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智能電網(wǎng)發(fā)展需要支撐 八成業(yè)務(wù)涉物聯(lián)網(wǎng)
國家電網(wǎng)信息通信有限公司副總工程師李祥珍日前透露，國家電網(wǎng)在2020前將投資4萬億元用于智能電網(wǎng)的建設(shè)。在國家電網(wǎng)看來，要建設(shè)以特高壓電網(wǎng)為骨干網(wǎng)架、各級電網(wǎng)協(xié)調(diào)發(fā)展的中國特色堅強(qiáng)智能電網(wǎng)，其中物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用
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美華裔科學(xué)家因電子芯片榮膺杰出創(chuàng)新家
麻省理工學(xué)院(MIT)權(quán)威雜志“科技評論”(Technology Review)選出華裔科學(xué)家傅佳偉(Kevin Fu)，為2009年度杰出創(chuàng)新家(2009 Innovator of the Year)。因為他發(fā)展出的科技可望對人類的未來造成重大影響。傅佳
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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片
聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作
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硅品 吃超威CPU封測大單
封測大廠硅品精密（2325）拿下超威（AMD）中央處理器（CPU）封測大單！超威5月中旬已對ODM/OEM廠及合作伙伴發(fā)出產(chǎn)品變更通知（PCN），將釋出8款處理器委由硅品代工覆晶封測，主要集中在Athlon II X2及Sempron等兩款處
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新聞分析－IDM廠釋單 不再是口號
封測廠等了多年的IDM廠委外釋單，終于見到明顯增加，而會讓IDM廠如此「阿沙力」把訂單大量丟出來的主要原因，卻是2008年底至2009年初的全球金融海嘯。如今，英特爾大量釋出南橋及網(wǎng)絡(luò)芯片委外，英飛凌、德儀等大廠也
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臺積電杜東佑：專利是可營運資產(chǎn)
臺積電法務(wù)長杜東佑（Richard Thuseton）今年再度獲得臺灣區(qū)最佳年度企業(yè)法務(wù)大獎（IP Counsel of the Year Award），而臺積電與中芯國際間的專利侵權(quán)官司以和解收場，更證實了杜東佑帶領(lǐng)的臺積電法務(wù)團(tuán)隊，的確是實
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22nm以后的有力候選：FD-SOI元件與FinFET接近實用化的不斷發(fā)布
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通道中添加雜質(zhì)，易于控制特性的不均現(xiàn)象
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IBM采用直徑3nm FET25級環(huán)形振蕩器動作，瞄準(zhǔn)10nm以下工藝
美國IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級CMOS環(huán)形振蕩器，并實際確認(rèn)
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TSMC、美商Stion簽訂技術(shù)與生產(chǎn)供應(yīng)協(xié)議
臺積電(TSMC)與薄膜太陽能電池模塊業(yè)者美商Stion公司宣布，雙方已經(jīng)在技術(shù)授權(quán)、生產(chǎn)供應(yīng)以及合作開發(fā)方面簽訂一系列的協(xié)議。同時， TSMC 關(guān)系企業(yè) VentureTech Alliance 公司，也將投資美商Stion公司5,000萬美金，
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ICC、TSMC、復(fù)旦大學(xué)共創(chuàng)產(chǎn)學(xué)研合作三贏
前不久，上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心(以下簡稱ICC)與TSMC、復(fù)旦大學(xué)共同宣布，將攜手展開系列產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟合作。根據(jù)協(xié)議，TSMC將通過ICC的MPW 服務(wù)平臺為復(fù)旦大學(xué)提供65nm先進(jìn)工藝的多項目晶圓服務(wù)，并為復(fù)旦大學(xué)
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臺積電：14nm制程節(jié)點將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)
據(jù)參加了比利時微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露，與會的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表）的計劃。其中來自半導(dǎo)體
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市場轉(zhuǎn)好 WSTS及 SIA提高預(yù)測
如果您是半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)言者，六個月過去將作什么調(diào)整？隨著前幾個月半導(dǎo)體業(yè)轉(zhuǎn)入增長時代，WSTS及SIA將調(diào)整去年11月的預(yù)測，而作新的2010年半年預(yù)測。目前WSTS對于2010年非常樂觀，與先前的預(yù)測相比，增加3倍達(dá)29％為
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蔣尚義：臺積電14nm制程節(jié)點將轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)
據(jù)參加了比利時微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露，與會的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以 Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表）的計劃。其中來自半導(dǎo)體
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Intel新版32nm工藝叩開智能手機(jī)之門
Intel嘗試進(jìn)入智能手機(jī)領(lǐng)域由來已久，但始終不得其門而入，現(xiàn)在憑借新工藝而實現(xiàn)的RF SoC，Intel有希望再跨過一道檻了。 無論是ARM架構(gòu)的XScale芯片，還是x86 Atom架構(gòu)的片上系統(tǒng)(SoC)，Intel在智能手機(jī)領(lǐng)域內(nèi)的努
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派睿電子母公司榮膺FCI 頒發(fā)的“卓越表現(xiàn)–增長最快分銷商”大獎
派睿電子的母公司Premier Farnell集團(tuán)日前獲得了由FCI頒發(fā)的 “卓越表現(xiàn)-增長最快分銷商”獎項，以表彰該公司在FCI收入增長及新客戶獲得方面所取得的成就。 Premier Farnell是大會上唯一一家在2010年5月25日FCI在深
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