電源轉(zhuǎn)換電路經(jīng)常被應(yīng)用在馬達(dá)驅(qū)動器或可再生能源的功率轉(zhuǎn)換上,設(shè)計(jì)中包括可以將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓的電源轉(zhuǎn)換器,以便用來推動馬達(dá)或連接到可再生能源系統(tǒng)的電網(wǎng)(圖1)。 圖1,交流-直流-交流轉(zhuǎn)換器功能框圖。
技術(shù)特點(diǎn):逆向?qū)ㄐ虸GBT將二極管和IGBT集成在同一個晶片里節(jié)省空間,價格低175度的結(jié)溫,EMI效果良好應(yīng)用領(lǐng)域:洗衣機(jī)、洗碗器、吸塵器、空調(diào)、冰箱的壓縮機(jī)、伺服驅(qū)動、風(fēng)扇由于現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,能源的消耗也
標(biāo)簽:功率器件 IGBT功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效應(yīng),過載,短路等條件所造成的損害。本在線研討會介紹了為何光耦柵極驅(qū)動
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(on
21ic訊 瑞薩電子公司,日前宣布為其第七代具有業(yè)界領(lǐng)先性能的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)陣列增加13款新產(chǎn)品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,用
盡管我國擁有國際上最大的功率半導(dǎo)體市場,但是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距,特別是高端器件差距更加明顯。功率半導(dǎo)體在產(chǎn)品節(jié)能中發(fā)揮著巨大的作用。在可預(yù)見的將來,無論是水電、
2012中國(成都)電子展攜手CNT Networks,我愛方案網(wǎng)與China Outlook Consulting將在西部重鎮(zhèn)成都和西安兩地召開高能效設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(8月16日,成都;8月14日,西安),特別針對新能源和電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì),特別是逆變
1 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護(hù)電路 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護(hù)電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網(wǎng)電壓成正比,單片機(jī)以此電壓為依據(jù),與內(nèi)部設(shè)定值進(jìn)行比較,判斷工作電壓是否在其允許值范圍內(nèi)。若超過允許值
1 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護(hù)電路 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護(hù)電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網(wǎng)電壓成正比,單片機(jī)以此電壓為依據(jù),與內(nèi)部設(shè)定值進(jìn)行比較,判斷工作電壓是否在其允許值范圍內(nèi)。若超過允許值
1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動,控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成為UPS功率設(shè)計(jì)的
摘要:由于脈沖電源有斷續(xù)供電的特性,在很多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用,其中高壓脈沖電源是系統(tǒng)的核心組成部分。為了獲取高重復(fù)頻率、陡前沿高壓脈沖電源,文中提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源,系統(tǒng)主要由高壓直流
摘要:由于脈沖電源有斷續(xù)供電的特性,在很多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用,其中高壓脈沖電源是系統(tǒng)的核心組成部分。為了獲取高重復(fù)頻率、陡前沿高壓脈沖電源,文中提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源,系統(tǒng)主要由高壓直流
變頻器市場中,高壓變頻器一直占據(jù)重要位置,而低壓變頻器則增長緩慢,但從2011年起,低壓變頻器一改低迷態(tài)勢,以30%加速發(fā)展的高姿態(tài)呈現(xiàn)出供不應(yīng)求的局面。我國變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展與發(fā)達(dá)國家相比還不夠成熟,中高端變
5月31日消息,據(jù)媒體報(bào)道,富士電子有限公司和芯片廠商英飛凌科技股份公司于近日宣布,雙方達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議,利用英飛凌的HybridPACK 2功率模塊合作開發(fā)汽車IGBT功率模塊。據(jù)悉,此協(xié)議是為滿足混合動力汽車的功率模塊的
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個方面:通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用&ldquo
摘 要:本文針對600MW機(jī)組鍋爐給水系統(tǒng),應(yīng)用國產(chǎn)10MW級高壓超大功率變頻器代替液力耦合器機(jī)械調(diào)速,提高給水泵系統(tǒng)機(jī)械效率、節(jié)能降耗的經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了積極探討。通過實(shí)踐證明:在既有液力耦合器調(diào)速的基礎(chǔ)上,通過高壓
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個方面:通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用&ldquo
摘 要:本文針對600MW機(jī)組鍋爐給水系統(tǒng),應(yīng)用國產(chǎn)10MW級高壓超大功率變頻器代替液力耦合器機(jī)械調(diào)速,提高給水泵系統(tǒng)機(jī)械效率、節(jié)能降耗的經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了積極探討。通過實(shí)踐證明:在既有液力耦合器調(diào)速的基礎(chǔ)上,通過高壓
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管