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7nm EUV工藝強(qiáng)力 AMD Zen3架構(gòu)處理器L3緩存或翻倍到64MB
AMD今年推出了7nm Zen2架構(gòu)，目前除了APU及筆記本版之外，已經(jīng)在桌面版、服務(wù)器版全面升級(jí)了。下一代是Zen3架構(gòu)，會(huì)使用7nm EUV工藝，目前架構(gòu)設(shè)計(jì)已經(jīng)完成。 與現(xiàn)在的Zen2架構(gòu)相比，
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國(guó)家半導(dǎo)體大基金二期募資2041億 國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)有望解決？
據(jù)報(bào)道，第二期國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金—;—;也就是大基金，已經(jīng)在10月22日注冊(cè)成立，注冊(cè)資本高達(dá)2041.5億元，比第一期的1387.2億元高出一半多，最快11月份開(kāi)始投資，這次投資重點(diǎn)是半導(dǎo)體裝
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這兩個(gè)半導(dǎo)體材料在半導(dǎo)體逆風(fēng)的大環(huán)境下逆生長(zhǎng)
進(jìn)入19年，各個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)受到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)影響，2019 年半導(dǎo)體前段制程材料需求普遍下滑，占比超過(guò) 3 成的硅晶圓影響頗為嚴(yán)重，雖然硅晶圓在長(zhǎng)約價(jià)格上變動(dòng)不大，但現(xiàn)貨
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這兩種半導(dǎo)體材料逆勢(shì)成長(zhǎng)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2019年迎來(lái)衰退態(tài)勢(shì)，沖擊全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值表現(xiàn)，預(yù)估將較2018年衰退不小的幅度。
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ASML公司Q3季度營(yíng)收27.9億歐元 EUV光刻機(jī)訂單23臺(tái)
半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)可以說(shuō)是制造業(yè)的皇冠，而光刻機(jī)就是皇冠上的明珠，EUV光刻機(jī)則是明珠之光，其設(shè)計(jì)之復(fù)雜遠(yuǎn)超一般工業(yè)設(shè)備。 目前EUV光刻機(jī)只有荷蘭ASML公司能夠生產(chǎn)，Q3季度他們交付了7臺(tái)EUV光刻機(jī)
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三星發(fā)力EUV工藝 向ASML訂購(gòu)15臺(tái)EUV光刻機(jī) 價(jià)值181億
臺(tái)積電今天宣布將全年的資本開(kāi)支從110億美元提升到140-150億美元，增長(zhǎng)了40%左右，希望進(jìn)一步提升7nm及5nm產(chǎn)能。 在這個(gè)領(lǐng)域，唯一能跟臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的就是三星了，但是三星的問(wèn)題在于進(jìn)展較慢，現(xiàn)
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臺(tái)積電7nm+大量供貨：近40年終于實(shí)現(xiàn)EUV光刻
臺(tái)積電今天宣布，N7+ 7nm+工藝已經(jīng)大批量供應(yīng)給客戶，這是該公司乃至全產(chǎn)業(yè)首個(gè)商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。 EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14nm的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)直接降到13.5n
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Intel 7nm EUV提速：8月已開(kāi)始訂購(gòu)材料及設(shè)備
Intel 10nm處理器已經(jīng)量產(chǎn)發(fā)售，明年預(yù)計(jì)會(huì)在市場(chǎng)上井噴，推出桌面CPU等產(chǎn)品。 消息稱，Intel已從今年8月份開(kāi)始訂購(gòu)用于7nm EUV工藝節(jié)點(diǎn)的材料和設(shè)備，步伐有所加快。這里的材料和設(shè)備具
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這就是麒麟990真身：7nm+ EUV工藝融合103億晶體管
為今日正式發(fā)布了最新一代旗艦移動(dòng)芯片麒麟990系列，包括麒麟990、麒麟990 5G兩個(gè)版本，其中麒麟990 5G是全球首款旗艦級(jí)5G SoC芯片、業(yè)界最小的5G手機(jī)芯片方案，它們將在華為Mate 3
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5G和AI驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)能給移動(dòng)存儲(chǔ)帶來(lái)什么
