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瑞薩推出13款絕緣柵雙極晶體管新品
21ic訊 瑞薩電子公司，日前宣布為其第七代具有業(yè)界領(lǐng)先性能的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）陣列增加13款新產(chǎn)品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，用
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國產(chǎn)功率半導(dǎo)體芯片亟待突破
盡管我國擁有國際上最大的功率半導(dǎo)體市場，但是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距，特別是高端器件差距更加明顯。功率半導(dǎo)體在產(chǎn)品節(jié)能中發(fā)揮著巨大的作用。在可預(yù)見的將來，無論是水電、
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高能效設(shè)計研討會：聚焦新能源和電力電子應(yīng)用
2012中國(成都)電子展攜手CNT Networks,我愛方案網(wǎng)與China Outlook Consulting將在西部重鎮(zhèn)成都和西安兩地召開高能效設(shè)計技術(shù)研討會（8月16日，成都；8月14日，西安），特別針對新能源和電力電子應(yīng)用設(shè)計，特別是逆變
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各種檢測電路工作原理分析
1 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護電路 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網(wǎng)電壓成正比，單片機以此電壓為依據(jù)，與內(nèi)部設(shè)定值進行比較，判斷工作電壓是否在其允許值范圍內(nèi)。若超過允許值
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各種檢測電路工作原理分析
1 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護電路 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網(wǎng)電壓成正比，單片機以此電壓為依據(jù)，與內(nèi)部設(shè)定值進行比較，判斷工作電壓是否在其允許值范圍內(nèi)。若超過允許值
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IGBT在不間斷電源中的應(yīng)用
1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT成為UPS功率設(shè)計的
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基于IGBT的固態(tài)高壓脈沖電源的研究與設(shè)計
摘要：由于脈沖電源有斷續(xù)供電的特性，在很多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用，其中高壓脈沖電源是系統(tǒng)的核心組成部分。為了獲取高重復(fù)頻率、陡前沿高壓脈沖電源，文中提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統(tǒng)主要由高壓直流
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基于IGBT的固態(tài)高壓脈沖電源的研究與設(shè)計
摘要：由于脈沖電源有斷續(xù)供電的特性，在很多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用，其中高壓脈沖電源是系統(tǒng)的核心組成部分。為了獲取高重復(fù)頻率、陡前沿高壓脈沖電源，文中提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統(tǒng)主要由高壓直流
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中低壓變頻器市場爭奪，IGBT等核心器件研發(fā)能力成籌碼
變頻器市場中，高壓變頻器一直占據(jù)重要位置，而低壓變頻器則增長緩慢，但從2011年起，低壓變頻器一改低迷態(tài)勢，以30%加速發(fā)展的高姿態(tài)呈現(xiàn)出供不應(yīng)求的局面。我國變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展與發(fā)達(dá)國家相比還不夠成熟，中高端變
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富士與英飛凌就IGBT功率模塊達(dá)成一項協(xié)議
5月31日消息，據(jù)媒體報道，富士電子有限公司和芯片廠商英飛凌科技股份公司于近日宣布，雙方達(dá)成一項協(xié)議，利用英飛凌的HybridPACK 2功率模塊合作開發(fā)汽車IGBT功率模塊。據(jù)悉，此協(xié)議是為滿足混合動力汽車的功率模塊的
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新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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10MW級高壓變頻器在600MW機組給水系統(tǒng)中的應(yīng)用
摘 要：本文針對600MW機組鍋爐給水系統(tǒng)，應(yīng)用國產(chǎn)10MW級高壓超大功率變頻器代替液力耦合器機械調(diào)速，提高給水泵系統(tǒng)機械效率、節(jié)能降耗的經(jīng)驗進行了積極探討。通過實踐證明：在既有液力耦合器調(diào)速的基礎(chǔ)上，通過高壓
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華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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10MW級高壓變頻器在600MW機組給水系統(tǒng)中的應(yīng)用
摘 要：本文針對600MW機組鍋爐給水系統(tǒng)，應(yīng)用國產(chǎn)10MW級高壓超大功率變頻器代替液力耦合器機械調(diào)速，提高給水泵系統(tǒng)機械效率、節(jié)能降耗的經(jīng)驗進行了積極探討。通過實踐證明：在既有液力耦合器調(diào)速的基礎(chǔ)上，通過高壓
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華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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電源管理市場未來五年前景良好
據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長之路，主要是受消費與工業(yè)領(lǐng)域的擴張推動。第二季度電源管理半導(dǎo)體營業(yè)收入將
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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電源管理市場未來五年前景良好
據(jù)IHSiSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長之路，主要是受消費與工業(yè)領(lǐng)域的擴張推動。第二季度電源管理半導(dǎo)體營業(yè)收入將
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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