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半導體工藝微細化遇阻
半導體工藝技術(shù)在不斷進步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因為工藝技術(shù)革新的關(guān)鍵——微細化讓人擔心。
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成本大挑戰(zhàn) 臺積電期上下游攜手合作
王怡蘋／新竹 臺積電研究發(fā)展資深副總蔣尚義于2011年高科技產(chǎn)業(yè)論壇中，發(fā)表先進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，蔣尚義分析，目前半導體技術(shù)創(chuàng)新遇到的挑戰(zhàn)在于微影技術(shù)、電晶體堆疊方式的革命以及隨技術(shù)演進而攀升的成本問題，
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攜手TEL ASML催生EUV微影量產(chǎn)系統(tǒng)
艾司摩爾(ASML)宣布與東京威力科創(chuàng)(TEL)簽署合作協(xié)議，以加快極紫外光微影(EUV Lithography)設(shè)備商用進展。根據(jù)協(xié)議，東京威力科創(chuàng)將提供最新的EUV涂布機(Coater)和顯影機(Developer)給艾司摩爾，并共同研究提高EUV微
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EUV光刻下墊層材料研究進展
EUV光刻是hp22以下器件制造最有前途的候選技術(shù)之一。但它有些難點需要克服，特別是要開發(fā)高功率EUV光源、制造多層掩膜與檢測以及開發(fā)均衡性良好的光刻膠，因為分辨率-線寬粗糙度-靈敏度(RLS)的權(quán)衡最重要。EUV用光刻
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20奈米制程聲聲催 EUV光罩/晶圓檢測發(fā)展趕進度
在先進制程邁入20奈米之際，半導體設(shè)備商正積極透過策略結(jié)盟方式發(fā)展EUV光罩缺陷檢測系統(tǒng)，以加速實現(xiàn)EUV技術(shù)應用于20奈米節(jié)點的目標；另一方面，擁有更高晶圓缺陷檢測精準度與吞吐量的電子束晶圓缺陷檢視設(shè)備，需求
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應材新光罩蝕刻系統(tǒng) 解決16奈米以下EUV部分瓶頸
連于慧／臺北 日前臺積電研發(fā)資深副總蔣尚義才呼吁設(shè)備廠要多加把勁，為先進制程技術(shù)的機臺設(shè)備研發(fā)加把勁，全球半導體設(shè)備大廠也都努力推新設(shè)備應戰(zhàn)。應用材料(Applied Materials)日前表示，將針對16奈米及以下制程
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日本EUV光刻系統(tǒng)企業(yè)聯(lián)合體計劃在全球范圍建立客戶合作關(guān)系
由日本芯片制造商和設(shè)備制造商組成的EUV光刻系統(tǒng)企業(yè)聯(lián)合體近來積極在全球范圍建立客戶合作關(guān)系，最新加入的海外公司包括英特爾、三星、海力士和臺積電等。日本EUV光刻系統(tǒng)企業(yè)聯(lián)合體成立于今年一月，主要成員包括芯
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臺積電：14nm節(jié)點延期，都怪設(shè)備商不給力
在Semicon Taiwan半導體設(shè)備展上，晶圓代工大廠臺積電(TSMC)的高層指出，要趕上 14奈米節(jié)點芯片在2015年的量產(chǎn)時程，時間已經(jīng)不多了，但設(shè)備業(yè)者卻動作太慢。臺積電認為，要讓 14奈米芯片達到成本效益，需要采用下一
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臺積電：14nm節(jié)點延期，都怪設(shè)備商不給力
在Semicon Taiwan半導體設(shè)備展上，晶圓代工大廠臺積電(TSMC)的高層指出，要趕上 14奈米節(jié)點芯片在2015年的量產(chǎn)時程，時間已經(jīng)不多了，但設(shè)備業(yè)者卻動作太慢。臺積電認為，要讓 14奈米芯片達到成本效益，需要采用下一
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14奈米量產(chǎn)迫在眉睫 臺積電：設(shè)備商動作太慢
在SemiconTaiwan半導體設(shè)備展上，晶圓代工大廠臺積電(TSMC)的高層指出，要趕上14奈米節(jié)點晶片在2015年的量產(chǎn)時程，時間已經(jīng)不多了，但設(shè)備業(yè)者卻動作太慢。臺積電認為，要讓14奈米晶片達到成本效益，需要采用下一代微
