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日廠轉(zhuǎn)單慢又小臺積電評估地震影響輕
趙凱期／臺北 臺積電董事長張忠謀針對日本311強(qiáng)震后所表示的最新看法，是認(rèn)為日本整合元件大廠(IDM)已有初步轉(zhuǎn)單動作，但由于晶片訂單多為高度客制化產(chǎn)品，所以所謂的轉(zhuǎn)單效應(yīng)，短期是既小又慢。 不過，內(nèi)部先前擔(dān)心
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宏寶科技被正式并入聯(lián)電研發(fā)部門
聯(lián)電23日結(jié)算前年10月成立的宏寶科技，將宏寶的3D芯片技術(shù)團(tuán)隊(duì)移植到聯(lián)電的研發(fā)部門。市場預(yù)期，未來3D IC可望成為聯(lián)電在28納米上的重點(diǎn)產(chǎn)品，拉近與臺積電的距離，亦可望對爾必達(dá)、力成合作案有加分作用。聯(lián)電則表示
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英特爾總裁唱衰晶圓代工業(yè)
英特爾總裁暨執(zhí)行長歐德寧(Paul Otellini)上周出席科技論壇時指出，他認(rèn)為晶圓代工事業(yè)在未來幾年會出現(xiàn)極大的麻煩，最大的問題就是會出現(xiàn)十分嚴(yán)重的產(chǎn)能過剩問題，其中全球晶圓等積極擴(kuò)充產(chǎn)能，將會導(dǎo)致先進(jìn)制程市場
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中芯國際年底加入40納米戰(zhàn)局
受惠于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動運(yùn)算裝置銷售暢旺，帶動晶圓代工45/40納米制程需求，臺積電、聯(lián)電及Global Foundries皆擴(kuò)大45/40納米制程產(chǎn)能，中芯國際也加緊腳步，預(yù)計(jì)于2011年下半加入戰(zhàn)局，讓競爭更加激烈。
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中芯國際年底加入45/40納米競爭戰(zhàn)局
受惠于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動運(yùn)算裝置銷售暢旺，帶動晶圓代工45/40納米制程需求，臺積電、聯(lián)電及Global Foundries皆擴(kuò)大45/40納米制程產(chǎn)能，中芯國際也加緊腳步，預(yù)計(jì)于2011年下半加入戰(zhàn)局，讓競爭更加激烈。
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GF是元兇?歐德寧預(yù)言晶圓代工過剩
英特爾(Intel)總裁暨執(zhí)行長歐德寧(Paul Otellini)表示，全球領(lǐng)導(dǎo)級晶圓代工廠恐怕將在接下來幾年因產(chǎn)能過剩而陷入危機(jī)。歐德寧在一場日前(2月17日)于英國舉行的分析師會議上指出，晶圓代工市場的過剩產(chǎn)能，主要來自于
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英特爾憂代工產(chǎn)能過剩？ 原來是怕市場被瓜分
晶圓代工目前看似前景熱滾滾，但英特爾總裁暨執(zhí)行長Paul Otellini卻憂心表示，晶圓代工事業(yè)在未來幾年可能會出現(xiàn)大麻煩，問題所在就是會出現(xiàn)嚴(yán)重的產(chǎn)能過剩問題。在全球晶圓廠積極擴(kuò)充產(chǎn)能之下，將導(dǎo)致先進(jìn)制程市場出
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45/40奈米需求旺 中芯年底加入戰(zhàn)局
鄭茜文／臺北 受惠于智慧型手機(jī)、平板電腦等行動運(yùn)算裝置銷售暢旺，帶動晶圓代工45/40奈米制程需求，臺積電、聯(lián)電及Global Foundries皆擴(kuò)大45/40奈米制程產(chǎn)能，中芯國際也加緊腳步，預(yù)計(jì)于2011年下半加入戰(zhàn)局，讓競爭
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先進(jìn)制程需求旺盛 臺積電2010Q4每股盈余新臺幣1.57元
TSMC27日公布2010年第四季財(cái)務(wù)報告，合并營收為新臺幣1101.4億元，稅后純益為新臺幣407.2億元，每股盈余為新臺幣1.57元（換算成美國存托憑證每單位為0.26美元）。與2009年同期相較，2010年第四季營收增加19.6%，稅后
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先進(jìn)制程需求旺盛 臺積電2010Q4每股盈余新臺幣1.57元
TSMC 27日公布2010年第四季財(cái)務(wù)報告，合并營收為新臺幣1101.4億元，稅后純益為新臺幣407.2億元，每股盈余為新臺幣1.57元（換算成美國存托憑證每單位為0.26美元）。與2009年同期相較，2010年第四季營收增加19.6%，稅后
