兩國貿(mào)易緊張的情況下,此舉旨在縮小與市場領(lǐng)先者的技術(shù)差距,確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進也最昂貴的芯片制造設(shè)備。
今日臺積電發(fā)布了截止3月31日的2018財年第一季度財報。臺積電第一季度合并營收為2480.79億元(新臺幣,下同)(約合84.58億美元),較上年同期的2339.14億元增長6.1%;凈利潤為897.85億元(約合30.61億美元),較上年同期的876.29億元增長2.5%。折算為12英寸晶圓的晶圓出貨量為26800片,同比增長8.4%。
《巴倫》報導(dǎo),芯片設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾ASML的表現(xiàn)可能要比大多數(shù)人想像的要好,瑞士信貸分析師Farhan Ahmad即認為,艾司摩爾的產(chǎn)品是芯片制造商臺積電與競爭對手三星電子爭奪霸主地位的關(guān)鍵要素,估計可以在鷸蚌相爭中,漁翁得利。
近日消息,據(jù)外媒報道,三星已經(jīng)完成了7nm新工藝的研發(fā),而且比預(yù)期進度提早了半年,這為三星與臺積電爭搶高通驍龍855代工訂單奠定了基礎(chǔ)。自從16/14nm節(jié)點開始,三星和臺積電的工藝之爭愈發(fā)激烈,都不斷砸下巨資加速
全球芯片代工龍頭臺積電舉行年度供應(yīng)鏈管理論壇,共有超過600個來自全球的合作伙伴參加。臺積電共同執(zhí)行長劉德音在論壇宣示大投資計劃,由于看好人工智能(AI)及5G的龐大市場,臺積電5納米新廠Fab 18將于明年動土興建,2019年上半年進入風(fēng)險試產(chǎn),3納米新廠的投資金額更超過200億美元(約合人民幣1323.6億元)。
半導(dǎo)體制造中微型化的進展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準(zhǔn)確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運用精確的電磁場(EMF)模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場(照明)條件下,用合適的數(shù)值方法解麥克斯韋方程組。
PChome整機頻道資訊報道近日,臺積電通過公告稱他們現(xiàn)已將3nm工藝芯片的研發(fā)選址定在臺灣南科臺南園區(qū),不過臺積電官方并沒有公布該投資計劃的詳情,臺灣經(jīng)濟部門預(yù)計,臺積電這次投資3nm工藝的規(guī)模至少為5千億新臺幣,同時業(yè)界還有分析認為,3nm芯片的節(jié)點將大量采用EUV光刻技術(shù),新技術(shù)+新研發(fā)場地,臺積電這次的總投資額或?qū)⒏哌_200億美元,這也將成為臺灣科技史上投資規(guī)模最大的計劃。
近日,TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創(chuàng)新時重點提及極紫外光刻,也就是我們常說的EUV。他認為,EUV令人著迷的原因是其極富挑戰(zhàn)性及對世界的重要影響。
據(jù)今日公布的一項調(diào)查顯示,芯片行業(yè)的高管們越來越樂觀地認為,該行業(yè)將采用極端的紫外線光刻技術(shù)和多波束掩模。新系統(tǒng)將有助于推動先進設(shè)備的發(fā)展,而這一時代正變得越來越復(fù)雜和昂貴。
隨著三星 10 納米制程借高通驍龍 835 處理器的亮相,以及由臺積電 10 納米制程所生產(chǎn)的聯(lián)發(fā)科 Helio X30 處理器,在魅族 Pro 7 系列手機首發(fā),之后還有海思的麒麟 970 及蘋果 A11 處理器的加持下,手機處理器的 10 納米制程時代可說是正式展開。而對于下一代的 7 納米制程,當(dāng)前來看,應(yīng)該仍是三星與臺積電兩大龍頭的天下。由于在 7 納米制程中,極其依賴的極紫外光( EUV) 設(shè)備,中國廠商在短期間內(nèi)仍無法購買到。這對于正積極建構(gòu)自身半導(dǎo)體生產(chǎn)能量的中國來說,將可能在 7 納米這個