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我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底能實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時(shí)
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我首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底能實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)?！辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H，南車時(shí)
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將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低
近年來，人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多，致使每個(gè)家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國家是這樣，新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增加，因?yàn)槿剂腺Y源
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我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底能實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。”并購丹尼克斯五周年之際，南車時(shí)
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我首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
“今年，我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模，在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴(kuò)大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底能實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。”并購丹尼克斯五周年之際，南車時(shí)
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意法半導(dǎo)體“無拖尾電流”600V IGBT突破功率設(shè)計(jì)限制
21ic訊 意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的V系列600V溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)IGBT[1]具有平順、無拖尾電流的關(guān)機(jī)特性，飽和電壓更是低達(dá)1.8V，最大工作結(jié)溫高達(dá)175°C，
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盤點(diǎn)2013電子科技大事記：藍(lán)牙/IC/IGBT征戰(zhàn)沙場
藍(lán)牙4.0超越過往 三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展微軟、蘋果等操作系統(tǒng)早已經(jīng)原生支持藍(lán)牙4.0，谷歌也于近日發(fā)布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技術(shù)。這意味著藍(lán)牙4.0得到了蘋果、谷歌、微軟為代表的三
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盤點(diǎn)2013電子科技大事記：藍(lán)牙/IC/IGBT征戰(zhàn)沙場
藍(lán)牙4.0超越過往 三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展 微軟、蘋果等操作系統(tǒng)早已經(jīng)原生支持藍(lán)牙4.0，谷歌也于近日發(fā)布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技術(shù)。這意味著藍(lán)牙4.0得到了蘋果、谷歌、微軟為
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逆變器市場走向整合 IGBT芯片技術(shù)提升能源效率
【導(dǎo)讀】12月19日，將于蘇州書香世家平江府酒店舉辦第三節(jié)光伏逆變器關(guān)鍵元器件技術(shù)與應(yīng)用研討會。屆時(shí)，Infineon工業(yè)功率器件產(chǎn)品經(jīng)理陳子穎將為參會工程師帶來主題為《IGBT芯片技術(shù)與能源效率》的演講。 訊：據(jù)
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飛兆半導(dǎo)體推出1200 V 溝槽型場截止IGBT 提供更快速的開關(guān)性能
高壓IGBT可降低高功率太陽能逆變器、UPS和電焊機(jī)中的總功耗、電路板尺寸和整體系統(tǒng)成本21ic訊 飛兆半導(dǎo)體推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關(guān)工業(yè)應(yīng)用為目標(biāo)，如太
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北京能高：水冷逆變技術(shù)不走“尋常路”
近日，國內(nèi)推出的首個(gè)兆瓦級水冷型預(yù)裝式光伏逆變站在國家能源太陽能發(fā)電研發(fā)中心通過并網(wǎng)性能測試工作，此次測試依據(jù)最新國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T19964-2012《光伏發(fā)電站接入電力系統(tǒng)技術(shù)規(guī)定》開展，采用由中國電科院完全自主
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利用安森美半導(dǎo)體IGBT實(shí)現(xiàn)高能效的高性能開關(guān)應(yīng)用
今天，不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開關(guān)應(yīng)用，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)都可以提供有效的解決方案，以實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場上，電子設(shè)計(jì)人員
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株洲南車時(shí)代擬投資15億元建設(shè)IGBT芯片生產(chǎn)線
我們每天在乘坐交通工具的時(shí)候，可以很容易地感受其便利性，但卻很少了解其對能源的消耗、對環(huán)境的影響等等。當(dāng)然，已經(jīng)意識到這些問題的人會盡可能選擇騎自行車或步行，但為數(shù)不多，對環(huán)境的改善之力也微乎其微。株
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導(dǎo)入H型橋式拓?fù)浼軜?gòu) 1,700V IGBT提升轉(zhuǎn)換效能
絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)模組可望大幅提升比價(jià)比。因應(yīng)市場愈來愈激烈的價(jià)格競爭，IGBT模組開發(fā)商研發(fā)出采用H型橋式拓?fù)潆娐芳軜?gòu)的新一代1,700V解決方 案，不僅體積較市面上既有產(chǎn)品更加小巧，且轉(zhuǎn)換效率和耐用性也
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南車時(shí)代：大功率半導(dǎo)體器件IGBT產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目
我們每天在乘坐交通工具的時(shí)候，可以很容易地感受其便利性，但卻很少了解其對能源的消耗、對環(huán)境的影響等等。當(dāng)然，已經(jīng)意識到這些問題的人會盡可能選擇騎自行車或步行，但為數(shù)不多，對環(huán)境的改善之力也微乎其微。株
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南車時(shí)代IGBT銷售突破6萬只
截至10月23日，南車時(shí)代公司自主研制的大功率IGBT產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)銷售達(dá)到6萬只規(guī)模，受惠于當(dāng)前軌道交通新一輪市場回暖利好，目前公司的大功率IGBT封裝生產(chǎn)線已進(jìn)入滿負(fù)荷運(yùn)行狀態(tài)，公司引領(lǐng)國內(nèi)IGB
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揭秘IGBT市場成長的動力來源
據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。IGBT將在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能
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揭秘IGBT市場成長的動力來源
21ic訊 據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美
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中高壓IGBT市場井噴 工控行業(yè)需求強(qiáng)烈
根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole的調(diào)查報(bào)告顯示，全球IGBT市場在2013年已回歸到穩(wěn)步上升的軌道，市場規(guī)模預(yù)計(jì)約為36億美元，且在隨后的5年時(shí)間內(nèi)該市場將繼續(xù)保持穩(wěn)定的發(fā)展速度，市場規(guī)模至2018年將達(dá)到60億美元的數(shù)值。在產(chǎn)品
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IGBT在電力電子行業(yè)中占有重要地位
要實(shí)現(xiàn)“十一五”規(guī)劃中提出的“單位國內(nèi)生產(chǎn)總值能源消耗比‘十五’期末降低20%左右”的目標(biāo)，關(guān)鍵是要有效降低工業(yè)生產(chǎn)過程中那些大電流和高電壓應(yīng)用的功耗，如交流電機(jī)控制、逆變器
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