新一代信息科技在數(shù)字醫(yī)療產(chǎn)業(yè)中的融合應(yīng)用

技術(shù)的進(jìn)步使輔助決策和輔助醫(yī)療手段成為可能，促進(jìn)了醫(yī)院在醫(yī)保、診前、診中、診后、診后、醫(yī)療保障等各個(gè)環(huán)節(jié)的數(shù)據(jù)流通和共享，提高了醫(yī)療工作效率，改善了患者的就醫(yī)體驗(yàn)。未來，新一代數(shù)字技術(shù)的升級(jí)也將為智慧醫(yī)療的深化應(yīng)用提供更豐富的可能。當(dāng)前社會(huì)發(fā)展形勢(shì)對(duì)醫(yī)療衛(wèi)生服務(wù)提出了新的要求，城鎮(zhèn)化的推進(jìn)加劇了城鄉(xiāng)醫(yī)療資源的不平衡和優(yōu)質(zhì)醫(yī)療資源的負(fù)荷缺口，城市醫(yī)院尋求更便捷高效的智能手段來緩解日益增大的巨額醫(yī)療壓力，老齡化社會(huì)愈演愈烈， 慢性病健康管理等問題，使得當(dāng)前醫(yī)院亟待尋找需要改變運(yùn)營(yíng)方式，不斷探索醫(yī)療智能化轉(zhuǎn)型。

尋找健康產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的新引擎是一個(gè)充滿挑戰(zhàn)的系統(tǒng)工程

尋找健康產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的新引擎，是一個(gè)充滿挑戰(zhàn)的系統(tǒng)工程。延續(xù)上一發(fā)展周期人口和經(jīng)濟(jì)等積極因素，疊加醫(yī)保擴(kuò)容影響，使產(chǎn)業(yè)前中期處于高速增長(zhǎng)狀態(tài)。而在當(dāng)前疫情和宏觀經(jīng)濟(jì)雙重影響下，健康產(chǎn)業(yè)步入了新軌道，走進(jìn)新常態(tài)，行業(yè)增長(zhǎng)放緩，新一代前沿人工智能技術(shù)的發(fā)展，為醫(yī)療健康產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)帶來新契機(jī)，醫(yī)療產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷由醫(yī)療信息化，到醫(yī)療服務(wù)數(shù)字化，再到醫(yī)療智能化的發(fā)展轉(zhuǎn)型過程，最終將建立以價(jià)值為導(dǎo)向的醫(yī)療體系。

我國(guó)醫(yī)學(xué)裝備數(shù)字化建設(shè)已有了較為完善的技術(shù)基礎(chǔ)

當(dāng)前，新一代信息技術(shù)與醫(yī)療業(yè)務(wù)深入融合，在技術(shù)研發(fā)應(yīng)用、產(chǎn)品服務(wù)創(chuàng)新、商業(yè)模式探索等方面已取得初步成效，在支撐傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)優(yōu)化升級(jí)、培育新增長(zhǎng)點(diǎn)、形成新動(dòng)能等方面的預(yù)期日益明顯。醫(yī)學(xué)裝備的數(shù)字化轉(zhuǎn)型離不開技術(shù)的支持，而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈、新一代互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)等新技術(shù)的迅猛發(fā)展，我國(guó)醫(yī)學(xué)裝備數(shù)字化建設(shè)已有了較為完善的技術(shù)基礎(chǔ)。物聯(lián)網(wǎng)使設(shè)備互聯(lián)、互操作成為可能，打通了物理設(shè)備、物理空間的感知能力，有助于提高醫(yī)院運(yùn)營(yíng)效率。

智能化的數(shù)字醫(yī)療正在逐步被人們所接受和認(rèn)可

新時(shí)代的數(shù)字化是基于新一代信息技術(shù)深度應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下的數(shù)字化，“數(shù)字化轉(zhuǎn)型”的實(shí)質(zhì)是推動(dòng)實(shí)體經(jīng)濟(jì)和實(shí)體產(chǎn)業(yè)加快信息技術(shù)的應(yīng)用。具體到醫(yī)學(xué)裝備領(lǐng)域，即數(shù)據(jù)采集、處理、存儲(chǔ)與傳輸?shù)冗^程均以新一代信息技術(shù)為基礎(chǔ)，此過程中，數(shù)字化醫(yī)療設(shè)備可自行對(duì)所采集信息進(jìn)行存儲(chǔ)、處理及傳送。

用于毫米波 (mmW) GaN HEMT 器件的基于 TCAD 的協(xié)同設(shè)計(jì)方法

毫米波技術(shù)領(lǐng)域的不斷進(jìn)步因其波長(zhǎng)減小和頻帶寬而對(duì)無線通信系統(tǒng)做出了貢獻(xiàn)。這使制造商能夠設(shè)計(jì)更小但性能更高的組件。氮化鎵已證明自己在該領(lǐng)域是一種很有前途的半導(dǎo)體，其目標(biāo)應(yīng)用包括高功率放大器、寬帶放大器和5G無線網(wǎng)絡(luò)。

