晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

張忠謀：臺(tái)積電今年資本支出還會(huì)再加碼

臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)董事長張忠謀表示，若人民幣匯率升值，而新臺(tái)幣跟進(jìn)的話，對臺(tái)積電來說成本會(huì)增加，但臺(tái)積電在生產(chǎn)力與成本上都還有相當(dāng)?shù)倪M(jìn)步空間，因此會(huì)朝這兩個(gè)方向努力，來應(yīng)付增加的支出。張忠謀

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2010-06-24

臺(tái)積電 CAPACITY TECHNOLOGY 晶圓
今年晶圓設(shè)備銷售成長率上看113%

隨著IC需求持續(xù)成長，市場研究機(jī)構(gòu)Gartner再度上調(diào)2010年全球晶圓制造廠資本支出預(yù)測值。由于各大晶圓廠快速擴(kuò)張45/40奈米制程，NANDFlash及DRAM制造業(yè)者轉(zhuǎn)型至3x節(jié)點(diǎn)(3xnode)制程，該機(jī)構(gòu)預(yù)測，2010年晶圓制造設(shè)備銷

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2010-06-24

DRAM 內(nèi)存晶圓制造晶圓
晶圓雙雄釋800億現(xiàn)金

繼晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）敲定7月6日為除息日后，同為晶圓雙雄的聯(lián)電（2303）昨（23）日也確定在同一周的8日除息，兩家晶圓代工廠合計(jì)釋出超過800億元現(xiàn)金股利。近期積極買超臺(tái)積電的外資，昨天則小幅調(diào)

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2010-06-24

晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
東京大學(xué)等在厚度不到10μm的晶圓上形成FeRAM和邏輯電路

東京大學(xué)在半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會(huì)議“2010 Symposium on VLSITechnology”上宣布，該公司與富士通微電子（現(xiàn)富士通半導(dǎo)體）、大日本印刷、富士通研究所以及迪思科（Disco）共同在厚度降至10μm以下的半導(dǎo)體晶圓上形成

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2010-06-22

金屬 RAM 邏輯電路晶圓
新聞分析－IDM廠釋單不再是口號(hào)

封測廠等了多年的IDM廠委外釋單，終于見到明顯增加，而會(huì)讓IDM廠如此「阿沙力」把訂單大量丟出來的主要原因，卻是2008年底至2009年初的全球金融海嘯。如今，英特爾大量釋出南橋及網(wǎng)絡(luò)芯片委外，英飛凌、德儀等大廠也

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2010-06-21

CPU 封裝 DM 晶圓
中美晶：半導(dǎo)體晶圓缺口達(dá)2成，Q3漲價(jià)3-10%

中美晶(5483)于15日召開股東常會(huì)，總經(jīng)理徐秀蘭在會(huì)后接受訪問時(shí)表示，目前中小尺吋半導(dǎo)體硅晶圓缺貨仍嚴(yán)重，以目前中美晶美國子公司Globitech已擴(kuò)產(chǎn)5成、臺(tái)灣和大陸廠已擴(kuò)3成的水平下，目前中美晶看到的供給缺口仍達(dá)

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2010-06-15

半導(dǎo)體晶圓廠硅晶圓晶圓
新聞分析－晶圓龍頭擴(kuò)產(chǎn) 先知先覺

晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布將今年資本支出一舉拉高到48億美元的歷史新高后，就一直備受外資分析師的質(zhì)疑，認(rèn)為臺(tái)積電此舉將導(dǎo)致2011年及2012年的半導(dǎo)體市場嚴(yán)重產(chǎn)能過剩。但是，臺(tái)積電能夠成為全球最大晶圓代工廠，靠得

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2010-06-14

3G手機(jī) FAB 臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電40奈米制程

臺(tái)積電的40奈米制程技術(shù)領(lǐng)先全球，該公司目前該制程在全球市占率已有80%以上。盡管2009年中曾出現(xiàn)良率問題，但經(jīng)過2個(gè)季度，臺(tái)積電認(rèn)為良率問題已獲得完全解決，估計(jì)40奈米制程占營收比重在2009年第4季約9%。

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2010-06-11

制程技術(shù) FAB 臺(tái)積電晶圓
聯(lián)電重拾月營收百億風(fēng)光臺(tái)積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高

聯(lián)電5月營收恢復(fù)成長態(tài)勢，達(dá)到新臺(tái)幣100.9億元，創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄，由于聯(lián)電6、8及12寸廠產(chǎn)能處于滿載，預(yù)期2010年下半單月營收仍有高點(diǎn)可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺(tái)積電近期亦將公布營運(yùn)實(shí)績，預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新

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2010-06-10

芯片聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
聯(lián)電重拾月營收百億風(fēng)光　臺(tái)積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高

聯(lián)電5月營收恢復(fù)成長態(tài)勢，達(dá)到新臺(tái)幣100.9億元，創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄，由于聯(lián)電6、8及12寸廠產(chǎn)能處于滿載，預(yù)期2010年下半單月營收仍有高點(diǎn)可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺(tái)積電近期亦將公布營運(yùn)實(shí)績，預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-06-10

芯片聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
聯(lián)電重拾月營收百億，臺(tái)積電望續(xù)創(chuàng)新高

聯(lián)電5月營收恢復(fù)成長態(tài)勢，達(dá)到新臺(tái)幣100.9億元，創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄，由于聯(lián)電6、8及12吋廠產(chǎn)能處于滿載，預(yù)期2010年下半單月營收仍有高點(diǎn)可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺(tái)積電近期亦將公布營運(yùn)實(shí)績，預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新

