麻省理工學(xué)院的研究人員表示,他們已經(jīng)研制出了一種可以刻制尺寸為9nm圖像的電子束光刻技術(shù),而此前電子束光刻技術(shù)所能刻制的圖像尺寸極限則為25nm左右.有關(guān)這次研究的詳細(xì)內(nèi)容將發(fā)表在下一期的《微電子工程》( Mic
盡管紫外光微影(EUV)的一再延遲,已讓人對(duì)于它的實(shí)際商用時(shí)程產(chǎn)生疑問(wèn),但 EUV 光源供應(yīng)商 Cymer 表示,隨著可提高晶圓產(chǎn)出的新一代光源技術(shù)日漸成熟,預(yù)估最快在14nm節(jié)點(diǎn), EUV 將可望導(dǎo)入晶圓的量產(chǎn)中。Cymer迄今已
GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開(kāi)的高級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示,盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效,但光源問(wèn)題仍是EUV光 刻技術(shù)成熟過(guò)程中最“忐忑”的因素。
GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開(kāi)的高級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示,盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效,但光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過(guò)程中最“忐忑”的因素。O
日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺(tái)積電,將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代芯片制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開(kāi)始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術(shù),目標(biāo)在 2015 年底前結(jié)束。企業(yè)成員將運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)
《日本經(jīng)濟(jì)新聞》日前報(bào)導(dǎo),日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺(tái)積電,將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代芯片制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開(kāi)始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術(shù),目標(biāo)在 2015 年底前結(jié)
臺(tái)積電(2330)及日本IDM廠客戶瑞薩電子(Renesas)決定加入由日本半導(dǎo)體業(yè)聯(lián)合出資成立的EUVL基盤開(kāi)發(fā)中心(EIDEC),與英特爾、三星、信越化學(xué)、旭硝子等國(guó)際級(jí)半導(dǎo)體廠合作,共同投入次世代極紫外光(EUV)微影技術(shù)
傳臺(tái)積電將加入國(guó)際制程研發(fā)聯(lián)盟《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周五報(bào)導(dǎo),日本RenesasElectronics(6723-JP)(瑞薩電子)和臺(tái)積電(2330-TW),將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代晶片制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開(kāi)始研發(fā)
傳臺(tái)積電將加入國(guó)際制程研發(fā)聯(lián)盟 《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周五報(bào)導(dǎo),日本Renesas Electronics(6723-JP)(瑞薩電子) 和臺(tái)積電(2330-TW),將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代晶片制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。 該聯(lián)盟預(yù)計(jì)
SEMI研究報(bào)告最新研究報(bào)告顯示,2010年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場(chǎng)達(dá)到了30億元規(guī)模,預(yù)估2012年這一數(shù)字可達(dá)32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下,半導(dǎo)體光刻掩膜板市場(chǎng)在2010年增長(zhǎng)了10%,而未來(lái)兩年光刻
2010年浸潤(rùn)式微米光刻機(jī)臺(tái)設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨,形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn),隨著缺貨問(wèn)題解決,ASML針對(duì)20納米工藝,推出深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái),目前已有10臺(tái)訂單在手,預(yù)計(jì)2012年將正式交貨;不過(guò),
2010年浸潤(rùn)式微米光刻機(jī)臺(tái)設(shè)備(ImmersionScanner)大缺貨,形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn),隨著缺貨問(wèn)題解決,ASML針對(duì)20納米工藝,推出深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái),目前已有10臺(tái)訂單在手,預(yù)計(jì)2012年將正式交貨;不過(guò),對(duì)
2010年浸潤(rùn)式微米光刻機(jī)臺(tái)設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨,形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn),隨著缺貨問(wèn)題解決,ASML針對(duì)20納米工藝,推出深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái),目前已有10臺(tái)訂單在手,預(yù)計(jì)2012年將正式交貨;不過(guò),對(duì)
SEMI研究報(bào)告最新研究報(bào)告顯示,2010年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場(chǎng)達(dá)到了30億元規(guī)模,預(yù)估2012年這一數(shù)字可達(dá)32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下,半導(dǎo)體光刻掩膜板市場(chǎng)在2010年增長(zhǎng)了10%,而未來(lái)兩年光刻
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨(11)日宣布,為了加速半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā),決定加入美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟SEMATECH組織,并成為核心成員之一。臺(tái)積電希望藉由加入SEMATECH,與成員合作開(kāi)發(fā)20納米以下先進(jìn)制程,包括
日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布,已終止有關(guān)光源合資企業(yè)Gigaphoton的合作協(xié)議。Komatsu將從Ushio手中買下50%股權(quán)。未來(lái)Gigaphoton將成為Komatsu的全資子公司。而此舉會(huì)為EUV的未來(lái)投下何種變數(shù)仍有待觀察。成立于2
日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布,已終止有關(guān)光源合資企業(yè)Gigaphoton的合作協(xié)議。Komatsu將從Ushio手中買下50%股權(quán)。未來(lái)Gigaphoton將成為Komatsu的全資子公司。而此舉會(huì)為EUV的未來(lái)投下何種變數(shù)仍有待觀察。成立于2
日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布,已終止有關(guān)光源合資企業(yè)Gigaphoton的合作協(xié)議。Komatsu將從Ushio手中買下50%股權(quán)。未來(lái)Gigaphoton將成為Komatsu的全資子公司。而此舉會(huì)為EUV的未來(lái)投下何種變數(shù)仍有待觀察。成立于2
日本小松公司(Komatsu)與Ushio公司近日決定終止兩家公司有關(guān)EUV光刻機(jī)光源合資廠商Gigaphoton項(xiàng)目的合資合同。小松將從Ushio公司手中收購(gòu)Gigaphoton余下的50%股份,這樣Gigaphoton將成為小松的獨(dú)資公司。Gigaphoton原
日本的 Komatsu 和 Ushio 稍早前宣布,已終止有關(guān)光源合資企業(yè) Gigaphoton 的合作協(xié)議。 Komatsu 將從 Ushio 手中買下50%股權(quán)。未來(lái) Gigaphoton 將成為 Komatsu 的全資子公司。而此舉會(huì)為EUV的未來(lái)投下何種變數(shù)仍有待