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Cymer發(fā)布EUV光源技術(shù)路線圖
光源對于光刻機的重要性不言而喻，沒有光源的匹配，一切圖形成像都無從談起。從1986年開始，Cymer正式進入半導體產(chǎn)業(yè)，目前已有超過3500套光源安裝在世界各地的光刻設(shè)備上。Cymer所占的市場份額已近70%，儼然已成為世
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Cymer發(fā)布EUV光源技術(shù)路線圖 將繼續(xù)拓展OLED領(lǐng)域
光源對于光刻機的重要性不言而喻，沒有光源的匹配，一切圖形成像都無從談起。從1986年開始，Cymer正式進入半導體產(chǎn)業(yè)，目前已有超過3500套光源安裝在世界各地的光刻設(shè)備上。Cymer所占的市場份額已近70%，儼然已成為世
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EUV機臺
深紫外光(EUV)技術(shù)是次世代微影技術(shù)之一，其他還還包括無光罩多重電子束、浸潤式微影多重曝光技術(shù)等，EUV技術(shù)主要的開發(fā)商是設(shè)備大廠愛司摩爾(ASML)，當半導體制程技術(shù)走入20奈米或是10奈米以下，現(xiàn)有的浸潤式曝光(I
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美國西盟將提高EUV曝光光源的輸出功率,有能力實現(xiàn)產(chǎn)品規(guī)劃
半導體曝光裝置光源知名廠商美國西盟公司（Cymer）12月1日公布了EUV（超紫外線）曝光光源的開發(fā)狀況和該公司新近涉足的有機EL（電致發(fā)光）顯示器用低溫多晶硅TFT退火光源的概況。 西盟的EUV曝光光源目前有4臺已經(jīng)
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東芝展望EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)在即或需要與雙圖案化技術(shù)并用
東芝在荷蘭阿斯麥（ASML）公司于2010年11月18日在東京舉行的“ASML/BrionComputationalLithographySeminar2010”會議上，展望了引進EUV（超紫外線）曝光技術(shù)進行量產(chǎn)的前景。東芝統(tǒng)管光刻技術(shù)開發(fā)的東木達彥表示“即
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東芝展望EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)在即
東芝在荷蘭阿斯麥(ASML)公司于2010年11月18日在東京舉行的“ASML/Brion Computational Lithography Seminar 2010”會議上，展望了引進EUV(超紫外線)曝光技術(shù)進行量產(chǎn)的前景。東芝統(tǒng)管光刻技術(shù)開發(fā)的東木達
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終結(jié)時代：半導體技術(shù)出乎意料的五大事件
本周舉行的ARM技術(shù)大會上，IBM半導體研究與發(fā)展中心副總裁Gary Patton做了一場內(nèi)容豐富、信息量很大的主題演講。演講題為“20納米及未來的半導體技術(shù)創(chuàng)新”。Patton談到了光刻、材料和未來設(shè)備的現(xiàn)狀。下面
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半導體技術(shù)出乎意料的五個事件
本周舉行的ARM技術(shù)大會上，IBM半導體研究與發(fā)展中心副總裁Gary Patton做了一場內(nèi)容豐富、信息量很大的主題演講。演講題為“20納米及未來的半導體技術(shù)創(chuàng)新”。Patton談到了光刻、材料和未來設(shè)備的現(xiàn)狀。下面
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EUV：終極的曝光技術(shù)
面向超越22nm工藝的最尖端半導體而正在研發(fā)的新技術(shù)——采用13.5nm這一超短波長的新一代曝光技術(shù)EUV(extreme ultraviolet)即將展露鋒芒。由于EUV曝光技術(shù)實現(xiàn)了半導體的極小線寬，因而被稱為“終極的
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EUV曝光技術(shù)即將展露鋒芒
面向超越22nm工藝的最尖端半導體而正在研發(fā)的新技術(shù)——采用13.5nm這一超短波長的新一代曝光技術(shù)EUV（extreme ultraviolet）即將展露鋒芒。由于EUV曝光技術(shù)實現(xiàn)了半導體的極小線寬，因而被稱為“終極的曝光技術(shù)”。另
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次世代微影技術(shù)主流之爭
目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進入量產(chǎn)，而應(yīng)用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也
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次世代微影技術(shù)主流之爭 EUV可望2014年進入量產(chǎn)
目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光(EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進入量產(chǎn)，而應(yīng)用內(nèi)存制程又將早于邏輯制程，他也指
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AMAT發(fā)布面向22nm工藝的掩模檢查設(shè)備，同時支持ArF-DP和EUV
美國應(yīng)用材料（AMAT）發(fā)布了掩模檢查設(shè)備“Aera3”。支持22nm工藝，檢測靈敏度較該公司原機型“Aera2”提高50％，同時還配備了可支持ArF液浸及EUV（extreme ultraviolet）兩種光刻技術(shù)的功能。 作為面向ArF液浸的
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GF：芯片制造技術(shù)即將到達瓶頸
據(jù)已從AMD經(jīng)剝離的GLOBALFOUNDRIES公司稱，晶圓烘焙技術(shù)即將遇到瓶頸——但是他們已經(jīng)為此做好了準備。該公司還表示，他們對待芯片材料最近進展的方法要優(yōu)于Intel，并且將被后者的競爭對手臺積電所使用。 近日，G
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研發(fā)新技術(shù)不手軟 半導體廠全力搶攻先進制程
隨著半導體產(chǎn)業(yè)走向40奈米以下先進制程，產(chǎn)業(yè)上下游皆競相投入先進制程研發(fā)，包括臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)皆大手筆添購設(shè)備，更加速跨入20奈米級、10奈米級的制程研發(fā)，半導體設(shè)備業(yè)者包括艾斯摩爾
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迎戰(zhàn)三星、全球晶圓 臺積電忙搶人才
隨著三星電子(SamsungElectronics)、全球晶圓(GlobalFoundries)積極強化晶圓代工業(yè)務(wù)，臺積電面對競爭對手挖墻角壓力，近期積極招募各方好手，除舉辦各類競賽挖掘研發(fā)人員，亦采取預(yù)聘(advancedoffer)方式，搶大專院
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迎戰(zhàn)三星、全球晶圓 臺積電忙搶人才
隨著三星電子(Samsung Electronics)、全球晶圓(Global Foundries)積極強化晶圓代工業(yè)務(wù)，臺積電面對競爭對手挖墻角壓力，近期積極招募各方好手，除舉辦各類競賽挖掘研發(fā)人員，亦采取預(yù)聘 (advanced offer)方式，搶大
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研發(fā)新技術(shù) 三星、海力士訂購EUV設(shè)備
據(jù)南韓電子時報報導，三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等南韓內(nèi)存廠最快可于2012年著手量產(chǎn)10奈米制程Flash及20奈米制程DRAM等次世代內(nèi)存。據(jù)相關(guān)業(yè)者表示，三星和海力士率先向荷商艾司摩爾(ASML)訂購研
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EUV要加大投資強度
未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的CJMuse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其
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GlobalFoundries投入EUV技術(shù) 4年后量產(chǎn)
繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于
