晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

牛尾電機(jī)發(fā)布用于LED的200mm晶圓曝光裝置及激光剝離裝置

日本牛尾電機(jī)宣布已開(kāi)始供貨LED用曝光裝置，并成功開(kāi)發(fā)出了LED用激光剝離裝置。曝光裝置“UX4-LEDs FFPL 200”是“全球首款”（牛尾電機(jī)）支持200mm晶圓的產(chǎn)品。而激光剝離裝置“UX4－LEDs LLO150”用于從藍(lán)寶石（

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2011-07-21

LED 晶圓激光電機(jī)
200mm晶圓的金屬接合時(shí)間減半，三菱重工推出常溫接合裝置

展示的樣品為了便于觀察，由150mm和75mm不同尺寸（直徑）的晶圓接合而成。對(duì)各自表面上形成的銅層進(jìn)行了常溫接合。筆者拍攝。（點(diǎn)擊放大）在形成有硅貫通電極（TSV）的LSI的三維積層中，晶圓表面上形成的金屬層之

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2011-07-21

金屬離子 FAB 晶圓
IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plas

半導(dǎo)體
2011-07-20

ASML EUV MDASH 晶圓
東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度　轉(zhuǎn)趨保守

外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18吋晶圓開(kāi)發(fā)計(jì)畫(huà)，但這項(xiàng)計(jì)畫(huà)很有可能延期。老早表明要全速進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績(jī)表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導(dǎo)體晶

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2011-07-20

英特爾東芝 EUV 晶圓
u-blox 在中國(guó)設(shè)立第二個(gè)代表處

全球領(lǐng)先的定位及無(wú)線通訊解決方案無(wú)晶圓半導(dǎo)體供應(yīng)商 u-blox（瑞士證券交易所上市公司，股票代碼：UBXN）日前宣布，在深圳設(shè)立其在中國(guó)的第二個(gè)代表處。 u-blox中國(guó)區(qū)總經(jīng)理兼首席代表William Liu表示：“深圳

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-07-20

GPS 代碼 U-BLOX 晶圓
東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度　轉(zhuǎn)趨保守

蘇恒安／綜合外電外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18吋晶圓開(kāi)發(fā)計(jì)畫(huà)，但這項(xiàng)計(jì)畫(huà)很有可能延期。老早表明要全速進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(Samsung Electronics)，在整體業(yè)績(jī)表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦

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2011-07-20

英特爾東芝 EUV 晶圓
臺(tái)積電稱(chēng)年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)

TSMC將于今年底正式開(kāi)始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺(tái)積電稱(chēng)，公司計(jì)劃于2011年Q3某個(gè)時(shí)候開(kāi)始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時(shí)，28納米晶圓給公司帶來(lái)的營(yíng)收貢獻(xiàn)比率將達(dá)到2%到3%左右。臺(tái)積電表示，Nv

消費(fèi)電子
2011-07-19

AMD 臺(tái)積電制造工藝晶圓
IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extremeultraviolet）曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREMEtechnologiesGmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laserassisteddischargeproducedplasma）

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2011-07-19

ASML EUV ADT 晶圓
臺(tái)積電稱(chēng)年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)

TSMC將于今年底正式開(kāi)始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺(tái)積電稱(chēng)，公司計(jì)劃于2011年Q3某個(gè)時(shí)候開(kāi)始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時(shí)，28納米晶圓給公司帶來(lái)的營(yíng)收貢獻(xiàn)比率將達(dá)到2%到3%左右。臺(tái)積電表示，Nv

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2011-07-19

AMD 臺(tái)積電制造工藝晶圓
臺(tái)積電稱(chēng)年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)

TSMC將于今年底正式開(kāi)始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺(tái)積電稱(chēng)，公司計(jì)劃于2011年Q3某個(gè)時(shí)候開(kāi)始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時(shí)，28納米晶圓給公司帶來(lái)的營(yíng)收貢獻(xiàn)比率將達(dá)到2%到3%左右。臺(tái)積電表示，Nv

半導(dǎo)體
2011-07-19

AMD 臺(tái)積電制造工藝晶圓
臺(tái)積電稱(chēng)年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)

TSMC將于今年底正式開(kāi)始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺(tái)積電稱(chēng)，公司計(jì)劃于2011年Q3某個(gè)時(shí)候開(kāi)始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時(shí)，28納米晶圓給公司帶來(lái)的營(yíng)收貢獻(xiàn)比率將達(dá)到2%到3%左右。臺(tái)積電表示，Nv

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2011-07-19

AMD 臺(tái)積電制造工藝晶圓
IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laser assisted discharge produced p

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2011-07-19

ASML EUV ADT 晶圓
IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置曝光晶圓

比利時(shí)IMEC宣布，成功利用荷蘭阿斯麥（ASML Holding N.V.）公司生產(chǎn)的試制及少量生產(chǎn)用（Pre-Production Tool：PPT）EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置“NXE:3100”在晶圓上進(jìn)行了曝光。該EUV曝光裝置配備了日本

