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封裝

我要報(bào)錯(cuò)
封裝，Package，是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過程，簡單地說，就是把Foundry生產(chǎn)出來的集成電路裸片（Die）放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來，然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞，“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動(dòng)作；作為名詞，“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別，基底和外殼、引線的材料，強(qiáng)調(diào)其保護(hù)芯片、增強(qiáng)電熱性能、方便整機(jī)裝配的重要作用。

  • 日月光獲英特爾南橋芯片大部分訂單

    全球最大晶片龍頭英特爾(Intel)今年初開始關(guān)閉不具經(jīng)濟(jì)效益的封測廠，業(yè)界傳出，英特爾評(píng)估將全面釋出南橋芯片(south bridge)的封裝代工訂單，并由全球最大封測廠日月光囊括絕大部分訂單，對(duì)日月光本季及下半年?duì)I運(yùn)將

  • 便攜式充電設(shè)備開關(guān)（Diodes）

    Diodes公司應(yīng)用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設(shè)備的開關(guān)。Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個(gè)20V的P溝道增強(qiáng)模式MOSFET與一個(gè)配套二極管組合封

  • 增強(qiáng)型25V及30V MOSFET（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。新 MOSFET 系列

  • 雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片（亞信電子）

    亞信電子(ASIX Electronics)近日宣布將針對(duì)嵌入式以太網(wǎng)應(yīng)用，新增二款采用LQFP 80引腳小型封裝(10x10mm)的雙網(wǎng)口以太網(wǎng)控制芯片：AX88782及AX88613。該組芯片可設(shè)定為網(wǎng)管型二層交換模塊，其第三個(gè)網(wǎng)絡(luò)端口可連接至

  • 燈飾企業(yè)：內(nèi)銷三年未過10%這道坎

    全球最大的裝飾燈企業(yè)在全球最大的消費(fèi)市場卻一直困頓不前 營銷篇 “現(xiàn)在我有點(diǎn)怕了，不太想做銀雨的經(jīng)銷商了，即便將來再合作，我也要慎重考慮！”景德鎮(zhèn)永順安裝有限公司總經(jīng)理劉波，在電話中語調(diào)疲憊地告訴記者。

  • 20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&

  • 全新系列功率MOSFET晶體管（ST）

    意法半導(dǎo)體（ST）推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強(qiáng)，電能損耗更低，特別適用于設(shè)計(jì)液晶顯示器、電視機(jī)和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個(gè)950

  • 雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片（亞信電子）

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  • 差分模擬霍爾效應(yīng)傳感器（Allegro）

    Allegro MicroSystems 公司推出差分模擬霍爾效應(yīng)傳感器，可響應(yīng)不斷變化的磁場而進(jìn)行開關(guān)操作。此款新器件的 EMC 能力增強(qiáng)，通過減少其外部組件數(shù)目且在某些情況下消除 PCB 模塊，將確保用戶優(yōu)化其成品傳感器模塊。元

  • 新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。

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  • 新款全橋式MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC(Allegro)

    Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報(bào)告功能的新款全橋式 MOSFET 預(yù)驅(qū)動(dòng)器 IC，擴(kuò)展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓（5.5

  • Vishay推出采用可表面貼裝的模壓封裝液鉭電容器

    2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35，新器件是業(yè)界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產(chǎn)品。M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電

  • 選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

    前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來越迫切的問題。

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