什么是半導(dǎo)體？半導(dǎo)體材料具有與絕緣體和導(dǎo)體相同的導(dǎo)電特性

半導(dǎo)體材料具有與絕緣體和導(dǎo)體相同的導(dǎo)電特性。它們可以由純?cè)?如硅或鍺)組成，也可以由兩種元素(如砷化鎵或硒化鎘)混合而成。半導(dǎo)體材料可以通過在純半導(dǎo)體中添加雜質(zhì)來?yè)诫s，從而改變它們的導(dǎo)電性能。

老化測(cè)試有助于面對(duì) SiC MOSFET 的不穩(wěn)定性

在本文中，我們將重點(diǎn)介紹老化測(cè)試如何幫助評(píng)估碳化硅 MOSFET 在晶圓級(jí)的柵極閾值電壓的穩(wěn)定性。眾所周知，關(guān)于 SiC 功率器件可靠性的一個(gè)主要問題是器件工作期間閾值電壓 (V TH ) 的變化。

Infineon具有高度集成控制器的車內(nèi)無線充電解決方案

無線充電技術(shù)的范圍從感應(yīng)、磁共振和電容到射頻輻射、激光、聲學(xué)和其他新興技術(shù)。電感耦合技術(shù)是領(lǐng)跑者1;因此，其相關(guān)的Qi 標(biāo)準(zhǔn)在無線充電中最為流行。 感應(yīng)充電根據(jù)法拉第定律工作，其中功率發(fā)射器 (PTx) 線圈中的交流電會(huì)產(chǎn)生交變磁場(chǎng)。然后，該磁場(chǎng)與功率接收器 (PRx) 線圈相互耦合，并轉(zhuǎn)換回交流電流，為連接在接收器側(cè)的直流負(fù)載進(jìn)行整流。

Power Integrations (PI)在線電源的平面變壓器設(shè)計(jì)

電力電子轉(zhuǎn)換器在電氣化功能的趨勢(shì)中發(fā)揮著更大的作用，因?yàn)樗鼈儾粩嘈枰愿阋说某杀尽⒏〉捏w積和更高的可靠性提供更多的電力。 Power Integrations (PI) 在 PI Expert 中推出了一項(xiàng)新功能，該在線設(shè)計(jì)工具可根據(jù)用戶的規(guī)格自動(dòng)生成優(yōu)化的電源設(shè)計(jì)?，F(xiàn)在可以使用 PI Expert 中的平面磁性構(gòu)建器創(chuàng)建一個(gè)特定于應(yīng)用的平面變壓器設(shè)計(jì)，其中包含印刷電路板 (PCB) 制造商準(zhǔn)備好的文檔和 Gerber 文件。最新版本的PI Expert現(xiàn)已支持 PI 的整個(gè) InnoSwitch3 反激式切換器 IC 系列。

帶有基于 PCB 的變壓器的 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

本文將介紹一種用于 3.3kV SiC MOSFET的基于變壓器的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。兩個(gè) VHF 調(diào)制諧振反激式轉(zhuǎn)換器，工作頻率為 20 MHz，可生成 PWM 信號(hào)和柵極驅(qū)動(dòng)功率。

驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電源開關(guān)的先進(jìn)解決方案

今天，新的功率開關(guān)技術(shù)被廣泛采用在高功率密度、高開關(guān)頻率、小外形因素是關(guān)鍵要求的要求應(yīng)用中。這些新的開關(guān)設(shè)備產(chǎn)生不同的三個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用是

芯片短缺依舊嚴(yán)峻，本田宣布日本一座工廠12月上旬減產(chǎn)30%

11月25日消息，據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，日本汽車大廠昨日宣布，因受芯片短缺影響，其位于埼玉縣的埼玉制作所寄居工廠將在12月上旬進(jìn)行減產(chǎn)，產(chǎn)量將較11月上旬訂下的計(jì)劃值縮減三成，而位于三重縣的鈴鹿制作所則將在12月上旬維持正常生產(chǎn)。

臺(tái)積電將代工特斯拉新一代FSD芯片，特斯拉成臺(tái)積電第7大客戶！

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，業(yè)內(nèi)傳聞顯示，臺(tái)積電取代三星，奪下了特斯拉新一代全自動(dòng)輔助駕駛(FSD)芯片大單，將以5nm家族工藝生產(chǎn)。報(bào)道稱，特斯拉明年有望成為臺(tái)積電前七大客戶，是臺(tái)積電主力客戶當(dāng)中首度出現(xiàn)電動(dòng)車大廠，這也將有助于臺(tái)積電抵抗消費(fèi)性電子景氣下滑的沖擊。

臺(tái)積電1nm晶圓廠終于定了，地點(diǎn)在龍?zhí)?/a>

價(jià)格較5nm上漲25%，臺(tái)積電將3nm定價(jià)為20000美元

據(jù)外媒RetiredEnginener報(bào)道稱，由于臺(tái)積電在芯片制造領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，隨著其最新的3nm制程工藝的制造成本的上升，臺(tái)積電也將大幅提高3nm晶圓的價(jià)格。