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上海先進(jìn)成功突破45萬(wàn)片IGBT2-1200V圓片的制造
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。 令人鼓舞的
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上海先進(jìn)IGBT2-1200V圓片突破45萬(wàn)片
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是，近
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中國(guó)IGBT市場(chǎng)銷售額四年后將翻一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。2010年銷售額為
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中國(guó)IGBT市場(chǎng)銷售額四年后將翻一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。2010年銷售額為5.897億美元
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英飛凌投資1.6億美元擴(kuò)大馬來(lái)西亞產(chǎn)能
英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來(lái)西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對(duì)其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新
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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動(dòng)器件的缺貨和供應(yīng)鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心，對(duì)此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫(kù)存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來(lái)，但
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英飛凌增強(qiáng)IGBT產(chǎn)能，將向馬來(lái)西亞生產(chǎn)線投資1.6億美元
德國(guó)英飛凌科技(Infineon Technologies AG)宣布，將在2011年內(nèi)向馬來(lái)西亞的馬六甲工廠投資1億6000萬(wàn)美元。用于更新和增設(shè)工廠的研發(fā)設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備。由此，IGBT（insulated gate bipolar transistor）等的封裝組裝工
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英飛凌投資1.6億美元擴(kuò)大馬來(lái)西亞產(chǎn)能
英飛凌(Infineon)科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來(lái)西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對(duì)其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增
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英飛凌投資擴(kuò)大馬來(lái)西亞產(chǎn)能擴(kuò)展亞洲業(yè)務(wù)
英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來(lái)西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對(duì)其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增350個(gè)就業(yè)
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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動(dòng)器件的缺貨和供應(yīng)鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心，對(duì)此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫(kù)存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來(lái)，但
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MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動(dòng)器件的缺貨和供應(yīng)鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心，對(duì)此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫(kù)存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來(lái)，但
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英飛凌投資1.6億美元進(jìn)一步擴(kuò)大馬來(lái)西亞產(chǎn)能
21ic訊 英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來(lái)西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對(duì)其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增35
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華潤(rùn)微電子1200V IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功
華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)
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華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功
華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成
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PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領(lǐng)IGBT市場(chǎng)格局
在PCIM-Europe上，匯聚了電力電子行業(yè)各領(lǐng)域的企業(yè)，而中國(guó)方面，PCIM看上去就像一場(chǎng)IGBT功率模塊廠商的聚會(huì)。中國(guó)IGBT市場(chǎng)方興未艾。在2009年，IGBT在功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額為7.1%。隨著全球低碳，節(jié)能概念的普及，I
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電力變換裝置中短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
摘要：為了使電力變換裝置能夠安全可靠地工作，在分析其短路保護(hù)設(shè)計(jì)方法的基礎(chǔ)上，給出了幾種實(shí)用的電流保護(hù)電路，并對(duì)其工作機(jī)理進(jìn)行了詳盡的剖析，以便變通使用。 關(guān)鍵詞：電力變換；過(guò)流保護(hù)；短路保護(hù)；軟關(guān)斷；
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IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策
實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策!逆變電焊機(jī)=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問(wèn)題是“炸管”! 為了研究“炸管“! 首先
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瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體
瑞薩電子計(jì)劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開(kāi)始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預(yù)計(jì)還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因
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完美無(wú)諧波高壓IGBT變頻器
1前言國(guó)外某公司利用一種新的高壓變頻技術(shù)，生產(chǎn)出功率為315kW～10000kW的完美無(wú)諧波高壓變頻器（PERFECTHARMONY），無(wú)需附加輸出變壓器實(shí)現(xiàn)了直接3kV或6kV高壓輸出；首家在高壓變頻器中采用了先進(jìn)的IGBT開(kāi)關(guān)器件；達(dá)
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分析影響IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能參數(shù)的因素
0 引言 IGBT 即絕緣門極雙極型晶體管( IsolatedGate Bipolar Transistor)， 這是八十年代末九十年代初迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身， 具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性