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2011-07-18

ASML EUV ADT 晶圓
2011年芯片設(shè)備銷(xiāo)量將同比增長(zhǎng)12%

國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)周二發(fā)布年中預(yù)測(cè)稱(chēng)，今年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷(xiāo)售額將達(dá)到443.3億美元，同比增長(zhǎng)12.1%。SEMI表示，20111年將是半導(dǎo)體業(yè)界歷史上支出第二高年份，僅次于2000年的480億美元，并且也是

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-07-15

芯片半導(dǎo)體設(shè)備 SEMI 晶圓
《半導(dǎo)體》達(dá)能晶圓3廠Q4完工投產(chǎn)

太陽(yáng)能矽晶圓廠達(dá)能（3686）位于觀音工業(yè)園的晶圓三廠昨（13）日舉行上梁典禮，預(yù)計(jì)第4季完工并準(zhǔn)備投產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)劃為220MW，屆時(shí)公司的總裝置產(chǎn)能將上550MW。此外，達(dá)能也公布于本月29日除權(quán)息，預(yù)計(jì)配息1元、配股0.

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2011-07-15

半導(dǎo)體太陽(yáng)能晶圓廠晶圓
歐司朗LED晶圓向6英寸化邁進(jìn) 2012年白色LED用芯片的產(chǎn)能翻番

德國(guó)歐司朗光電半導(dǎo)體（OSRAMOptoSemiconductors）宣布，該公司將促進(jìn)位于馬來(lái)西亞檳城（Penang）和德國(guó)雷根斯堡（Regensburg）的InGaN類(lèi)LED晶圓生產(chǎn)線的6英寸化，擴(kuò)充LED的生產(chǎn)能力。由此，到2012年底之前，白色LED

顯示光電
2011-07-14

芯片歐司朗 LED 晶圓
達(dá)能晶圓3廠Q4完工投產(chǎn)

太陽(yáng)能矽晶圓廠達(dá)能（3686）位于觀音工業(yè)園的晶圓三廠昨（13）日舉行上梁典禮，預(yù)計(jì)第4季完工并準(zhǔn)備投產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)劃為220MW，屆時(shí)公司的總裝置產(chǎn)能將上550MW。此外，達(dá)能也公布于本月29日除權(quán)息，預(yù)計(jì)配息1元、配股0.

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2011-07-14

太陽(yáng)能晶圓廠晶圓
東芝/SanDisk合資Fab5投產(chǎn) 首批晶圓8月出貨

Toshiba東芝株式會(huì)社(TOKYO：6502) 與SanDisk公司 (NASDAQ：SNDK) 共同慶祝，位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm(12寸)晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。由于消費(fèi)者對(duì)于智慧手機(jī)、平板電腦和其他電子設(shè)備

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2011-07-13

東芝 FAB SANDISK 晶圓
SEMI：明年半導(dǎo)體設(shè)備支出金額略滑1.2% 封測(cè)設(shè)備續(xù)增

SEMI公布半導(dǎo)體設(shè)備資本支出年中預(yù)測(cè)報(bào)告(SEMI Capital Equipment Forecast)，預(yù)估今年全球半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收將達(dá)到443.3億美元，臺(tái)灣將以106億美元支出金額再拿下全球設(shè)備最大市場(chǎng)；展望明年金額支出預(yù)估值，SEMI預(yù)期，

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2011-07-12

封裝半導(dǎo)體設(shè)備 SEMI 晶圓
歐司朗LED晶圓向6英寸化邁進(jìn)

德國(guó)歐司朗光電半導(dǎo)體(OSRAM Opto Semiconductors)宣布，該公司將促進(jìn)位于馬來(lái)西亞檳城(Penang)和德國(guó)雷根斯堡(Regensburg)的InGaN類(lèi)LED晶圓生產(chǎn)線的6英寸化，擴(kuò)充LED的生產(chǎn)能力。由此，到2012年底之前，白色LED用芯

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-07-12

歐司朗基板 LED 晶圓

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晶圓

牛尾電機(jī)發(fā)布用于LED的200mm晶圓曝光裝置及激光剝離裝置

200mm晶圓的金屬接合時(shí)間減半，三菱重工推出常溫接合裝置

IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度　轉(zhuǎn)趨保守

u-blox 在中國(guó)設(shè)立第二個(gè)代表處

東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度　轉(zhuǎn)趨保守

臺(tái)積電稱(chēng)年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)

IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓

臺(tái)積電稱(chēng)年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)

臺(tái)積電稱(chēng)年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)

臺(tái)積電稱(chēng)年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)

IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置曝光晶圓

2011年芯片設(shè)備銷(xiāo)量將同比增長(zhǎng)12%

《半導(dǎo)體》達(dá)能晶圓3廠Q4完工投產(chǎn)

歐司朗LED晶圓向6英寸化邁進(jìn) 2012年白色LED用芯片的產(chǎn)能翻番

達(dá)能晶圓3廠Q4完工投產(chǎn)

東芝/SanDisk合資Fab5投產(chǎn) 首批晶圓8月出貨

SEMI：明年半導(dǎo)體設(shè)備支出金額略滑1.2% 封測(cè)設(shè)備續(xù)增

歐司朗LED晶圓向6英寸化邁進(jìn)

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