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美高森美為NPT IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件
全新25A、50A和 70A IGBT器件設(shè)計用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增
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IC制造業(yè)：28納米還有多遠
我國集成電路產(chǎn)業(yè)正致力于形成設(shè)計業(yè)、制造業(yè)、封裝測試業(yè)相對均衡發(fā)展的結(jié)構(gòu)，IC制造企業(yè)在其中發(fā)揮重要作用。記者采訪了中國大陸IC制造企業(yè)有關(guān)人士，對今年市場熱點、技術(shù)走向做了詳盡分析。 智能手機平板電
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電源的種類詳解
下面還有電源方面的說明，主要還應(yīng)用到電源控制方面1. 電力電子技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展方向,是從以低頻技術(shù)處理問題為主的傳統(tǒng)電力電子學,向以高頻技術(shù)處理問題為
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中頻加熱IGBT控制電路
IGBT控制電路原理圖如下圖所示，本電路可用于 中頻加熱系統(tǒng)。 其中，LM565是集成鎖相環(huán)電路，其功能是提供頻率穩(wěn)定的方波信號，通過調(diào)節(jié)電位器VR1即可改變LM565的輸出頻率
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IGBT過流保護電路
IGBT過流保護電路如下圖所示，本電路可用于中頻加熱系統(tǒng)。 其中運放C814組成電壓跟隨器，其輸入是來自電流互感器的輸出，兩個電壓比較器C271組成窗口電壓比較器，比較器的輸
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IR推出更強IGBT產(chǎn)品在線選型和性能評估工具
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日提升絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 選型工具的性能，以優(yōu)化多種應(yīng)用的設(shè)計過
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IGBT知識梳理
有關(guān)IGBT你了解多少，今天就隨小編一起來系統(tǒng)的了解一下IGBT吧！IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效
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德州儀器柵極驅(qū)動器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設(shè)計需求
21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅(qū)動器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531
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IR擴充堅固可靠的600V溝道超高速IGBT系列
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，推出堅固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D和IRGP4660D，這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件尤
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飛兆高可靠性和卓越開關(guān)性能的陽極短路型IGBT
高功率和高頻率感應(yīng)加熱(IH)家用電器需要更低的傳導損耗和卓越的開關(guān)性能，以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。 飛兆半導體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode)
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飛兆半導體的陽極短路型IGBT具有高可靠性和卓越開關(guān)性能，適用于高功率感應(yīng)加熱應(yīng)用
高電壓IGBT可降低系統(tǒng)整體成本、電路板尺寸和總功耗高功率和高頻率感應(yīng)加熱(IH)家用電器需要更低的傳導損耗和卓越的開關(guān)性能，以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微
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開關(guān)電源歷程
1. 電力電子技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展方向,是從以低頻技術(shù)處理問題為主的傳統(tǒng)電力電子學,向以高頻技術(shù)處理問題為主的現(xiàn)代電力電子學方向轉(zhuǎn)變。電力電子技術(shù)起始于五
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UPS發(fā)展方向的幾個標志
1.高頻化電子產(chǎn)品的發(fā)展方向就是高頻化、數(shù)字化，UPS產(chǎn)品也不例外。以往的工頻機結(jié)構(gòu)產(chǎn)品都是模擬電路，后來經(jīng)過幾次改進上升為數(shù)字與模擬相結(jié)合的產(chǎn)品，在當今數(shù)字時代，有
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VMOS、IGBT逆變充電電路圖
逆變器中的開關(guān)元件選用VMOS或IGBT時，組成的充電電路，比用晶閘管作開關(guān)元件的充電電路的工作頻率高。
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提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法
如今市場上先進功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項艱巨的工作。就以太陽能逆變器應(yīng)用來說，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他
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功率器件IGBT應(yīng)用中的常見問題解決方法
1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
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東芝推出新款I(lǐng)GBT/MOSFET門驅(qū)動光電耦合器
工作溫度范圍為-40°C至125°C，有助于減少逆變電路的死區(qū)時間，提高效率東芝公司(Toshiba Corporation今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動中等容量的
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N溝道IGBT簡化等效電路圖講解
N溝道IGBT的簡化等效電路和電氣圖形符號電路N溝道IGBT，Infineon(英飛凌)公司的產(chǎn)品。功率半導體一直是西門子半導體的核心產(chǎn)品。西門子在全球率先推出NPT-IGBT，具有高可靠
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IGBT應(yīng)用于電磁爐系統(tǒng)電路圖
IGBT應(yīng)用于電磁爐的系統(tǒng)框圖電路圖IGBT應(yīng)用于電磁爐的系統(tǒng)框圖電路如圖為IGBT應(yīng)用于電磁爐的系統(tǒng)框圖電路圖。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管
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用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動器通用芯片
1 引言 scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動器的功能需求而設(shè)計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關(guān)斷門級電流通路;功率半導體器件在關(guān)斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
