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探討新型微電子封裝技術
1 前言 本文試圖綜述自二十世紀九十年代以來迅速發(fā)展的新型微電子封裝技術，包括焊球陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、圓片級封裝(WLP)、三維封裝(3D)和系統(tǒng)封裝(SIP)等項技術。介紹它們的發(fā)展狀況和技術特點
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面板、被動組件廠擴產(chǎn)不斷 萬潤2Q營收優(yōu)于首季
設備廠萬潤表示，由于面板廠擴產(chǎn)集中于下半年裝機，預估第3季將會是營收高峰，帶動整體下半年營收走高，目前來看，第2季由于被動組件廠擴產(chǎn)，帶動訂單涌入，預期第2季營收將優(yōu)于首季。 萬潤指出，第1季受惠于被動
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DRAM封測制程沿革
李洵穎 DRAM的世代交替帶動了先進封裝技術的發(fā)展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品，其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP)，自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA)，延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代
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中國LED發(fā)展需突破封裝難題
近年來LED產(chǎn)業(yè)開始逐漸從喧囂的照明革命中冷靜下來，中國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展日趨成熟和理智。發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光效能也在過往的十年間已大幅提升，從過去的20流明每瓦增加到最近的150流明每瓦，當前高功率LED已達到適用于
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中國LED照明革命實質(zhì)上就是“封裝大戰(zhàn)”
近年來LED產(chǎn)業(yè)開始逐漸從喧囂的照明革命中冷靜下來，中國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展日趨成熟和理智。發(fā)光二極管（LED）的發(fā)光效能也在過往的十年間已大幅提升，從過去的20流明每瓦增加到最近的150流明每瓦，當前高功率LED已達到適用
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2010年全球半導體封裝產(chǎn)業(yè)盤點
2010年，半導體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術，但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。2010年1月，SEMI公布了關于銅引線
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LED照明進入快速發(fā)展
LED照明將成為第二個帶動LED行業(yè)迅速成長的應用產(chǎn)品。LED行業(yè)的爆發(fā)性成長源于多年來的市場培養(yǎng)和技術累計，根據(jù)DIGITIMESResearch最新統(tǒng)計，高亮度LED市場規(guī)模將由2010年82.5億美元，成長至2011年的126億美元，年成
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2010年半導體封裝年度總結
2010年，半導體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術，但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。 2010年1月，SEMI公布了關于銅
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2010年半導體封裝盤點
2010年，半導體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術，但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。2010年1月，SEMI公布了關于銅引線鍵
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2010年半導體封裝盤點：低成本的銅引線鍵合引人注目
2010年，半導體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術，但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。2010年1月，SEMI公布了關于銅引線
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2種新型的芯片封裝技術介紹
在計算機內(nèi)存產(chǎn)品工藝中，內(nèi)存的封裝技術是內(nèi)存制造工藝中最關鍵一步，采用不同封裝技術的內(nèi)存條，在性能上存在較大差距。只有高品質(zhì)的封裝技術才能生產(chǎn)出完美的內(nèi)存產(chǎn)品。本文就主要介紹兩種新型封裝技術--BLP和Tin
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半導體封裝篇：低成本的銅引線鍵合引人注目
2010年，半導體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術，但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。 2010年1月，SEMI公布了關于銅
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金、銅線封裝價差拉大 低階產(chǎn)品快速往銅制程靠攏
黃金期貨價格續(xù)攀新高，一度挑戰(zhàn)歷史新高價位，而銅價則處于檔震溫格局。對封裝業(yè)而言，銅價相對穩(wěn)定，金價持續(xù)飆升，將影響封裝毛利，預期金線和銅線封裝價格差異幅度拉大，從過去15%將拉大到25%；同時，金漲銅穩(wěn)的
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功率型白光LED封裝技術發(fā)展的四個趨勢
1996年，Nichia公司的Nakamura等首次使用藍光led結合黃色熒光粉轉(zhuǎn)化合成了白光LED。他所采用的黃色熒光粉為Y3Al5O12:Ce3+(簡稱YAG:Ce3+)，這種熒光粉在470nm波段附近有較強的寬帶吸收，然后激發(fā)出540nm附近的黃光，L
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傳富士通半導體將先端封裝技術移往大陸
據(jù)日經(jīng)新聞報導，富士通(FujitsuLtd.)集團旗下半導體子公司富士通半導體(FujitsuSemiconductor;原名為富士通微電子)計劃于今(2010)年內(nèi)將采用先端半導體封裝技術的日本三重工廠部份生產(chǎn)設備移至中國大陸相關公司&ldq
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富士通半導體傳擬將先端封裝技術移往大陸
日經(jīng)新聞27日報導，富士通(Fujitsu Ltd.)集團旗下半導體子公司富士通半導體(Fujitsu Semiconductor；原名為富士通微電子)計劃于今(2010)年內(nèi)將采用先端半導體封裝技術的日本三重工廠部份生產(chǎn)設備移至中國大陸相關公
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臺封裝大廠決戰(zhàn)制程
臺系一線封測廠不僅致力于銅制程競賽，亦兼顧高階封裝技術，由于電子產(chǎn)品大吹輕薄風，功能益趨多元復雜，半導體高階制程備受青睞，使得高密度封裝技術包括晶圓級封裝(WLP)、層迭式封裝(PoP)、多芯片封裝(MCP)等，成為
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臺封裝大廠決戰(zhàn)制程 鑄造搶市利器
臺系一線封測廠不僅致力于銅制程競賽，亦兼顧高階封裝技術，由于電子產(chǎn)品大吹輕薄風，功能益趨多元復雜，半導體高階制程備受青睞，使得高密度封裝技術包括晶圓級封裝(WLP)、層迭式封裝(PoP)、多芯片封裝(MCP)等，成為
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封裝技術進入3D IC時代 臺灣硅穿孔市場潛力足
隨著封裝技術未來將進入3D IC時代，半導體封裝專利授權廠商Tessera認為，若臺灣廠商可掌握3D IC趨勢，并結合臺灣集中的IC產(chǎn)業(yè)鏈，3D IC技術將有機會領先全球。其中硅穿孔(TSV)挾著成本便宜等優(yōu)勢，未來成長潛力十足，
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長電科技跨入封測行業(yè)全球十強
前不久，江蘇長電科技股份有限公司“集成電路封測生產(chǎn)線技術改造項目”被評為江蘇省技術改造示范項目。成功的技術改造，使江蘇長電科技股份有限公司今年上半年完成銷售收入16.39億元，利潤總額超億元，實現(xiàn)了歷史最好
