第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會議于12月1日到3日在廣州召開,會議由中國電子學(xué)會半導(dǎo)體與集成電路分會、電子材料分會主辦,是國內(nèi)化合物半導(dǎo)體、微波器件和光電器件方面最高級別的學(xué)術(shù)會議
多事之秋的2008年再有一天就要過去了,而充滿更大風(fēng)浪的2009年馬上就要來臨。繼一波一波裁員降薪之后,全球半導(dǎo)體業(yè)仍將保持一段時間的動蕩。相比較吃飯穿衣這些生活必需品,當(dāng)電子消費品已經(jīng)排在了消費者消費清單的尾部時,銷售下滑趨勢向上游零部件的傳遞,在2009年才剛剛開始。也就是說,如今半導(dǎo)體零部件企業(yè)的舉措,僅僅是建立在對未來判斷的基礎(chǔ)上的,而屆時市場情況究竟有多糟糕,現(xiàn)在誰也不得而知。
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動工具。 新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A,比典型封
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動工具。 新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A,比典型封
LED(半導(dǎo)體照明)是一種新型固態(tài)冷光源,它具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、體積小、可靠性高等特點。科技部已批準(zhǔn)上海、大連、南昌、廈門、深圳五個LED產(chǎn)業(yè)化基地,按這五大基地預(yù)計目標(biāo),2010年我國LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件,而且也代表著一個眾所周知的事實——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
XMOS日前推出了其G4可編程器件的一款新型封裝形式,它是XS1-G4系列的第一款產(chǎn)品。該款新型144管腳BGA的封裝形式是專為要求較小外形(11mm2)的各種系統(tǒng)而設(shè)計,其0.8mm的球間距是小巧型設(shè)計和簡單PCB布局的理想之選。
集邦科技(DRAMeXchange)表示,DRAM產(chǎn)業(yè)正處于冰河時期,DRAM紛紛降低制造成本、鼓勵員工休假甚至減少投片量來順應(yīng)這波的不景氣,而下游的封測產(chǎn)業(yè)也受到影響。 集邦指出,DRAM產(chǎn)業(yè)嚴(yán)重供過于求,再加上全球經(jīng)濟持續(xù)
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件,而且也代表著一個眾所周知的事實——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件,而且也代表著一個眾所周知的事實——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
XMOS日前推出了其G4可編程器件的一款新型封裝形式,它是XS1-G4系列的第一款產(chǎn)品。該款新型144管腳BGA的封裝形式是專為要求較小外形(11mm2)的各種系統(tǒng)而設(shè)計,其0.8mm的球間距是小巧型設(shè)計和簡單PCB布局的理想之選。