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擴(kuò)充先進(jìn)制程 聯(lián)電今年資本支出18億美元
鄭茜文／臺北 為擴(kuò)充40奈米與28奈米先進(jìn)制程產(chǎn)能，聯(lián)電宣布2011年資本支出將達(dá)約18億美元，與2010年相當(dāng)，聯(lián)電預(yù)估，2011年12吋產(chǎn)能將增加25%，65奈米制程全年?duì)I收比重將提升至40%左右，40奈米制程下半年將提升到10%
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聯(lián)電下半年 40/45奈米比重達(dá)1成
聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉看好今年40/45奈米制程技術(shù)業(yè)績可望逐季攀高，預(yù)期下半年?duì)I收比重可望達(dá)1成水準(zhǔn)。聯(lián)電今年資本支出將約18億美元，40奈米將是擴(kuò)充重點(diǎn)。晶圓代工廠聯(lián)電今天召開法人說明會，孫世偉表示，去年聯(lián)電65奈
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臺積花29億元 買力晶竹科12寸廠
臺積電昨（12）日宣布，以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20奈米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外
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產(chǎn)能先進(jìn)制程推升明年臺積電市占升至52%
晶圓代工版圖競爭激烈，目前臺積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競爭對手之一的全球晶圓(GlobalFoundries)在合并特許以及大幅
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手機(jī)芯片廠轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程進(jìn)展
中國大陸IC設(shè)計(jì)廠展訊預(yù)定明年1月于北京發(fā)表，采用40納米制程低耗電3G通訊基帶晶片，成為手機(jī)芯片大廠高通（Qualcomm）后，進(jìn)入40納米制程的手機(jī)芯片廠。市場亦傳出，高通方面已與展訊就TD芯片展開合作，法人預(yù)估，高
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臺積電產(chǎn)能先進(jìn)制程提升
晶圓代工版圖競爭激烈，目前臺積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競爭對手之一的全球晶圓(Global Foundries)在合并特許以及大
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產(chǎn)能先進(jìn)制程推升 明年臺積電市占升至52%
晶圓代工版圖競爭激烈，目前臺積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競爭對手之一的全球晶圓(Global Foundries)在合并特許以及大
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產(chǎn)能制程推升明年臺積電市占升至52%
晶圓代工版圖競爭激烈，目前臺積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競爭對手之一的全球晶圓(Global Foundries)在合并特許以及大
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IDM釋單/制程較勁 晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)攀升
結(jié)束2010年終端應(yīng)用所帶動的強(qiáng)勁成長力道，全球半導(dǎo)體市場恢復(fù)緩慢成長的步調(diào)，資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)預(yù)測，隨成長力道趨緩，晶圓代工廠競爭勢必更加激烈，短期來看，整合元件制造商(IDM)釋單比重增加，將帶動晶
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DRAM價格加速下滑也不能嚇阻廠商加大明年供貨
2009年第二季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚(yáng)。DIGITIMESResearch分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括臺、美、日等DRAM廠即因產(chǎn)品價格持續(xù)下跌而處于長期虧損窘境
