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英飛凌展示可滿足客戶高要求的性能一流的IGBT—— 650V TRENCHSTOP™5
英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運動、可再生能源管理展覽會上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管&m
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IR推出全新1200V IGBT 為電機驅動及不間斷電源應用提升功率密度和效率
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，針對工業(yè)電機驅動及不間斷電源 (UPS) 應用進行了
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中頻加熱IGBT控制電路
IGBT控制電路原理圖如下圖所示，本電路可用于 中頻加熱系統(tǒng)。 其中，LM565是集成鎖相環(huán)電路，其功能是提供頻率穩(wěn)定的方波信號，通過調節(jié)電位器VR1即可改變LM565的輸出頻率。
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開關電源技術發(fā)展十大關注焦點
關注點一：功率半導體器件性能1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“超級結”(Super-Junction)結構，故又稱超結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾
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安森美半導體推出領先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級性能的IGBT 擴充產(chǎn)品陣容
新的IGBT器件擴充了額定電流范圍，為UPS、電火鍋、電飯煲及微波爐等電源應用提供高能效、高速開關能力21ic訊 安森美半導體(ON Semiconductor)持續(xù)擴充高性能絕緣門雙極晶體
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CONCEPT 推出雙信道 4.5 kV IGBT 驅動器，采用基于變壓器的信號接口，以及整合電源供應器
21ic訊 Power Integrations 旗下子公司 IGBT 驅動器制造商 CT-Concept Technologie AG宣布推出全新雙信道 IGBT 驅動器核心，能處理高達 4.5 kV 的電壓。采用基于變壓器的信
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第2代FS SA T IGBT可顯著減少單端諧振逆變器總損耗
高壓IGBT的性能顯著提高。現(xiàn)今最常用的IGBT技術是場截止IGBT(FS IGBT)技術，它結合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT結構的優(yōu)點，同時克服了兩者的缺點。FS IGBT在導通狀態(tài)時提供
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基于TMS320F2812 的逆變電源控制器的設計與研究
近年來，現(xiàn)代逆變電源越來越趨向于高頻化，高性能，模塊化，數(shù)字化和智能化。 文中研制的逆變電源控制系統(tǒng)以TMS320F2812 作為控制核心，它是一種支持實時仿真的32 位微控制
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南車研制我國首款軌道交通用高壓IGBT芯片并通過鑒定
近日，中國南車旗下株洲南車時代電氣股份有限公司自主研制的軌道交通用3300伏電壓等級IGBT芯片通過鑒定。這也是我國首款具有完全自主知識產(chǎn)權的IGBT芯片，將能夠成功批量裝車應用，填補了我國在該領域的空白。IGBT即
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三相PWM逆變器的主電路設計
隨著電力電子技術的發(fā)展， 逆變器的應用已深入到各個領域， 一般均要求逆變器具有高質量的輸出波形。逆變器輸出波形質量主要包括兩個方面， 即穩(wěn)態(tài)精度和動態(tài)性能。因此， 研究既具有結構和控制簡單， 又具有優(yōu)良動、靜態(tài)性能的逆變器控制方案， 一直是電力電子領域研究的熱點問題。
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如何創(chuàng)新的優(yōu)化IGBT電路保護
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結合功率MOSFET的工藝技術，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關頻率高、輸入阻抗較
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大功率IGBT散熱器水冷熱阻計算
摘要：為了優(yōu)化水冷散熱器散熱能力，保障其可靠工作，引用了傳熱學中的基本原理與公式，以散熱器外形的機械尺寸、水的強制對流換熱系數(shù)和水的導熱系數(shù)作為參數(shù)及變量推導了散熱器水冷熱阻的計算公式。同時為了滿足實
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針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅動器
引言對電能轉換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中，開關型功率轉換器通常為非隔離式，功率水平相當?shù)?<200 W)，并且常常會把電
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IGBT礎知識大全
有關IGBT你了解多少，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體
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Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器
器件的目標定位是功率轉換器、頻率轉換器，以及風力機、太陽能逆變器和汽車動力總成中的電機驅動21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高性能鍍金屬聚丙
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Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M，該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上，容量從0.047µF到10µF，
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美高森美為NPT IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件
全新25A、50A和 70A IGBT器件設計用于大功率、高性能的工業(yè)應用21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增
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IC制造業(yè)：28納米還有多遠
我國集成電路產(chǎn)業(yè)正致力于形成設計業(yè)、制造業(yè)、封裝測試業(yè)相對均衡發(fā)展的結構，IC制造企業(yè)在其中發(fā)揮重要作用。記者采訪了中國大陸IC制造企業(yè)有關人士，對今年市場熱點、技術走向做了詳盡分析。 智能手機平板電
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電源的種類詳解
下面還有電源方面的說明，主要還應用到電源控制方面1. 電力電子技術的發(fā)展現(xiàn)代電力電子技術的發(fā)展方向,是從以低頻技術處理問題為主的傳統(tǒng)電力電子學,向以高頻技術處理問題為
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中頻加熱IGBT控制電路
IGBT控制電路原理圖如下圖所示，本電路可用于 中頻加熱系統(tǒng)。 其中，LM565是集成鎖相環(huán)電路，其功能是提供頻率穩(wěn)定的方波信號，通過調節(jié)電位器VR1即可改變LM565的輸出頻率
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