1 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護(hù)電路 電網(wǎng)電壓檢測、高壓檢測保護(hù)電路原理如圖1 所示。該輸入電壓與電網(wǎng)電壓成正比,單片機(jī)以此電壓為依據(jù),與內(nèi)部設(shè)定值進(jìn)行比較,判斷工作電壓是否在其允許值范圍內(nèi)。若超過允許值
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求,但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng),它們需要更高的功率級(jí)別。對(duì)于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或
日本311大地震導(dǎo)致氣體鹽酸(HCL)缺貨短缺,漢磊(5326)的磊晶圓(Epi Wafer)產(chǎn)能受到影響,但隨著氣體鹽酸供貨回復(fù)正常,漢磊6月起磊晶圓產(chǎn)能利用率已回升到100%。 漢磊總經(jīng)理陳煌彬表示,由于節(jié)能減碳需求強(qiáng)
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求,但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng),它們需要更高的功率級(jí)別。對(duì)于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求,但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng),它們需要更高的功率級(jí)別。對(duì)于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或
本文提出的變頻電源,從根本上克服了上述弊端,是一種性能優(yōu)良的靜止變頻電源。
5月25日,中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基,標(biāo)志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只,中國南車成為國內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封
5月25日,中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基,標(biāo)志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只,中國南車成為國內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封裝、系統(tǒng)應(yīng)
5月25日,中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基,標(biāo)志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只,中國南車成為國內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封裝、系統(tǒng)應(yīng)
本文介紹的激光電源為工作于重復(fù)脈沖方式的固體激光器提供電能。該激光器采用氙燈作泵浦光源,在惰性氣體燈中,氙氣的總轉(zhuǎn)換效率最高。激光器用于激光打標(biāo),工作頻率每秒60次。電源系統(tǒng)采用IGBT管全橋逆變方式,工作頻率為20kHz,控制電路采用PWM方式。
21ic訊 在PCIM Europe 2011展會(huì)上,英飛凌科技(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)600V逆導(dǎo)型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基,這標(biāo)志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。IGBT(新型功率半導(dǎo)體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于軌道交通
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基,這標(biāo)志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。IGBT(新型功率半導(dǎo)體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品,廣泛應(yīng)
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基,這標(biāo)志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。IGBT(新型功率半導(dǎo)體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于軌道交通
5月21日,江蘇宏微科技深圳分公司宣布正式成立。宏微科技秉承“宏圖之志,成于細(xì)微”的創(chuàng)業(yè)理念,深耕電力電子器件領(lǐng)域,其研發(fā)的FRED、VDMOS、IGBT分立器件及其模塊也已應(yīng)用到工業(yè)、新能源等各個(gè)領(lǐng)域。在成立大會(huì)上
世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布,公司與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)成功進(jìn)入量產(chǎn),成為
世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布,公司與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)成功進(jìn)入量產(chǎn),成為國內(nèi)第
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是,近
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。 令人鼓舞的是,
上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司(“上海先進(jìn)”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進(jìn)于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是,近