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聯(lián)電爾必達(dá)力成合攻3D IC

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結(jié)合在三維（3D）IC的設(shè)計(jì)、制造與封裝等優(yōu)勢(shì)，投入開(kāi)發(fā)整合邏輯芯片及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生

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2010-06-22

聯(lián)電爾必達(dá) IC DRAM
聯(lián)電：3D IC會(huì)全面擴(kuò)及各應(yīng)用拼完整解決方案

晶圓代工業(yè)者聯(lián)電(2303)執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉于今(21)日表示，聯(lián)電將以自身在先進(jìn)邏輯制程上的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，與日商Elpida、力成(6239)等兩大業(yè)者在3D IC領(lǐng)域上進(jìn)行廣泛的技術(shù)合作，且預(yù)計(jì)會(huì)以TSV(Through-Silicon Via,直通硅晶穿

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2010-06-22

制程技術(shù) PID 聯(lián)電 IC
以測(cè)試工序提高SRAM制造誤差容限，東京大學(xué)與STARC開(kāi)發(fā)

對(duì)晶體管制造誤差導(dǎo)致的SRAM工作不穩(wěn)定性，在芯片制造后的測(cè)試工序上加以改善的方法，由東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究科電氣系工學(xué)專業(yè)副教授竹內(nèi)健的研究小組與日本半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）聯(lián)手開(kāi)發(fā)成功。該項(xiàng)成

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2010-06-22

晶體管 ST SRAM RC
東芝等開(kāi)發(fā)出三維FPGA，將SRAM層積在邏輯IC上使芯片面積減半

東芝在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，其與日本CovalentMaterials、美國(guó)Tier Logic Inc.以及TeiTechnology共同在CMOS邏輯電路上以非晶硅TFT技術(shù)實(shí)現(xiàn)了SRAM的三維積層，即“

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2010-06-22

FPGA 芯片東芝 SRAM
東京大學(xué)等在厚度不到10μm的晶圓上形成FeRAM和邏輯電路

東京大學(xué)在半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSITechnology”上宣布，該公司與富士通微電子（現(xiàn)富士通半導(dǎo)體）、大日本印刷、富士通研究所以及迪思科（Disco）共同在厚度降至10μm以下的半導(dǎo)體晶圓上形成

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2010-06-22

晶圓金屬 RAM 邏輯電路
Cadence宣布與臺(tái)積電在28奈米先進(jìn)制程最新合作

益華計(jì)算機(jī)(Cadence)宣布其TLM (transaction-level modeling) 導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、 3D IC 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，以及整合 DFM 等先進(jìn) Cadence 設(shè)計(jì)技術(shù)與流程，已經(jīng)融入臺(tái)積電(TSMC)設(shè)計(jì)參考流程11.0版中。同時(shí) Cadence也宣布支持

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2010-06-22

先進(jìn)制程臺(tái)積電 LM CADENCE
聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作最快2012年量產(chǎn)

晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(dá)(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對(duì)包括28奈米先進(jìn)制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進(jìn)行合作。聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，有鑒于摩爾定律的成長(zhǎng)已經(jīng)趨緩

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2010-06-21

聯(lián)電爾必達(dá) IC DRAM
簽訂3D IC技術(shù)合約蔡篤恭：技術(shù)到位后自然有市場(chǎng)需求

力成董事長(zhǎng)蔡篤恭今日表示，只要3D IC的TSV技術(shù)率先達(dá)成熟階段，市場(chǎng)需求自然會(huì)浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠爾必達(dá)(6665-JP)，臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測(cè)大廠力成(6239-TW)今(21

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2010-06-21

聯(lián)電爾必達(dá) IC DRAM
聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布連手開(kāi)發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3DIC時(shí)代來(lái)臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開(kāi)記者會(huì)對(duì)外宣布共同開(kāi)發(fā)硅穿孔(TSV)3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏

