一種新型礦用真空永磁控制器設(shè)計

摘要 針對各種礦用永磁機(jī)構(gòu)真空斷路器的控制需求，實現(xiàn)了基于CPLD的新型智能礦用真空永磁控制器。采用全電子電路無觸點軟件一體化設(shè)計，電源采用寬范圍輸入、恒壓恒流輸出的開關(guān)電源設(shè)計，電壓和電流連續(xù)可調(diào)，具有較

馬達(dá)設(shè)計原理及元件安裝需考慮的因素

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物

應(yīng)用于工業(yè)牽引的軟穿通IGBT技術(shù)的大功率模塊

1　引言　　隨著軟穿通igbt技術(shù)的引入，產(chǎn)生了igbt設(shè)計上和特性上的新標(biāo)準(zhǔn)，特別適用于中等功率的市場。將傳統(tǒng)的npt（非穿通型）igbt的高強(qiáng)度和低損耗兩個特點相結(jié)合，已經(jīng)使spt-igbt成為1200v-1700v電壓范圍的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇：IGBT產(chǎn)業(yè)

IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT 器件（絕緣柵雙極型晶體管）是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導(dǎo)通

逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護(hù)詳解

這幾天沉下心來專門給逆變器的后級，也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子，用來深入了解相關(guān)的特性。大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變

BUCK電路拓?fù)浼捌涔ぷ髟?/a>

中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)

引言　　電阻焊是一種重要的焊接工藝，具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動化等特點。IGBT是一種用MOS管來控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點。本文從實際應(yīng)用出發(fā)，總

中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)

引言　　電阻焊是一種重要的焊接工藝，具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動化等特點。IGBT是一種用MOS管來控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點。本文從實際應(yīng)用出發(fā)，總

南通富士通日前成為SEMI會員

2012年12月，南通富士通作為擁有全球領(lǐng)先封測技術(shù)的代表性企業(yè)正式成為SEMI會員。自1997年10月成立至始終站在行業(yè)科技發(fā)展的前沿，堅持以科技創(chuàng)新為宗旨，成功承擔(dān)并實施了“高集成度多功能芯片系統(tǒng)級封裝技

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功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

1. 引言 　　 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為

IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理

摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc1、

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。 關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。 關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

中科院微電子所IGBT芯片研制:80后的跨越

中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊緊張而期待。由他們設(shè)計的一款I(lǐng)GBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進(jìn)行超高壓測試。之所以緊張，是因為他們沒有像

上海先進(jìn)半導(dǎo)體：告別被動代工

先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。 當(dāng)時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。 由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，

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先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。當(dāng)時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，這

上海先進(jìn)半導(dǎo)體：孵化國內(nèi)芯片設(shè)計告別被動代工

上海先進(jìn)半導(dǎo)體：告別被動代工，孵化國內(nèi)芯片設(shè)計企業(yè)先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。當(dāng)時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之

開關(guān)電源發(fā)展過程中的十個技術(shù)焦點

20世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。 　 功