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Imec發(fā)布EUV掩膜缺陷評(píng)估方面的成果
Imec聯(lián)合合作伙伴發(fā)布兩份EUV掩膜評(píng)估結(jié)果，結(jié)果顯示EUV供應(yīng)商須在檢測(cè)掩膜缺陷能力方面進(jìn)行改善。并與Zeiss SMS合作通過(guò)實(shí)驗(yàn)演示了一項(xiàng)消除缺陷的補(bǔ)償技術(shù)。
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EUV掩膜版清洗技術(shù)遭遇資金危機(jī)
本周在奧斯汀由美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟(Sematech)牽頭舉辦的表面制備與清潔技術(shù)大會(huì)(SPCC:Surface Preparation and Cleaning Conference)上,與會(huì)者紛紛表示EUV光刻技術(shù)的發(fā)展對(duì)EUV有關(guān)的量測(cè)技術(shù)以及掩膜清潔技術(shù)
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光刻世界的期待與沮喪
數(shù)十年來(lái)，光刻一直是關(guān)鍵的芯片生產(chǎn)技術(shù)。今天它仍然很重要。不過(guò)，在最近的SPIE先進(jìn)光刻技術(shù)大會(huì)中，一些跡象顯示，光刻界及其客戶(hù)需要的微縮──字面上的微縮──事實(shí)上幾乎已經(jīng)有點(diǎn)像心理安慰了。 焦慮、緊張
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微影世界的藍(lán)色憂郁
數(shù)十年來(lái)，微影一直是關(guān)鍵的晶片生產(chǎn)技術(shù)。今天它仍然很重要。不過(guò)，在最近的 SPIE 先進(jìn)微影大會(huì)中，一些跡象顯示，微影社群及其客戶(hù)需要的微縮──字面上的微縮──事實(shí)上幾乎已經(jīng)有點(diǎn)像心理安慰了。焦慮、緊張和憂
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英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯(cuò)過(guò)良機(jī)
英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。但英特爾微影技
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英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯(cuò)失良機(jī)
英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。但英特爾微影技
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英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯(cuò)過(guò)良機(jī)
英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。但英特爾微影技
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英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯(cuò)過(guò)良機(jī)
英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。但英特爾微影技
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英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯(cuò)過(guò)良機(jī)
英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 但英特爾微
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EUV又遲到 專(zhuān)家看好“定向自組裝”
幾年前，定向自組裝技術(shù)(Directed self-assembly, DSA)還是一出實(shí)驗(yàn)室大門(mén)，就幾乎無(wú)人知曉的名詞，但未來(lái)，它將成為半導(dǎo)體制造業(yè)中的一種合法競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)?！澳憬^對(duì)不能忽視定向自組裝，”應(yīng)用材料公司(Applied Materi
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英特爾：EUV技術(shù)恐趕不上10nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)度
英特爾公司正在計(jì)劃將目前的 193nm 浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家晶片業(yè)巨擘也希望能在2015年下半年于 10nm 邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。但英特爾微
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Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步
在最近召開(kāi)的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批 量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)
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Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步
在最近召開(kāi)的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看
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Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步
在最近召開(kāi)的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批 量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)
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巴克萊分析師：緊隨TSV/EUV技術(shù) 450mm大潮2018年將至
不久前臺(tái)積電公司公布自己轉(zhuǎn)向450mm技術(shù)后，巴克萊公司分析師 CJ Muse最近發(fā)表了其對(duì)450mm技術(shù)未來(lái)走向的新預(yù)測(cè)，他認(rèn)為450mm技術(shù)的大潮將在2018年以前來(lái)臨，不過(guò)在此之前各大芯片制造廠商會(huì)先完成其它 幾項(xiàng)重要的技
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半導(dǎo)體廠商高層在“世界半導(dǎo)體峰會(huì)”發(fā)布戰(zhàn)略演講
“世界半導(dǎo)體峰會(huì)@東京2011～半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，成長(zhǎng)宣言～”(2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開(kāi)，《日經(jīng)電子》主辦)隆重舉行，各大半導(dǎo)體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。瑞薩電子代表董事社長(zhǎng)赤尾泰以&l
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瑞薩及TSMC高層在“世界半導(dǎo)體峰會(huì)”發(fā)表戰(zhàn)略演講
“世界半導(dǎo)體峰會(huì)＠東京2011～半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，成長(zhǎng)宣言～”（2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開(kāi)，《日經(jīng)電子》主辦）隆重舉行，各大半導(dǎo)體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。 瑞薩電子代表董事社長(zhǎng)赤尾泰以“面
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Micron總裁談3D EUV與450mm晶圓
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后，然而最近以來(lái)此家存儲(chǔ)器制造商開(kāi)始追趕上來(lái)，似乎在NAND方面己經(jīng)超過(guò)它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Micron公司正在進(jìn)行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行
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Micron總裁談3D EUV與450mm晶圓
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后，然而最近以來(lái)此家存儲(chǔ)器制造商開(kāi)始追趕上來(lái)，似乎在NAND方面己經(jīng)超過(guò)它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Micron公司正在進(jìn)行25nm NAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行
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光罩、光阻問(wèn)題大 EUV機(jī)臺(tái)量產(chǎn)路途遙
微影設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)首臺(tái)深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái)已正式送到客戶(hù)端進(jìn)行裝機(jī)，日前，ASML也用EUV機(jī)臺(tái)試產(chǎn)出首片27奈米半間距(half pitch)的芯片。不過(guò)，目前EUV除成本高昂外，光罩檢測(cè)與光阻為目前EUV進(jìn)入量產(chǎn)的兩大
太陽(yáng)系的天體
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