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2010-06-21

內(nèi)存聯(lián)電爾必達(dá) IC
力晶首季銷售激增逾8成躍居全球第5大DRAM供應(yīng)商

研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，力晶2010年首季銷售季成長(zhǎng)81%，已躍居全球第5大DRAM供應(yīng)廠。全球DRAM產(chǎn)業(yè)首季營(yíng)收比前1季成長(zhǎng)8.8%，根據(jù)iSuppli的資料，前5大DRAM廠約占全球整體DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的91%，前2大廠三星電子(SamsungEl

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2010-06-21

三星電子海力士 ISUPPLI DRAM
海力士：無(wú)錫封測(cè)廠可月產(chǎn)1億顆1GB DRAM

全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布，該公司已與大陸廠商無(wú)錫太極實(shí)業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無(wú)錫市建成第二座內(nèi)存廠房，名稱為「高科技半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司(HitechSemiconductorPackage

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2010-06-21

海力士 NI GB DRAM
Cadence擴(kuò)大與臺(tái)積電合作　推進(jìn)28奈米

益華(Cadence)拓展與臺(tái)積電合作范圍，宣布支持臺(tái)積電模擬／混合訊號(hào)(Analog/Mixed-Signal)設(shè)計(jì)參考流程1.0版，以實(shí)現(xiàn)28奈米制程技術(shù)。另一方面，TLM(Transaction-Level Modeling)導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、3D IC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以及整

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2010-06-21

模擬臺(tái)積電 SIP CADENCE
茂德63奈米試產(chǎn)成功　將引進(jìn)3~5家策略聯(lián)盟伙伴

茂德宣布成功在中科12吋晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63奈米1Gb容量DDR3產(chǎn)品，預(yù)計(jì)8月開(kāi)始會(huì)大量導(dǎo)入63奈米制程，年底前拉至3.5萬(wàn)片水平，同時(shí)預(yù)計(jì)在2011年下半導(dǎo)入45奈米制程，屆時(shí)考慮將12吋晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬(wàn)片

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2010-06-21

晶圓廠 PC MOBILE 爾必達(dá)
臺(tái)積電采用TLM導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、3D IC設(shè)計(jì)與完善整合DFM功能

益華計(jì)算機(jī)(Cadence)宣布，TLM (transaction-level modeling)導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、3D IC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以及整合DFM等先進(jìn)CadenceR設(shè)計(jì)技術(shù)與流程，已經(jīng)融入臺(tái)積電設(shè)計(jì)參考流程11.0版中。 Cadence的技術(shù)有助于28奈米TLM到GD

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2010-06-21

臺(tái)積電 IC設(shè)計(jì) DFM LM
熱點(diǎn)遭冷遇？本土IC企業(yè)如何挑戰(zhàn)高門檻市場(chǎng)

“健康”、“環(huán)保”是近年全球媒體報(bào)道中最熱門的關(guān)鍵詞之一，而這些熱點(diǎn)概念背后是巨大的產(chǎn)業(yè)商機(jī)，具體到電子行業(yè)而言包括家用及便攜醫(yī)療電子設(shè)備、低功耗節(jié)能技術(shù)，如智能電表等等。在首屆深

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2010-06-21

高精度 SoC ADC IC

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聯(lián)電爾必達(dá)力成合攻3D IC

聯(lián)電：3D IC會(huì)全面擴(kuò)及各應(yīng)用拼完整解決方案

以測(cè)試工序提高SRAM制造誤差容限，東京大學(xué)與STARC開(kāi)發(fā)

東芝等開(kāi)發(fā)出三維FPGA，將SRAM層積在邏輯IC上使芯片面積減半

東京大學(xué)等在厚度不到10μm的晶圓上形成FeRAM和邏輯電路

Cadence宣布與臺(tái)積電在28奈米先進(jìn)制程最新合作

聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作最快2012年量產(chǎn)

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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布連手開(kāi)發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

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臺(tái)積電采用TLM導(dǎo)向設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、3D IC設(shè)計(jì)與完善整合DFM功能

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