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IR推出超高速 600 V IGBT 系列IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF
21ic訊 國際整流器公司 (IR) 近日擴(kuò)充堅固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能、工業(yè)用電機(jī)及焊接應(yīng)用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。IRGPS4067DPbF 和
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飛兆半導(dǎo)體獲頒伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司獲頒伊頓亞太區(qū)2011年最佳供應(yīng)商獎。伊頓(Eaton)公司總部位于美國，并在上海設(shè)有亞太區(qū)總部，該公司是為單相與三相UPS、電信
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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宏微“高壓大電流 NPT IGBT 和FRED芯片”達(dá)到世界先進(jìn)水平
具有自主知識產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管（NPT IGBT）芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管（FRED）芯片系列產(chǎn)品”項目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會、
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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宏微“大電流NPT IGBT和FRED芯片”達(dá)世界先進(jìn)水平
具有自主知識產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會、國家
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宏微“大電流NPT IGBT和FRED芯片”達(dá)世界先進(jìn)水平
具有自主知識產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)
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芯片制造應(yīng)關(guān)注功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用可以實現(xiàn)對電能的傳輸轉(zhuǎn)換及最佳控制，大幅度提高工業(yè)生產(chǎn)效率，大幅度節(jié)約電能、降低原材料消耗。 在過去的10年里，“18號文”推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一個跨越式發(fā)展的時
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如何進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計
本文論述了IGBT的過流保護(hù)、過壓保護(hù)與過熱保護(hù)相關(guān)問題，并從實際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計必備知識。 IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學(xué)院微電子研究所IGBT團(tuán)隊在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領(lǐng)域再次取得關(guān)鍵技術(shù)突破。由微電子所完全自主設(shè)計的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場
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IR 針對電動汽車和混合動力汽車應(yīng)用推出600V車用IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。新器件適用的電流范圍很廣，提供最小為 5μs的短路
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學(xué)院微電子研究所IGBT團(tuán)隊在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領(lǐng)域再次取得關(guān)鍵技術(shù)突破。由微電子所完全自主設(shè)計的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場
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IR推出超高速1200V IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產(chǎn)品為焊接、高功率整流等感應(yīng)加熱和共振開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 全新1200 V IGBT 器
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計
摘要：基于課題建設(shè)的需要，需對某型雷達(dá)脈沖調(diào)制器進(jìn)行固態(tài)化改造，為達(dá)到經(jīng)濟(jì)省時的目的，采用了設(shè)計與仿真的方法。應(yīng)用新型功率開關(guān)器件IGBT替代電真空器件，設(shè)計了單片機(jī)控制的固態(tài)脈沖調(diào)制器?？朔死走_(dá)脈沖調(diào)
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IGBT電力電子裝置的應(yīng)用詳解
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)
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IR 推出高可靠性超高速1200V IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (簡稱IR) 近日推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源（UPS）太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。全新超高速 1200V IGBT 系列采用纖薄晶圓場截止溝道技術(shù)，可顯
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擺脫對存儲器市場的過度依賴 三星計劃明年第二季度量產(chǎn)IGBT芯片
三星電子(SamsungElectronics)2012年第2季將推出電力芯片產(chǎn)品，這是自1999年三星將電力半導(dǎo)體廠拋售給快捷半導(dǎo)體(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的電力芯片產(chǎn)品。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星2011年5月與
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單相橋式PWM逆變器死區(qū)補(bǔ)償?shù)囊环N方法
摘要：為了更好的了解脈沖寬度調(diào)制控制技術(shù)及其在實際電路中的應(yīng)用，文中以單相SPWM逆變電路為控制對象，分別從PWM的產(chǎn)生機(jī)制、死區(qū)補(bǔ)償和輸出電壓與輸出電流等方面詳細(xì)介紹了死區(qū)補(bǔ)償?shù)囊环N方法。并對逆變器的工作模
