【導(dǎo)讀】2012年,不僅變頻空調(diào)市場占有率大幅提升,變頻技術(shù)在其他家電品類的推廣應(yīng)用也取得了突破性進展。在家電市場上,越來越多的冰箱、洗衣機和小家電應(yīng)用了變頻控制技術(shù),變頻家電市場的全面啟動在一定程度上帶
【導(dǎo)讀】功率器件特別是igbt在節(jié)能減排、新能源、新能源汽車、高鐵、智能電網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代和不可或缺的重要作用,是低碳經(jīng)濟的關(guān)鍵核“芯”。 摘要: 功率器件特別是igbt在節(jié)能減排、新能源、新能源汽車、
2014年5月28日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)獲中國主要半導(dǎo)體行業(yè)雜志之一的《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源技術(shù)及產(chǎn)品獎之功率元器件類最佳產(chǎn)品獎。這每年一度的獎
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點(控制和響應(yīng)),又有雙極
新器件可降低高達 30% 的開關(guān)損耗,使系統(tǒng)更加節(jié)能高效21ic訊 英飛凌科技股份公司全新推出一款單片集成逆導(dǎo)二極管的 650V器件,再次擴展其最新一代逆導(dǎo)軟開關(guān)IGBT(絕緣柵雙
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,并提供多種封裝選擇。堅固可靠的全新IRxx46xx 器件系列為完整的功率
中國證券網(wǎng)訊(記者 王偉麗) 華微電子29日晚間公布的一季報顯示,營業(yè)收入279,117,406.06 元,同比增長9.07%,凈利潤12,491,472.78元,同比增長2.52%。每股收益0.02元,與上年同期持平。2013年度國內(nèi)新型LED 光源、
士蘭微4月16日公布2014年1季報預(yù)增公告,公司2014年1季度歸屬母公司凈利潤預(yù)計在1920萬-2180萬,同比增長270%-320%。高增長超預(yù)期。 士蘭微業(yè)績驗證半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向好:2013年是半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的起點,今
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 士蘭微4月16日公布2014年1季報預(yù)增公告,2014年1季度歸屬母公司凈利潤預(yù)計在1920萬-2180萬,同比增長270%-320%。高增長超預(yù)期。士蘭微業(yè)績驗證半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向好:2013年是半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)
就在人們還在為時速500Km/h的國內(nèi)高鐵實驗列車上線開跑而感到高興的時候,中國的工程師們已經(jīng)在籌劃速度更快的車型。據(jù)《人民日報》報道,中國南車株洲基地建造的國內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片生產(chǎn)線
中國南車株洲基地建造的國內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片生產(chǎn)線,日前通過專家鑒定,將于今年6月全線投產(chǎn)。這意味著我國打破了國外技術(shù)壟斷,掌握了高速列車最核心的技術(shù),中國高鐵將用上“中國芯&
就在人們還在為時速500Km/h的國內(nèi)高鐵實驗列車上線開跑而感到高興的時候,中國的工程師們已經(jīng)在籌劃速度更快的車型。據(jù)《人民日報》報道,中國南車株洲基地建造的國內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片生產(chǎn)線
高壓變頻電源的主電路采用交-直-交電壓型電路,由大功率全控型電力電子器件IGBT構(gòu)成橋式逆變電路.控制電路采用脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)和單片機(80196KB)控制技術(shù).1.IGBT驅(qū)動電路
國際整流器公司(International Rectifier,IR)推出堅固耐用的IR25750 通用電流感測IC,并以極纖巧的 SOT23-5L 封裝,為高電流應(yīng)用提升整體系統(tǒng)效率及大幅節(jié)省空間。要量測流過功率 MOSFET 或 IGBT 的高電流(10到100A
士蘭微4月16日公布2014年1季報預(yù)增公告,2014年1季度歸屬母公司凈利潤預(yù)計在1920萬-2180萬,同比增長270%-320%。高增長超預(yù)期。 士蘭微業(yè)績驗證半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向好:2013年是半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的起點,今
【導(dǎo)讀】由英飛凌科技股份公司牽頭的 “InduKOCH”研發(fā)項目的最新成果顯示,電磁爐變得越來越經(jīng)濟和節(jié)能,這一為期三年的項目的研發(fā)團隊包括家用電器零部件供應(yīng)商E.G.O.集團、不來梅大學(xué)電氣驅(qū)動電力電子設(shè)備學(xué)院(IA
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor),它是八十年代初誕生,九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點集于一身,既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動
2014年4月9日——由英飛凌科技股份公司牽頭的 “InduKOCH”研發(fā)項目的最新成果顯示,電磁爐變得越來越經(jīng)濟和節(jié)能,這一為期三年的項目的研發(fā)團隊包括家用電器零部件供應(yīng)商E.G.O.集團、不來梅大學(xué)
意法半導(dǎo)體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)擁有比競爭對手的高頻產(chǎn)品低達40%的關(guān)機能耗,同時可降低達30%的導(dǎo)通損耗。HB系列利用意法半導(dǎo)體的溝柵式場截止型高速晶體管制造工
最新的高速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)兼具近乎完美的開關(guān)能效和650V的寬額定工作電壓,為應(yīng)用設(shè)計提供更高的安全系數(shù)意法半導(dǎo)體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-G