臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(TSIA)指出,2008年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約為1兆3743億元,較前年減少了8.1%;預(yù)估今年仍將持續(xù)受到全球景氣衰退影響,整體產(chǎn)值更將掉至兆元之內(nèi),約9845億元,年減 26.9%,其中又以IC制造業(yè)衰退33.5%最
意法半導(dǎo)體(ST)推出全新系列的30V表面貼裝功率晶體管,導(dǎo)通電阻僅為2毫歐(最大值),新產(chǎn)品可提高計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的能效。采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET VI DeepGATE制造工藝,單元密度提高,以有效芯片尺
隨著電池供電和功率敏感應(yīng)用的急劇增長刺激了全球?qū)Φ凸陌雽?dǎo)體的需求,設(shè)計(jì)人員正逐漸發(fā)現(xiàn)需要采用低功耗可重編程解決方案來適應(yīng)不斷演進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù);加快上市速度,并提供下一代前沿硅解決方案所需的封裝和功耗性能。對(duì)于當(dāng)前采用可編程邏輯技術(shù)的設(shè)計(jì)人員來說,確定哪一種是最佳器件主要取決于功耗、性能、邏輯和I/O數(shù)量等設(shè)計(jì)約束。
SEMI Material Market Data Subscription (MMDS)數(shù)據(jù)顯示,2008年全球半導(dǎo)體材料市場較2007年基本持平,第四季度迅速放緩的全球經(jīng)濟(jì)壓制了材料市場的增長,但整個(gè)年度仍獲得微幅增長,2008年半導(dǎo)體材料市場為427億美
針對(duì)半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng),電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(JEITA)半導(dǎo)體分會(huì)、半導(dǎo)體技術(shù)委員會(huì)、半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品技術(shù)專門委員會(huì)舉行了08年度活動(dòng)報(bào)告會(huì)?!叭绻徽莆瞻雽?dǎo)體的EMC特性,確保電子產(chǎn)品的EMC性能,產(chǎn)品開發(fā)就會(huì)變得
日本大和房建工業(yè)聯(lián)合NABESHO和京瓷共同開發(fā)出了LED照明系統(tǒng)“gracelumino”。將從2009年4月1日開始上市。設(shè)想用于便利店和賓館等商業(yè)設(shè)施。利用NABESHO的色彩效果和照明器具的配光設(shè)計(jì)技術(shù)開發(fā)出了電力監(jiān)測系統(tǒng),對(duì)
專家認(rèn)為,受持續(xù)增長的移動(dòng)設(shè)備和汽車應(yīng)用需求的驅(qū)動(dòng),晶圓級(jí)封裝(WLP)將向I/O數(shù)更高和引腳節(jié)距更小的方向發(fā)展。2009年其他需要關(guān)注的WLP趨勢還包括大功率和高精度精密器件、穿透硅通孔(TSV)、扇出和嵌入式閃存。
如圖所示為采用微型(SOT23封裝)反相電荷泵集成電路MAX1721構(gòu)成的微型極性反轉(zhuǎn)電源。本電路只需在MAX1721的外部接一只0.33μF的小容量、小尺寸的電容器,就可完成極性反轉(zhuǎn),即輸出電壓Vo=-Vi。
英飛凌科技股份公司宣布推出內(nèi)嵌閃存組件的新款微控制器(MCU)產(chǎn)品,包括面向多種工業(yè)應(yīng)用的8位微控制器、16位微控制器系列,以及歸屬TriCore™ 32位產(chǎn)品系列的部分型號(hào)。所有這些微控制器解決方案,被設(shè)計(jì)用于
新款8位/16位/32位微控制器(英飛凌)