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2010-06-09

芯片聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
SiP蔚為風(fēng)潮　封裝測試技術(shù)新革命來臨

經(jīng)過2年的發(fā)酵，系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)開始蔚為風(fēng)潮。由于消費(fèi)性電子產(chǎn)品走向輕薄短小趨勢，封裝形式愈趨多元化，帶動(dòng)SiP大量需求，3D封裝市場已經(jīng)開始起飛，不論是邏輯IC封裝業(yè)者，抑或內(nèi)存封裝業(yè)者紛紛朝該技術(shù)發(fā)展，

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2010-06-09

測試技術(shù) 封裝測試 SIP 晶圓
長野封裝論壇的傅田精一指出TSV的現(xiàn)狀與課題

日本長野縣工科短期大學(xué)、長野封裝論壇的傅田精一指出了采用硅貫通孔（Through SiVia：TSV）的三維封裝技術(shù)的現(xiàn)狀與課題。在“JPCA Show2010”（2010年6月2～4日，東京有明國際會(huì)展中心）并設(shè)的研討會(huì)“2010最尖端封

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2010-06-09

封裝封裝技術(shù) PACKAGE 晶圓
封測廠5月業(yè)績奏凱歌

受惠上游客戶擴(kuò)大下單，封測廠5月營收表現(xiàn)亮麗，包括日月光（2311）、力成（6239）、頎邦（6147）、欣銓（3264）、硅格（6257）等均創(chuàng)歷史新高，其余如硅品（2325）、京元電（2449）等業(yè)者，營收也回升到歷史高檔

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2010-06-08

內(nèi)存東芝 DM 晶圓
晶圓雙雄 Q3接單滿載!

晶圓代工廠第2季產(chǎn)能供不應(yīng)求，已影響到國內(nèi)IC設(shè)計(jì)業(yè)者5月營收，由于下半年計(jì)算機(jī)、手機(jī)、消費(fèi)性等3C市場買氣不弱，加上市場庫存水位仍在安全水平以下，IC設(shè)計(jì)業(yè)者及IDM廠持續(xù)追加下單，臺(tái)積電及聯(lián)電第3季接單已確定

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2010-06-07

晶圓代工 IC設(shè)計(jì)業(yè) 臺(tái)積電晶圓
新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終

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2010-06-06

軟開關(guān) IGBT RC 晶圓
補(bǔ)助降、匯率貶下季歐洲太陽能安裝成本上升

過往政府下砍太陽光電補(bǔ)助費(fèi)率，太陽能業(yè)者被迫降價(jià)好讓消費(fèi)者的系統(tǒng)安裝成本下降，讓投資報(bào)酬率(IRR)維持均衡，不過第3季雖然德國將下砍16%的補(bǔ)助費(fèi)率，卻因遇到歐元貶值的疑慮，模塊業(yè)者降價(jià)難度升高，恐讓消費(fèi)者首

半導(dǎo)體
2010-06-06

太陽能光電太陽能系統(tǒng) 晶圓
網(wǎng)絡(luò)電視紅晶圓雙雄補(bǔ)

網(wǎng)絡(luò)電視市場可望逐漸步入高度成長期，國內(nèi)外網(wǎng)通IC大廠一片看好聲，不僅有助持續(xù)提高對臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電（2303）的下單量；當(dāng)網(wǎng)絡(luò)電視市場擴(kuò)增，已展開布局的硅統(tǒng)（2363）、雷凌（3534）及下游晶圓代工、封測廠

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2010-06-05

Wi-Fi 網(wǎng)絡(luò)電視博通晶圓
GLOBALFOUNDRIES宣布在臺(tái)北增設(shè)半導(dǎo)體工廠

美國GLOBALFOUNDRIES于2010年6月1日宣布，將在臺(tái)北增設(shè)半導(dǎo)體制造工廠。該公司2010年的設(shè)備投資額為27億美元。該公司是美國AMD的制造部門從公司本體剝離后設(shè)立的企業(yè)，后與新加坡特許（Charterd）進(jìn)行了經(jīng)營合并，由

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2010-06-04

半導(dǎo)體 IC GLOBALFOUNDRIES 晶圓
新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終

功率器件
2010-06-04

軟開關(guān) IGBT RC 晶圓

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晶圓

張忠謀：臺(tái)積電今年資本支出還會(huì)再加碼

今年晶圓設(shè)備銷售成長率上看113%

晶圓雙雄釋800億現(xiàn)金

東京大學(xué)等在厚度不到10μm的晶圓上形成FeRAM和邏輯電路

新聞分析－IDM廠釋單不再是口號(hào)

中美晶：半導(dǎo)體晶圓缺口達(dá)2成，Q3漲價(jià)3-10%

新聞分析－晶圓龍頭擴(kuò)產(chǎn) 先知先覺

臺(tái)積電40奈米制程

聯(lián)電重拾月營收百億風(fēng)光臺(tái)積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高

聯(lián)電重拾月營收百億風(fēng)光　臺(tái)積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高

聯(lián)電重拾月營收百億，臺(tái)積電望續(xù)創(chuàng)新高

SiP蔚為風(fēng)潮　封裝測試技術(shù)新革命來臨

長野封裝論壇的傅田精一指出TSV的現(xiàn)狀與課題

封測廠5月業(yè)績奏凱歌

晶圓雙雄 Q3接單滿載!

新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

補(bǔ)助降、匯率貶下季歐洲太陽能安裝成本上升

網(wǎng)絡(luò)電視紅晶圓雙雄補(bǔ)

GLOBALFOUNDRIES宣布在臺(tái)北增設(shè)半導(dǎo)體工廠

新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

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