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簡述IGBT保護(hù)電路設(shè)計中必知問題
1 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MO
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硬開關(guān)斬波電路中的IGBT的關(guān)斷電壓波形電路
硬開關(guān)斬波電路中的IGBT的關(guān)斷電壓波形電路
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IGBT在CO2氣體保護(hù)焊電源中的電路原理圖
IGBT在CO2氣體保護(hù)焊電源中的應(yīng)用電路圖如圖所示
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國內(nèi)逆變器整體將有所改善
分布式光伏蓄勢待發(fā),2013年國內(nèi)裝機(jī)需求將大幅增加。歐盟“雙反”的大背景下,國內(nèi)對于分布式光伏的支持更加堅決,補(bǔ)貼政策呼之欲出。各地分布式項目已準(zhǔn)備充分,一旦政策開閘將迎來爆發(fā),保守估計2013年國內(nèi)新
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英飛凌展示可滿足客戶高要求的性能一流的IGBT—— 650V TRENCHSTOP™5
英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運(yùn)動、可再生能源管理展覽會上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管&m
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IR推出全新1200V IGBT 為電機(jī)驅(qū)動及不間斷電源應(yīng)用提升功率密度和效率
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，針對工業(yè)電機(jī)驅(qū)動及不間斷電源 (UPS) 應(yīng)用進(jìn)行了
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中頻加熱IGBT控制電路
IGBT控制電路原理圖如下圖所示，本電路可用于 中頻加熱系統(tǒng)。 其中，LM565是集成鎖相環(huán)電路，其功能是提供頻率穩(wěn)定的方波信號，通過調(diào)節(jié)電位器VR1即可改變LM565的輸出頻率。
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開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展十大關(guān)注焦點
關(guān)注點一：功率半導(dǎo)體器件性能1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“超級結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾
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安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級性能的IGBT 擴(kuò)充產(chǎn)品陣容
新的IGBT器件擴(kuò)充了額定電流范圍，為UPS、電火鍋、電飯煲及微波爐等電源應(yīng)用提供高能效、高速開關(guān)能力21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體
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CONCEPT 推出雙信道 4.5 kV IGBT 驅(qū)動器，采用基于變壓器的信號接口，以及整合電源供應(yīng)器
21ic訊 Power Integrations 旗下子公司 IGBT 驅(qū)動器制造商 CT-Concept Technologie AG宣布推出全新雙信道 IGBT 驅(qū)動器核心，能處理高達(dá) 4.5 kV 的電壓。采用基于變壓器的信
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第2代FS SA T IGBT可顯著減少單端諧振逆變器總損耗
高壓IGBT的性能顯著提高?，F(xiàn)今最常用的IGBT技術(shù)是場截止IGBT(FS IGBT)技術(shù)，它結(jié)合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT結(jié)構(gòu)的優(yōu)點，同時克服了兩者的缺點。FS IGBT在導(dǎo)通狀態(tài)時提供
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基于TMS320F2812 的逆變電源控制器的設(shè)計與研究
近年來，現(xiàn)代逆變電源越來越趨向于高頻化，高性能，模塊化，數(shù)字化和智能化。 文中研制的逆變電源控制系統(tǒng)以TMS320F2812 作為控制核心，它是一種支持實時仿真的32 位微控制
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南車研制我國首款軌道交通用高壓IGBT芯片并通過鑒定
近日，中國南車旗下株洲南車時代電氣股份有限公司自主研制的軌道交通用3300伏電壓等級IGBT芯片通過鑒定。這也是我國首款具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的IGBT芯片，將能夠成功批量裝車應(yīng)用，填補(bǔ)了我國在該領(lǐng)域的空白。IGBT即
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三相PWM逆變器的主電路設(shè)計
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展， 逆變器的應(yīng)用已深入到各個領(lǐng)域， 一般均要求逆變器具有高質(zhì)量的輸出波形。逆變器輸出波形質(zhì)量主要包括兩個方面， 即穩(wěn)態(tài)精度和動態(tài)性能。因此， 研究既具有結(jié)構(gòu)和控制簡單， 又具有優(yōu)良動、靜態(tài)性能的逆變器控制方案， 一直是電力電子領(lǐng)域研究的熱點問題。
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如何創(chuàng)新的優(yōu)化IGBT電路保護(hù)
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較
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大功率IGBT散熱器水冷熱阻計算
摘要：為了優(yōu)化水冷散熱器散熱能力，保障其可靠工作，引用了傳熱學(xué)中的基本原理與公式，以散熱器外形的機(jī)械尺寸、水的強(qiáng)制對流換熱系數(shù)和水的導(dǎo)熱系數(shù)作為參數(shù)及變量推導(dǎo)了散熱器水冷熱阻的計算公式。同時為了滿足實
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針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器
引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?<200 W)，并且常常會把電
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IGBT礎(chǔ)知識大全
有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體
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Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器
器件的目標(biāo)定位是功率轉(zhuǎn)換器、頻率轉(zhuǎn)換器，以及風(fēng)力機(jī)、太陽能逆變器和汽車動力總成中的電機(jī)驅(qū)動21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高性能鍍金屬聚丙
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Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M，該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上，容量從0.047µF到10µF，