2019年全球半導(dǎo)體市況表現(xiàn)不佳，增速大幅下滑，成為當(dāng)前業(yè)界最為關(guān)注的話題之一。而本輪下行周期的成因很大程度上又與存儲(chǔ)器市場(chǎng)有關(guān)。對(duì)此，美光科技高級(jí)副總裁兼移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理拉杰·塔魯里接受了記者的采訪，探討存儲(chǔ)器市場(chǎng)與技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。拉杰·塔魯里認(rèn)為，雖然短期之內(nèi)存儲(chǔ)器仍然處于弱市行情，但長(zhǎng)期來(lái)看，人們對(duì)存儲(chǔ)需求將會(huì)持續(xù)增加，特別是2020年5G通信市場(chǎng)的爆發(fā)將帶動(dòng)智能手機(jī)擺脫頹勢(shì)，進(jìn)而拉升移動(dòng)存儲(chǔ)需求。
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三星否認(rèn)7nm EUV良率報(bào)道 韓專家：爆料媒體別有用心
前不久有傳聞稱三星7nm EUV工藝良率不行，導(dǎo)致客戶的5G芯片全部報(bào)廢，此事鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng)，還上了微博熱搜，隨后三星官方發(fā)表聲明否認(rèn)相關(guān)爆料，表示內(nèi)容與事實(shí)完全不符。 三星方面表示，三星Foundry
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EUV光刻機(jī)將如何發(fā)展？
AI、5G應(yīng)用推動(dòng)芯片微縮化，要實(shí)現(xiàn)5nm、3nm等先進(jìn)制程，意味著需要更新穎的技術(shù)支援以進(jìn)行加工制造，半導(dǎo)體設(shè)備商遂陸續(xù)推出新一代方案。AI、5G應(yīng)用推動(dòng)晶片微縮化，要實(shí)現(xiàn)5nm、3nm等先進(jìn)制程，
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三星官方回應(yīng)“7nm EUV良率”：內(nèi)容與事實(shí)完全不符
近日，有媒體報(bào)道稱，三星發(fā)生良率事故導(dǎo)致高通5G芯片全部報(bào)廢，針對(duì)此事，高通和三星雙雙否認(rèn)，稱此傳聞為謠言。 三星電子剛剛發(fā)表聲明，表示針對(duì)近期部分媒體關(guān)于“三星電子7nm EUV良率”的相關(guān)報(bào)道，
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三星Exynos 9825安兔兔跑分： 首款7nm EUV工藝
三星Note10系列如期而至，作為三星下半年的重磅旗艦，這一代的三星Note10系列整體風(fēng)格變得更加硬朗，方方正正的造型，給機(jī)身的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了便利?！ 〕酥?，三星最新芯片Exy
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三星公布全球首顆 7nm EUV 芯片——Exynos 9825
【 圖片來(lái)源：三星 所有者：三星 】記者消息，2019 年 8 月 7 日，三星官方發(fā)布了全球首顆 7nm EUV（Extreme Ultraviolet Lithography，極紫外光刻） 芯片
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首次加入EUV極紫外光刻！臺(tái)積電二代7nm+工藝已量產(chǎn)
臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡，也領(lǐng)先Intel、三星一大步。 臺(tái)積電表示，7nm+ EVU工藝的良品率已經(jīng)提高
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臺(tái)積電三星爭(zhēng)霸 EUV技術(shù)成決勝關(guān)鍵
半導(dǎo)體代工企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)越演越烈，臺(tái)積電與三星電子也爭(zhēng)先恐后地加強(qiáng)開(kāi)發(fā)速度，EUV（極紫外線）技術(shù)將成為決勝關(guān)鍵。 據(jù)韓媒報(bào)道， 三星電子和臺(tái)積電接連購(gòu)買10臺(tái)以上的EUV設(shè)備。該設(shè)備由荷蘭ASML獨(dú)
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三星稱不會(huì)人為限制內(nèi)存產(chǎn)能 計(jì)劃再建7nm EUV工廠
盡管日本方面上周末推出了第二波禁韓令，預(yù)計(jì)多達(dá)857種重要材料對(duì)韓國(guó)出口都會(huì)受到管制影響，此舉可能會(huì)影響韓國(guó)公司的半導(dǎo)體生產(chǎn)，不過(guò)三星似乎并沒(méi)有因此停止在半導(dǎo)體領(lǐng)域擴(kuò)展。 在閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，
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三星：不會(huì)減產(chǎn)存儲(chǔ)器，將額外打造7納米EUV生產(chǎn)線
雖然日本限制關(guān)鍵科技原料出口至韓國(guó)，對(duì)業(yè)界投下震撼彈，但三星電子(Samsung Electronics Co.)表明，目前并無(wú)減產(chǎn)DRAM等存儲(chǔ)器芯片的打算，還說(shuō)日本出口限制令的沖擊難以估算，只能盡量把傷害降到最低。
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臺(tái)積電將推出7nm和5nm增強(qiáng)版制造工藝
外媒報(bào)道稱，臺(tái)積電已經(jīng)悄然推出了 7nm 深紫外(N7 / DUV)和 5nm 極紫外(N5 / EUV)制造工藝的性能增強(qiáng)版本。該公司的 N7P 和 N5P 技術(shù)，專為那些需要運(yùn)行更快、消耗更少電量的客戶而設(shè)計(jì)。盡管 N7P 與 N7 的設(shè)計(jì)規(guī)則相同，但新工藝優(yōu)化了前端(FEOL)和中端(MOL)制程，可在同等功率下將性能提升 7%、或在同頻下降低 10% 的功耗。
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