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Imec發(fā)布EUV掩膜缺陷評估方面的成果
Imec聯(lián)合合作伙伴發(fā)布兩份EUV掩膜評估結(jié)果，結(jié)果顯示EUV供應(yīng)商須在檢測掩膜缺陷能力方面進行改善。并與Zeiss SMS合作通過實驗演示了一項消除缺陷的補償技術(shù)。
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EUV掩膜版清洗技術(shù)遭遇資金危機
本周在奧斯汀由美國半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟(Sematech)牽頭舉辦的表面制備與清潔技術(shù)大會(SPCC:Surface Preparation and Cleaning Conference)上,與會者紛紛表示EUV光刻技術(shù)的發(fā)展對EUV有關(guān)的量測技術(shù)以及掩膜清潔技術(shù)
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光刻世界的期待與沮喪
數(shù)十年來，光刻一直是關(guān)鍵的芯片生產(chǎn)技術(shù)。今天它仍然很重要。不過，在最近的SPIE先進光刻技術(shù)大會中，一些跡象顯示，光刻界及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實上幾乎已經(jīng)有點像心理安慰了。 焦慮、緊張
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微影世界的藍色憂郁
數(shù)十年來，微影一直是關(guān)鍵的晶片生產(chǎn)技術(shù)。今天它仍然很重要。不過，在最近的 SPIE 先進微影大會中，一些跡象顯示，微影社群及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實上幾乎已經(jīng)有點像心理安慰了。焦慮、緊張和憂
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英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預(yù)計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進行生產(chǎn)。但英特爾微影技
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英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯失良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預(yù)計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進行生產(chǎn)。但英特爾微影技
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英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預(yù)計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進行生產(chǎn)。但英特爾微影技
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英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預(yù)計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進行生產(chǎn)。但英特爾微影技
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英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預(yù)計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進行生產(chǎn)。 但英特爾微
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EUV又遲到 專家看好“定向自組裝”
幾年前，定向自組裝技術(shù)(Directed self-assembly, DSA)還是一出實驗室大門，就幾乎無人知曉的名詞，但未來，它將成為半導(dǎo)體制造業(yè)中的一種合法競爭技術(shù)?！澳憬^對不能忽視定向自組裝，”應(yīng)用材料公司(Applied Materi
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英特爾：EUV技術(shù)恐趕不上10nm節(jié)點進度
英特爾公司正在計劃將目前的 193nm 浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預(yù)計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家晶片業(yè)巨擘也希望能在2015年下半年于 10nm 邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進行生產(chǎn)。但英特爾微
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Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步
在最近召開的SPIE高級光刻技術(shù)會議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批 量生產(chǎn)的時間點將會遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時間點，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢來
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Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步
在最近召開的SPIE高級光刻技術(shù)會議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批量生產(chǎn)的時間點將會遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時間點，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢來看
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Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步
在最近召開的SPIE高級光刻技術(shù)會議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批 量生產(chǎn)的時間點將會遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時間點，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢來
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巴克萊分析師：緊隨TSV/EUV技術(shù) 450mm大潮2018年將至
不久前臺積電公司公布自己轉(zhuǎn)向450mm技術(shù)后，巴克萊公司分析師 CJ Muse最近發(fā)表了其對450mm技術(shù)未來走向的新預(yù)測，他認(rèn)為450mm技術(shù)的大潮將在2018年以前來臨，不過在此之前各大芯片制造廠商會先完成其它 幾項重要的技
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半導(dǎo)體廠商高層在“世界半導(dǎo)體峰會”發(fā)布戰(zhàn)略演講
“世界半導(dǎo)體峰會@東京2011～半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，成長宣言～”(2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開，《日經(jīng)電子》主辦)隆重舉行，各大半導(dǎo)體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。瑞薩電子代表董事社長赤尾泰以&l
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瑞薩及TSMC高層在“世界半導(dǎo)體峰會”發(fā)表戰(zhàn)略演講
“世界半導(dǎo)體峰會＠東京2011～半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，成長宣言～”（2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開，《日經(jīng)電子》主辦）隆重舉行，各大半導(dǎo)體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。 瑞薩電子代表董事社長赤尾泰以“面
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Micron總裁談3D EUV與450mm晶圓
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后，然而最近以來此家存儲器制造商開始追趕上來，似乎在NAND方面己經(jīng)超過它的競爭對手。Micron公司正在進行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進行
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Micron總裁談3D EUV與450mm晶圓
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后，然而最近以來此家存儲器制造商開始追趕上來，似乎在NAND方面己經(jīng)超過它的競爭對手。Micron公司正在進行25nm NAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進行
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光罩、光阻問題大 EUV機臺量產(chǎn)路途遙
微影設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)首臺深紫外光(EUV)機臺已正式送到客戶端進行裝機，日前，ASML也用EUV機臺試產(chǎn)出首片27奈米半間距(half pitch)的芯片。不過，目前EUV除成本高昂外，光罩檢測與光阻為目前EUV進入量產(chǎn)的兩大
