-
IR推出600V IR25750 SOT-23電流檢測IC 提升效率并節(jié)省空間
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商—國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的IR25750通用電流檢測IC，配有極纖巧的SOT23-5L封裝，為大電流應(yīng)用提升整體系統(tǒng)效率并且大幅節(jié)省空間。測量通過
-
IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
摘 要：通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動要求和保護(hù)方法等討論，介紹了的一種可驅(qū)動高壓大功率IGBT的集成驅(qū)動模塊HCPL-3I6J的應(yīng)用關(guān)鍵詞：IGBT;驅(qū)動保護(hù)電路;電源0
-
一種新型實(shí)用的 IGBT 驅(qū)動電路
摘要：在分析了IGBT 驅(qū)動條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見的 IGBT 驅(qū)動電路，并給出了各自的優(yōu)缺點(diǎn)。給出了自行設(shè)計(jì)的一種簡單、實(shí)用的新型IGBT 驅(qū)動電路。經(jīng)實(shí)踐表明，該電路經(jīng)
-
IR推出堅(jiān)固耐用的600V IR25750 SOT-23電流檢測IC 提升整體系統(tǒng)效率并大幅節(jié)省空間
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的IR25750通用電流檢測IC，配有極纖巧的SOT23-5L封裝，為大電流應(yīng)用提升整體系統(tǒng)效率并且大幅節(jié)省
-
國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線將投產(chǎn)
近日，參加第三屆“車迷有約走進(jìn)南車”活動的近60名火車迷走進(jìn)中國南車株洲基地，參觀了助力中國高鐵走向“芯時代”的國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線。從而揭開了高鐵在老百姓心中的神秘面紗。據(jù)中國南車技術(shù)專家介紹，
-
Vishay發(fā)布用于電機(jī)控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器
新器件的最短外爬電距離為10mm21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和
-
IGBT如何選型四大步輕松搞定
逆變技術(shù)對IGBT的參數(shù)要求并不是一成不變的，逆變技術(shù)已從硬開關(guān)技術(shù)，移相軟開關(guān)技術(shù)發(fā)展到雙零軟開關(guān)技術(shù)，各個技術(shù)之間存在相輔相成的紐帶關(guān)系， 同時具有各自的應(yīng)用電路要求特點(diǎn)，因而，對開關(guān)器件的IGBT的要求各
-
大功率IGBT高頻逆變電焊機(jī)電路圖
大功率IGBT高頻逆變電焊機(jī)電路如下圖所示：
-
高壓高功率密度IGBT技術(shù)打破國外壟斷實(shí)現(xiàn)最高水平
從中國南車獲悉，公司下屬的株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發(fā)”項(xiàng)目鑒定會上，研制的國內(nèi)唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，該項(xiàng)目代
-
IR推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V IGBT 為感應(yīng)加熱和軟開關(guān)應(yīng)用作出優(yōu)化
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開關(guān)
-
國產(chǎn)IGBT功率器件春暖花開
當(dāng)前，在日益嚴(yán)峻的環(huán)境問題和能源消耗的壓力之下，綠色能源領(lǐng)域正成為世界各國的發(fā)展目標(biāo)，由此也帶動了整個功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，尤其是功率半導(dǎo)體核心器件——IGBT。在中國，為了適應(yīng)大環(huán)境的需求，扶持相關(guān)企業(yè)
-
國內(nèi)首條大功率IGBT芯片生產(chǎn)線迎來社會公眾參觀
牽引萬噸的電力機(jī)車是如何制造出來的？高速列車是如何跑出時速605公里的速度的？2月24日—25日，參加第三屆“車迷有約走進(jìn)南車”活動的近60名火車迷走進(jìn)中國南車株洲基地，參觀了助力中國高鐵走向“芯時代”的國內(nèi)首
-
常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)匯總
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動 功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極
-
英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導(dǎo)IGBT
21ic訊 英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件，再次擴(kuò)充逆導(dǎo)(RC) 軟開關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H
-
中國首款6500伏高壓IGBT芯片研制成功
【導(dǎo)讀】IGBT芯片，即“絕緣柵雙極型晶體管芯片”，是新一代功率半導(dǎo)體器件。工作中，通過調(diào)整柵極電壓的大小和極性，可改變相關(guān)控制器的開通與關(guān)閉。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、船
-
N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究
摘要：N+緩沖層設(shè)計(jì)對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，
-
基于UC3825的低壓大電流開關(guān)電源
介紹了一種以PWM 控制芯片UC3825為核心的低壓大電流開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方案， 闡述了主電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及主控制電路的電路設(shè)計(jì)， 并設(shè)計(jì)了軟啟動及過壓過流保護(hù)電路， 應(yīng)用反饋手段和脈寬調(diào)制技術(shù)實(shí)現(xiàn)了電壓、電流的穩(wěn)定輸出， 并研制了1臺15 V /1 200 A的樣機(jī)。
-
國產(chǎn)最高性能IGBT芯片及其模塊躋身國際領(lǐng)先水平
（作者：成舸 劉亞鵬）近日，由中國南車株洲所主持研制的國內(nèi)最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，并通過成果鑒定，刷新了1年前該公司自主研制的3300伏IGBT芯片電壓等級和功率密
-
電動汽車重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組工作會議在京召開
[摘要] 2014年1月3日，電動汽車重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組工作會議在北京召開，會議針對國內(nèi)外電動汽車技術(shù)發(fā)展動態(tài)和電動汽車重點(diǎn)專項(xiàng)下一步發(fā)展思路進(jìn)行了研討。 2014年1月3日，電動汽車重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組工
-
國內(nèi)自主研發(fā)最高壓IGBT芯片及模塊面世 上半年投產(chǎn)
近日，由株洲南車時代電氣股份有限公司自主研發(fā)的6500伏高壓IGBT芯片及模塊在株洲通過省級鑒定。來自中國工程院、中國科學(xué)院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等單位的專家認(rèn)為，該產(chǎn)品具有耐高壓、損
xiaokefei
hm365703550
jasonyeh333
江陽
朱德榮
Afei1106
tianxing008
caoqing
ddb_21ic
asd1006461468
wangshujun
瞎折騰
DESERT134
wx85105157
hebin.en
zhao2673
Kevion_lin
海中水
WRB9609
Blueshadow1002