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14奈米量產(chǎn)迫在眉睫 臺積電：設(shè)備商動作太慢
在Semicon Taiwan半導體設(shè)備展上，晶圓代工大廠臺積電(TSMC)的高層指出，要趕上 14奈米節(jié)點晶片在2015年的量產(chǎn)時程，時間已經(jīng)不多了，但設(shè)備業(yè)者卻動作太慢。臺積電認為，要讓 14奈米晶片達到成本效益，需要采用下一
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“巧婦難為無米之炊”，半導體設(shè)備落后延宕14nm工藝
臺積電研發(fā)高管在Semicon臺灣國際半導體展的一次演講中表示，留給臺積電決定如何在2015年投產(chǎn)14nm芯片的時間越來越短，而資本設(shè)備廠商卻沒能跟上進度。 臺積電認為公司需要轉(zhuǎn)向下一代光刻技術(shù)和450mm晶圓才能讓14
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臺積電：28納米產(chǎn)能滿載
臺積電仍信心喊話，除了第4季營運可望好轉(zhuǎn)，臺積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義昨（7）日出席臺灣半導體展（SEMICON Taiwan）指出，28納米能拿到的訂單都拿到了，明年需求非常好，現(xiàn)在產(chǎn)能全數(shù)滿載。 此外，臺積電20納
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臺積電28nm訂單全到位 20nm明年9月量產(chǎn)
面對市場傳出經(jīng)濟成長放緩、恐使庫存調(diào)整拉長，臺積電(2330-TW)(TSM-US)深具信心地指出，庫存調(diào)整與去化應該一個季度就可以解決，臺積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義并透露，目前觀察到明年的市場需求穩(wěn)健，臺積電28奈米訂
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臺積電透露將于近期開始試用EUV微影設(shè)備
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)透露，該公司將在兩周內(nèi)首度啟用深紫外光(EUV)微影設(shè)備；此舉意味著臺積電已經(jīng)開始為下一代的晶片生產(chǎn)，進一步評估三種微影競爭技術(shù)，好為生產(chǎn)下一代晶片做準備。 「我們是唯一公開透露已經(jīng)
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臺積電28納米 明年初放量
臺積電研發(fā)副總經(jīng)理林本堅昨（6）日參加臺灣半導體展（SEMICONTaiwan）展前記者會時指出，臺積電28納米今年底小量生產(chǎn)，明年初預估量會放大，仍采用多重曝影（multipatterning）的浸潤式（immersion）微影技術(shù)。臺積
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臺積電28納米 明年初放量
臺積電研發(fā)副總經(jīng)理林本堅昨（6）日參加臺灣半導體展（SEMICON Taiwan）展前記者會時指出，臺積電28納米今年底小量生產(chǎn)，明年初預估量會放大，仍采用多重曝影（multi patterning）的浸潤式（immersion）微影技術(shù)。臺
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日本工業(yè)新聞稱爾必達計劃興建下一代芯片生產(chǎn)工廠
日本媒體日刊工業(yè)新聞29日報導，因半導體制程技術(shù)將于數(shù)年后來到10nm等級(10-19nm)水平，加上現(xiàn)有工廠內(nèi)可供設(shè)置設(shè)備的空間已不多，故日本DRAM龍頭廠爾必達(Elpida)計劃于廣島工廠內(nèi)興建乙棟新廠房，該棟新廠房并將導
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插旗EUV版圖 KLA/SEMATECH締結(jié)盟約
為實現(xiàn)零缺陷的極紫外光(EUV)光罩，光罩缺陷檢測系統(tǒng)不可或缺。有鑒于EUV前景可期，科磊(KLA-Tencor)正試圖透過與SEMATECH策略結(jié)盟發(fā)展光罩缺陷檢測系統(tǒng)，以加速EUV技術(shù)成熟，并藉此卡位EUV市場先機。 科磊行銷長
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下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長或趨緩
在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長可
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