半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷近日宣布與MicroProbe、NVIDIA、Tokyo Electron (8035 TSE) 和Rudolph Technologies合作開創(chuàng)使用惠瑞捷V93000 Direct-Probe解決方案生產(chǎn)數(shù)位、SOC 和RF 設(shè)備的統(tǒng)包解決方案(turnkey solution)。
半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷近日宣布與MicroProbe、NVIDIA、Tokyo Electron (8035 TSE) 和Rudolph Technologies合作開創(chuàng)使用惠瑞捷V93000 Direct-Probe解決方案生產(chǎn)數(shù)位、SOC 和RF 設(shè)備的統(tǒng)包解決方案(turnkey solution)。
首屈一指的半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷日前宣布與MicroProbe、NVIDIA、Tokyo Electron (8035 TSE) 和Rudolph Technologies合作開創(chuàng)使用惠瑞捷V93000 Direct-Probe解決方案生產(chǎn)數(shù)位、SOC 和RF 設(shè)備的統(tǒng)包解決方案(turnke
三星積極搶進(jìn)晶圓代工市場(chǎng),正面迎戰(zhàn)龍頭臺(tái)積電,引起產(chǎn)業(yè)界關(guān)注。圖為晶圓廠的無(wú)塵作業(yè)室。 報(bào)系資料照片 全文網(wǎng)址: 晶圓戰(zhàn)爭(zhēng)╱挖角梁孟松 三星挑戰(zhàn)臺(tái)積 | 科技產(chǎn)業(yè) | 財(cái)經(jīng)產(chǎn)業(yè) | 聯(lián)合新聞網(wǎng) http://gb.udn.c
據(jù)歐洲媒體證實(shí),GlobalFoundries已經(jīng)開始在德國(guó)德累斯頓工廠內(nèi)28nm HKMG新工藝的試驗(yàn)性投產(chǎn)。 首批上馬的28nm工藝生產(chǎn)線采用300毫米晶圓,不過上邊還不是成形的芯片,只是測(cè)試電路和SRAM單元而已 。只有這種試
晶圓代工大廠全球晶圓(GlobalFoundries)來(lái)臺(tái)布樁,將透過旗下轉(zhuǎn)投資設(shè)計(jì)服務(wù)廠虹晶科技(Socle),爭(zhēng)取臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)者65/55納米及45/40納米代工訂單,昨日更宣布指派營(yíng)銷業(yè)務(wù)資深副總裁奎派克(Jim Kupec),接任虹
力成科技積極自內(nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局,繼先前買下茂德廠房以作為實(shí)驗(yàn)工廠后,轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動(dòng)土,預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示,實(shí)驗(yàn)工廠以開發(fā)新技術(shù)為主,包括晶
力成科技積極自內(nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局,繼先前買下茂德廠房以作為實(shí)驗(yàn)工廠后,轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動(dòng)土,預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示,實(shí)驗(yàn)工廠以開發(fā)新技術(shù)為主,包括晶
美國(guó)矽晶圓大廠MEMC Electronic Materials, Inc. 1日在股市開盤前發(fā)布新聞稿指出,旗下子公司已同意終止中國(guó)大陸太陽(yáng)能電池生產(chǎn)巨擘尚德電力控股(Suntech Power Holdings)的太陽(yáng)能矽晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)合約,此約最初于200
Intel,臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路,這樣一來(lái),另一條路--FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議(Symposium on VLSI Technology)
據(jù)IHSiSuppli公司的研究,2010年無(wú)晶圓制造半導(dǎo)體公司擴(kuò)大了在全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)的份額,去年占總體MEMS營(yíng)業(yè)收入的近四分之一。 2010年無(wú)晶圓制造半導(dǎo)體公司占總體MEMS營(yíng)業(yè)收入的23.2%,高于四年前
Intel,臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路,這樣一來(lái),另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議(SymposiumonVLSITechnology),會(huì)
應(yīng)用材料公司本周三推出了新款VantageVulcanRTP快速退火設(shè)備,這款RTP機(jī)型采用了晶圓背面加熱技術(shù),可以顯著改善RTP處理中晶圓表面芯片核心內(nèi)部各部分的溫度均一性。應(yīng)用半導(dǎo)體公司硅系統(tǒng)集團(tuán)前端制程用設(shè)備部門的總
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
應(yīng)用材料公司本周三推出了新款Vantage Vulcan RTP快速退火設(shè)備,這款RTP機(jī)型采用了晶圓背面加熱技術(shù),可以顯著改善RTP處理中晶圓表面芯片核心內(nèi)部各部分的溫度均一性。 新型晶體管設(shè)計(jì)需要的RTP退火處理項(xiàng)目圖解
Intel,臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路,這樣一來(lái),另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議(Symposium on VLSI Technology),
在臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電及中芯國(guó)際等晶圓代工廠的產(chǎn)能松動(dòng)下,中芯國(guó)際與IC設(shè)計(jì)業(yè)達(dá)成共識(shí),90奈米制程第三季代工價(jià)格降15%、65奈米制程降價(jià)10%;半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期,降價(jià)的趨勢(shì)恐怕延到今年第四季。臺(tái)積電和聯(lián)電昨(27)日都
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
受到上游客戶在6月中下旬開始調(diào)整庫(kù)存影響,日月光6月營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能走弱,第2季營(yíng)收季增率恐落在原先預(yù)估的7%下緣,第3季雖然維持成長(zhǎng),但成長(zhǎng)幅度已趨緩,今年季增率將低于過去旺季期間10%以上的成長(zhǎng)幅度。日月光營(yíng)