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ASMLQ2業(yè)績(jī)創(chuàng)新高6套EUV設(shè)備將交貨
ASML日前宣布，其2010年Q2凈銷(xiāo)售達(dá)到1,069million歐元，凈收入為239million歐元，Q2的凈訂單價(jià)值1,179million歐元，包括了48套新系統(tǒng)及11套二手系統(tǒng)。各項(xiàng)數(shù)據(jù)均較2010年Q1有所提高。ASML總裁兼CEOEricMeurice認(rèn)為，
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2015年15nm GF將用EUV光刻技術(shù)造芯片
在最近的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會(huì)議上， Global Foundries公司對(duì)外宣布，將會(huì)在15nm制程時(shí)開(kāi)始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。Global Foundries公司高級(jí)副總裁Greg Bartlett表示，在紐約Fab 8工廠建成之后的2012
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Global Foundries宣布2015年將在15nm制程節(jié)點(diǎn)正式啟用EUV光刻技術(shù)
在最近召開(kāi)的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會(huì)議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節(jié)點(diǎn)開(kāi)始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。 Global Foundries 公司負(fù)責(zé)制程技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁Greg Bartlett還表示，公司將
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ASML Q2業(yè)績(jī)創(chuàng)新高 6套EUV設(shè)備將交貨
ASML日前宣布，其2010年Q2凈銷(xiāo)售達(dá)到1,069 million歐元，凈收入為239 million 歐元，Q2的凈訂單價(jià)值1,179 million 歐元，包括了48套新系統(tǒng)及11套二手系統(tǒng)。各項(xiàng)數(shù)據(jù)均較2010年Q1有所提高。ASML總裁兼CEO Eric Meuric
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臺(tái)積電拼20奈米 戰(zhàn)斗機(jī)臺(tái)明年到位
隨著IC組件微縮、制程進(jìn)入28奈米以下，半導(dǎo)體業(yè)者若能掌握微影技術(shù)主控權(quán)，就等于卡位先進(jìn)制程領(lǐng)導(dǎo)地位，臺(tái)積電未來(lái)研發(fā)重點(diǎn)放在28奈米以下，尤其為力拼20奈米制程，全力備妥戰(zhàn)斗武器，臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣
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對(duì)EUV曝光充滿(mǎn)期待——東芝在SEMI Forum上發(fā)表演講
新一代半導(dǎo)體曝光工藝將如何發(fā)展？在SEMI日本主辦的“SEMI Forum Japan 2010”（5月31日～6月1日，大阪國(guó)際會(huì)議中心）上，器件廠商和曝光裝置廠商先后發(fā)表演講，從中便可窺探出EUV（Extreme Ultraviolet）曝光在半導(dǎo)
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光刻技術(shù)路在何方？
光刻技術(shù)正處在十字路口并可能是在向錯(cuò)誤的方向發(fā)展。光刻是支撐摩爾定律所闡明的IC工藝不斷縮微的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)。當(dāng)前的技術(shù)仍然可行，而且其壽命已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了所有人的預(yù)期，所以將在不久的將來(lái)失去動(dòng)力。其后繼技術(shù)
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東芝成功形成半間距14nm的圖案，以EUV雙重圖形制作工藝實(shí)現(xiàn)
東芝成功形成了14nm半間距（HP，Half Pitch）圖案的照片在“Photomask Japan 2010”（4月13日～15日在太平洋橫濱會(huì)展中心舉行）的海報(bào)展上公開(kāi)。系采用現(xiàn)有的EUV裝置，以雙重圖形制作工藝試制而成。 東芝的相關(guān)人
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是用EUV光刻技術(shù)制造的，瑞士企業(yè)展出hp 35nm的納米壓印模具
瑞士Eulitha AG強(qiáng)調(diào)“用EUV（extreme ultraviolet）光刻技術(shù)制造”的納米壓印用模具，在“nano tech 2010（國(guó)際納米科技綜合展，2月17～19日）”上展出。在2mm×0.5mm的轉(zhuǎn)印區(qū)內(nèi)形成了最小17nm的網(wǎng)點(diǎn)、最小半間距（h
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英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無(wú)掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱(chēng)11納米可能發(fā)生在2015年。Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在201
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)
在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì)上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將 193nm波長(zhǎng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們?cè)俅魏笱恿似錁O紫外光刻(EUV)技
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臺(tái)積 攻22奈米添利多
臺(tái)積電（2330）昨（22）日宣布，將取得艾司摩爾（ASML）超紫外光 (Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，將使得臺(tái)積在22奈米以下的最先進(jìn)制程領(lǐng)先全球。 臺(tái)積電目前40奈米擁有90%以上高市占率，今 將舉行一年一度
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臺(tái)積電跨入EUV微影技術(shù)領(lǐng)域
臺(tái)積電（2330）與微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾（ASML）昨（22）日共同宣布，臺(tái)積電將取得ASML的TWINSCAN NXE：3100極紫外光（Extreme Ultra-Violet，EUV）微影設(shè)備。這是臺(tái)積電在布局多重電子束的無(wú)光罩（maskless）、雙
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分析：450mm，EUV，TSV都將延遲
現(xiàn)在不用再期待了，根據(jù)IC insights公司的數(shù)據(jù)，看起來(lái)兩個(gè)兩個(gè)正在顯現(xiàn)的重要的IC制造技術(shù)都將延遲，包括450mm晶圓和遠(yuǎn)紫外（EUV）光刻技術(shù)。 根據(jù)分析，450mm晶圓廠量產(chǎn)可能要比預(yù)期的時(shí)間晚兩年，要等到2015年或2
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450mm晶圓，EUV光刻、TSV三項(xiàng)投入應(yīng)用將推遲至2015-2016年
半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司ICInsights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)（EUV）投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。據(jù)ICInsights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望
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三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年
半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望
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450mm晶圓,EUV光刻、TSV三項(xiàng)投入應(yīng)用將推遲至2015-2016年
半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)（EUV）投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有
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KLA公開(kāi)EUV掩模檢查裝置戰(zhàn)略
在美國(guó)KLA-Tencor于12月3日主辦的“第17屆YMS研討會(huì)”上，KLA-Tencor Japan公開(kāi)了有關(guān)EUV掩模檢查的戰(zhàn)略。 在本屆研討會(huì)上，KLA-Tencor Japan的長(zhǎng)岡根據(jù)KLA-Tencor在10月于捷克布拉格舉行的“2009 International
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中國(guó)32nm技術(shù)腳步漸近
32nm離我們還有多遠(yuǎn)？技術(shù)難點(diǎn)該如何突破？材料與設(shè)備要扮演何種角色？10月28日于北京舉辦的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)即圍繞“32nm技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)”這一主題進(jìn)行了探討。32nm節(jié)點(diǎn)挑戰(zhàn)無(wú)限“45nm已進(jìn)入量產(chǎn)，32nm甚至更小
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